дело не в количестве ошибок, а в возможности посмотреть первоисточник, при возникновении сомнений.

a5021, у вас какая индуктивность дросселей? По моим расчётам (пульсация тока в дросселе 40 %) индуктивность дросселей при их магнитной связи составит 30 мкГн.

Измерить нечем, но конструкция такая же, как в оригинале. Там у автора в 24 витка "вписались" 60мкГн. У меня, думаю, что-то близкое. Может переделать с большим количеством витков?
Емкость С6 как-то вообще мало влияет на что-либо. Поставил 470мкф -- картина та же. Доставил еще один такой же в параллель, ничего не изменилось вообще.

neon Наш телекок прав - хороший технический перевод проясняет мозги у дремучих радиолюбителей .
А про ошибки не надо - вы не эксперт технического превода TI .

При связанном дросселе там надо единицы мкФ. И влиять она будет только на амплитуду выброса на стоке транзистора.

В продаже новые LED-драйверы XLC компании MEAN WELL с диммингом нового поколения

Компания MEAN WELL пополнила ассортимент своей широкой линейки светодиодных драйверов новым семейством XLC для внутреннего освещения. Главное отличие – поддержка широкого спектра проводных и беспроводных технологий диммирования. Новинки представлены в MEANWELL.market моделями с мощностями 25 Вт, 40 Вт и 60 Вт. В линейке есть модели, работающие как в режиме стабилизации тока (СС), так и в режиме стабилизации напряжения (CV) значением 12, 24 и 48 В.

Подробнее>>

зачем такое большое значение? Такая индуктивность необходима при раздельных дросселях. Уменьшайте индуктивность в два раза.

Ёмкость конденсатора C6 должна быть около 10 мкФ (с небольшим запасом), на напряжение ≥ 25 В (напряжение питания не больше 13 В, ток нагрузки 4 А, частота 100 кГц).

Попробую выполнить ваши рекомендации. Трансформатор (дроссели) переделаю на кольце из того же материала, разве что, размером поменьше, с числом витков обмоток уменьшенным до 12. О результатах отпишусь.

в наше время лучше предварительно всё проверить в программе схемотехнического моделирования, а потом уже садиться за паяльник.

Только иногда схемы нормально работающие в программе отказываться работать в железе. И очень часто схемы работающие в железе на проч отказываются работать в программе. Проверить можно, но это не чего не гарантирует.

Это действительно так. Только пока я найду все модели (если найду), пока расчерчу схему, то вполне возможно, что к этому моменту паяльником бы уже все сделал и получил не расчетные значения, а реальные. В общем, я их уже и получил. Пульсации остались практически те же, но появились длинные иглы выбросов по фронтам.



Здесь в одной клетке 0.2 вольта и 5 микросекунд. И куда теперь?

PS. трансформатор -- по 13 витков в каждой обмотке. Желтое кольцо с одной белой стороной. Внешний диаметр примерно полтора сантиметра. Что-то вроде этого:

Что было сделано? Выходной конденсатор меняли на несколько штук меньшей ёмкости. ESR батареи конденсаторов меньше чем у одного.
Иголки могут появиться из за нерацыонального монтажа.

так, судя по осциллограмме выходной конденсатор имеет большое значение ESR. Ещё раз рассчитал и выходит, что C6 должен быть ёмкостью около 25 мкФ. Минимальная индуктивность магнитосвязанных дросселей L1 — 8 мкГн, L2 — 4 мкГн. L2 может иметь вдвое меньше витков. Можно оставить L1 = L2. На выходе должен быть конденсатор ёмкостью 500-1000 мкФ.

Дык, всяко бывает в этой жизни.
Однако, вот моделька, а
вот ея макет в железе.

Монтаж, конечно, не безупречен, но думать, что он совсем угробищный мне откровенно стремно.



Выглядит может и не очень эстетично, но надежность соединений и отсутствие замыканий обеспечивает.

С емкостями сейчас пробую что-то сделать. Там место только под одну оказалось и вешать вереницу сбоку надо еще придумать, как. Единственное, что замена стоявшей изначально 1000х35в на 200х50в вызвала закономерный рост пульсаций до 400мв, но на иголки никак не повлияло. Смысл этой замены был в том, чтобы проверить тезис о том, что у тыщи ESR "ни к черту". Либо у другого кондера он оказался столь же ущербен, либо не в нем причина.


Я тоже имею сильнейшее подозрение того же рода.


После предыдущего уменьшения индуктивности вдвое, ничего, в принципе, не поменялось. Видимо индуктивности там еще с запасом остается. Да, иголки выросли, но это не обязательно свидетельствует о каких-то проблемах с индуктивностью. Чуть поменялся режим и плохой ESR стал "светить" сильнее. Возможно это и не совсем правильное мое предположение, но пока мне видится так.


Вот это для меня продолжает оставаться не понятным. Про раздельные дроссели пишут, что они могут иметь разную индуктивность, но дроссели на одном магнитопроводе везде упоминаются, как "симметричные", если можно так выразиться. Хотя везде говорится, что принципиальной разницы, на одном ли сердечнике находятся дроссели или на разных, никакой нет. Так почему же все схемы рисуются обычно для идентичных обмоток?


Я приводил ссылку на схему этих перцев из TI, так там на выходе куча мелких кондеров в параллель, общей емкостью около 100мкф. Это при напряжении 15В и токе 1.75А. Фильтровать там, выходит, особо и нечего.

А в железе схема такая же?
На входе дроссель для чего?
..не понял фокуса с D61,D62,D63.
Про 3843 я тут уже спрашивал, повторю вопрос, схема отсюда:

Не понятна работа транзистора с базой на 4-ой ноге 3843.

Это бредятина какая-то, а не схема. То, что висит на выходе шим-контроллера, это какой-то горбыль, чтобы похоронить фронты и подать полное входное напряжение на затвор. Видимо намечается праздник на улице хладнокровных и безжалостных убийц мосфетов. Понятно, что он хотел инвертировать сигнал, но делать это таким образом крайне опрометчиво.

На выходе как-раз все нормально - инвертирование сигнала с ШИМ, драйвер для p-канального мосфета, это степ-даун обычный.

Угу. Этот "степдаун-обычный", при открытом нижнем транзисторе "драйвера" садит затвор мосфета на землю, в то время, как исток остается на "+" питания. А теперь открываем справочник по мосфетам и видим, что у подавляющего большинства из них максимальное напряжение затвор-исток не более 20 вольт. Вообще же драйвер затвора для p-канального мосфета это та еще штучка. Отчасти поэтому их практически не выпускают в виде готовых микрух, каковых для n-канальных приборов существует, что называется, как грязи. Попробуйте найти монолитный драйвер p-канального мосфета. Я как-то пробовал и мне этого не удалось.

Автор схемы взял простейшую схему totem-pole драйвера n-канальных приборов и без всякой фантазии присобачил ея к мосфету с р-каналом. Да, при входных напряжениях ниже максимально-допустимого VGS мосфета, на низких частотах и малых нагрузках оно как-то будет работать. Если какое-то из этих условий не выполнить, то очень быстро все начнет походить на мизансцену "спасайся, кто может".

Прежде чем орать, почитай пока пункт 6. Неизолированные драйверы верхнего уровня, тут.
Но я собственно не про это вопрос задавал.

выпускают.


Просто так технологичней изготавливать универсальные дроссели.

Рассмотрим ваш случай, при Uвх = 12 В и токе нагрузки от 2 А до 4 А. В расчётах я даю значение минимально необходимой индуктивности для поддержания режима неразрывных токов при минимальном токе нагрузки.

При понижении напряжения индуктивность L1 — от 7,5 мкГн (12 В) до 11 мкГн (5 В), L2 — 8 мкГн (12 В) до 5 мкГн (5 В). Необходимая индуктивность дросселей примерно равна если коэффициент передачи = 1. При повышении выходного напряжения необходимая индуктивность L1 снижается, а L2 возрастает. Для поддержания неразрывного тока при меньшем токе нагрузки необходимо увеличивать индуктивность дросселей. Если дроссели без магнитной связи, то необходимая индуктивность возрастает ровно в два раза.

При снижении тока ниже критического (2 А) схема перейдёт в режим разрывных токов. При понижении напряжения, если индуктивности дросселей равны, сперва перейдёт в такой режим левая часть схемы, а потом правая. При повышении, всё с точностью до наоборот.

Зная это вы можете определиться с необходимым соотношением индуктивностей, чтобы оптимально изготовить магнитосвязанные дроссели.

То, чем вы тут тычете, не что иное, как перелицованный перевод статьи Laszlo Balogh с сайта TI. С оригиналом я знаком уже давно, а вот перевод с вашей подачи увидел с одного из прошлых постов. Мало того, что перевод выглядит несколько неоднозначно по сравнению с оригиналом, так и оригинал еще описывает подходы, где масса нюансов остается за кадром. Насчет последнего я так говорю после того, как часть предложенных решений промоделировал в софте и испытал железе. В чистом виде предлагаемая оригиналом схематика не заработала для моих условий ни разу. В каждом случае приходилось "перерабатывать" что-то. Автора тут винить совершенно не за что, т.к. он лишь иллюстрирует принцип, а не предлагает готовое схемное решение. Только вот этот принцип неплохо бы понимать, чтобы построенная на его основе схема заработала, а не тупо копировать два транзистора по своему усмотрению, как сделано это в карандашном рисунке, на который вы ссылаетесь.

Вы можете мне не верить, а можете набросать модельку и убедиться, что дым из мосфета неизбежно пойдет при достижении входным напряжением определенного значения. Там же вы без труда узреете, что прямоугольник на затворе окажется по форме ближе к синусу. Если попытаться по совету Laszlo Balogh вытянуть фронты уменьшением номиналов резисторов в драйвере, то очень скоро выясниться, что резисторы надо ставить с палец толщиной и тепла они станут выделять поболее, чем мосфет, но фронты так до конца и не вытянут. Там вообще много чего интересного вылезет, но произойдет это только после того, как вы сами возьметесь изучать вопрос, а не только бросать свысока "почитай пока пункт 6"...



Я тоже так думал, пока пару лет назад не взялся поискать. Мож конечно что-то и изменилось с тех пор, но я, помниться, был изрядно удивлен ситуацией.