Нубский вопрос по MOSFET. Безопасно ли подавать на затвор напряжение с обратным знаком? Если да, до какой величины? Есть мосфет SI2302 и схема, с которой на затвор летит переменный прямоугольный сигнал с амплитудой 1.5 В относительно истока. Может ли что-то произойти с транзистором от такого сигнала?
_________________ Иногда мой питомец уходит в такую спячку, что разбудить его можно только щелчком по первой ноге...
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Сб апр 27, 2024 16:37:18
Друг Кота
Карма: 67
Рейтинг сообщений: 1029
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21 Сообщений: 18928 Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Рейтинг сообщения:0 Медали: 1
Обычно у мосфетов максимально допустимое напряжение затвор-исток ±N вольт (N ~ 20).
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Просто берем даташит. И смотрим: Gate-Source Voltage Vgs ±8V Вывод: ничего ему не будет.
Добавлено after 3 minutes 22 seconds: Ну и... 1,5 В - немношко так маловато, у него Vgs(th) всего 1,3 В. То есть, в этом режиме мосфет только-только начинает открываться.
Опубликованы материалы вебинара, посвященного пленочным конденсаторам компании Hongfa, на котором была представлена текущая линейка и модельный ряд продукции этого направления, включая новые, недавно вышедшие серии.
На вебинаре были приведены актуальные примеры применения пленочных конденсаторов Hongfa в источниках питания, зарядных станциях для электротранспорта, преобразователях частоты, фотоэлектрических преобразователях и ветрогенераторах.
Сначала нужно понимать что такое Vgs(th). А у него есть УСЛОВИЯ его измерения и для Si2302 оно составляет Vds = Vgs, Id = 250 μA. То есть транзистор по факту еще закрыт. Поэтому нужно смотреть зависимость Rds от Vgs.
Компания Hongfa - один из лидеров азиатского рынка пленочных конденсаторов с полным циклом производства. Она выпускает пять серий помехоподавляющих конденсаторов этого типа как для бытовой, так и для трехфазной промышленной сети, а также для автомобильного применения. Продукция компании по ассортименту, параметрам и количеству серий конденсаторов ЭМП не уступает другим крупным производителям этого сегмента и может легко заменить ассортимент ушедших из РФ брендов.
Добрый вечер народ. Помогите разобраться. В роботе пылесосе не включается помпа. Управляет помпой smd транзистор R4. Поискал и нашел что под этим кодом может быть или si3404 или WM03N57M. На родном пробой затвор сток. Вроде это полевик N каналный как я понял. Теперь без транзистора на затворе постоянно -4.5 вольта. Как мог работать до поломки если напряжение не меняется ни при включении влажной уборк когда полевик должен включить насос ни при сухой уборке когда полевик не включает насос. Прошу дайте наводку а то замучился с этим пылесосом.
Если у мосфета пробилась изоляция затвора, то напряжение, которое он коммутирует, прилетает на его управление и с немалой вероятностью его выжигает.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
В мощном повербанке сгорел мосфет AGM405Q, в магазинах такой не нашел, на Али есть но по 5штук и недешево. Пробовал найти аналог, но не совсем разбираюсь какие параметры должны быть идентичны. Собственно есть более мощные, напряжение выше, ток больше, мощность тоже больше, но вот например параметры Qg Total Gate Charge и Coss Output Capacitance сильно хуже. Приложил даташиты на оригинальный и на те что нашел в магазине. Подойдут ли?
ну раз уж в теоретическом разделке решаем задачи нежарит-непарит ...
базовых силовых параметра - всего 3 для FET: 1. Vds_max (гарантированное напряжение до начала электрического пробоя) 2. Rd-s (сопротивление полностью открытого канала, ну или его обратное значение -проводимость) 3. общая тепловая проводимость от кристалла к среде, но, поскольку этот параметр слишком "непонятный", в дш пишут вместо него макс рассеиваемую мощность при какихто условиях.
и макс ток - это вторичный параметр
базовые параметры управления: Vgt - порог начала открытия S - крутизна характеристики Vg_on- напряжение на затворе при котором у транзистора нормировано Rd-s (обычно указывается как комментарий к условиям измерения Rd-s) емкость затвора (чаще всего обозначают как input capacitance для common source) емкость миллера (reverse transfer сapacitance)
или обьединеные синтетические параметры чтоб понимать сколько энергии или заряда надо перенести в затвор чтоб полностью переключить канал в какихто (например худших) условиях, c учетом всех основных параметров.
большой Vds_max обычно приводит к тому что в даташите чардж затвора считают под большее влияние миллера и он получается больше, но для использования на низких напряжениях он будет существенно меньше так что выбирать fet c бОльшим Vds_max можно сравнительно смело. а вот (кроме случаев прорыва технологий, когда появился более совершенный девайс) низкое Rds (высокая проводимость открытого канала) обычно получается ценой повышения входной емкости затвора и это уже может стать критической проблемой если исходный драйвер затвора не вывозит бОльшую емкость!
в пауэр банке теоретически : мощные fet применяются чаще всего как аварийные ключи BMS (тоесть должны быстро однократно сработать на запирание не успев перегреть себе канал) обычно в схеме управления есть несколькократный запас по допустимой емкости затвора, но лучше изучить ее.
иногда в пауэрбанках есть всякие импульсные преобразователи - это совсем другое, там более жесткие требования к характеристикам управления fet. короче если в схеме есть дроссели - то транзистор с большим запасом по сопротивлению канала или току (а точнее с большей емкостью затвора) брать категорически ненужно.
Собственно 4 таких мосфета и стоят в цепи дросселя, а там максимальная мощность 100 ватт. По даташиту у тех что в наличии сопротивление Rd-s даже меньше, но вот емкость почти в 10 раз больше( А других в магазинах фиг найдеш
чем меньше сопротивление тем больше проводимость тоесть транзистор способен проводить больше тока при таком же нагреве.
попробуй параметрический поиск в магазине, если напр чипдип то выбирай n-канал Rds отметь все скажем от 4 до 6 mOhm а дальше отмечай подходящие корпуса so8/sioc8 обладают теплопроводностью хуже но впринципе они подходят, еще может d-pack отлично подойти.
макс ток, не смотри.
IRFHM8326 есть напр в чипдипе, правда они неадекватно дороговаты для такого ремонта
еще если транзисторы параллельно соединены то можно заменить одним с меньшим Rds (примерно в 4 раза будет ок) при этом емкость не будет умножаться на 4.
Там стоит PDFN5*6, таких мало, большего размера не вкорячить ибо нет места. Цена тоже не радует, учитывая что придется менять все 4. Остается таки купить в Китае нужную модель, 10шт за 11.50уе, остаток потом продать)
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 20
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения