ponomarevap1093, да, практически всгда. от "обычного" mosfet его отличает только TVS защиты затвора. гарантированное в дэйташитах напряжение +-12..25V, чаще всего +-20V превышать всеравно катигорически не рекомендуется, и во всех схемах где это выполняется - можно ставить такой. (это теоретически может не выполняться в какихто суровых любительских схемах, в исправных промышленных образцах такого не должно быть и соответственно нет причин бояться встроенного tvs при замене fet )

они практически не боятся статики в отличие от обычных.

Что значит "завтор щупом мультиметра зарядить не удается"?

как я понял - речь о том чтоб зарядить затвор выше Vgt и померить сопротивление канала.

но диодтестер и омметр мультиметра дают обычно около 3V, что недостаточно многим экземплярам мощных транзисторов чтоб начать открываться.
и да встроеный TVS повышает вероятность стекания заряда.

чтоб проверить - берем диодтестер мультиметра и смотрим им канал в сторону где нет канального pn перехода.
(кстати, если этот переход не звонится то транзистор оборван и дальнейшие манипуляции бессмыслены )

затем батарейкой 9V заряжаем затвор и смотрим как реагирует канал. если есть сомнения в пинауте транзистора - батарейка с резистором 1..100k последовательно, чтоб ничего не повредить.

Всем доброго времени суток. Пытаюсь разобраться с шумом биполярного транзистора.
Уяснил, что основными источниками шума в БТ являются:
- тепловой шум объемного сопротивления базы
- дробовой шум тока коллектора через динамическое сопротивление эмиттера
- дробовой шум тока базы через объемное сопротивление базы.
В небезызвестной книге Искусство Схемотехники эти три источника шума собирают в кучу (см вложение), по итогу получается размерность V^2/Hz, то есть спектральная плотность мощности шума.
Я не могу понять про дробовой шум. В случае тока коллектора умножают 2qIc на квадрат сопротивления эмиттера, но в случае тока базы умножают просто на сопротивление базы, почему?

Хм, да. Как будто квадрат потеряли.
Посмотрите здесь: http://the-epic-file.com/text/bookz/aoe ... _08_03.htm может найдёте где именно.

Поглядел список очепяток на книгу (почему то только сейчас), да, просто забыли квадрат для rbb (см вложение), перевод на the-epic-file ее тоже содержит. На самом деле, я там и читаю.

Подскажите по этой картинке (левый график):

Спойлер

Там не перепутаны область насыщения и активная область? Я так понимаю, что активная область - это когда при росте Uси растёт и ток, а при насыщении ток уже не растёт. Но на картинке написано наоборот.

нет, на выходной вах все правильно написано,
при насыщении ток просто не может расти по внешним для транзистора причинам (ток ограничен внешними цепями)
а в линейном/активном режиме ток очень мало зависит от напряжения Vc-e
и определяется током базы: Ic=Ib*hfe (hfe=h21e)


вот на переходной характеристике (напр Ic=f(Ib) ) там будет близкая к линейной большая (k=hfe) зависимость в активном участке и пологий завал (k~0) в насыщении.

romserg, три дня назад у вас были вопросы по биполярному транзистору. Если за такое время разобрались с биполярными, разберётесь и с полевыми

а я при беглом взгляде даж не заметил что речь не о bjt а о mosfet
но в данном случае различия затронуты не были, выходные вах у bjt и fet практически идентичны

А ещё поясните, пожалуйста, есть ли понятие коэффициента усиления у полевых транзисторов? И что оно означает, ведь ток через затвор не протекает.
В разных источниках написано по-разному: где-то отношение U сток-исток к U затвор-исток, где-то и про ток сток-исток говорится. Непонятно.

Или аналог коэфф. усиления для полевиков - это крутизна характеристики?

Да, это крутизна [мА/В].

Перепутаны, точнее, взяты от биполярного транзистора. Для МДП-транзистора область не "активная", а "линейная".
Для МДП-транзистора так и есть, названия областей связаны с зависимостью тока стока от напряжения сток-исток: когда зависимость сильная (а в нуле она практически линейная), область называется линейной, а когда слабая - областью насыщения (отсечки).

Для биполярного транзистора названия областей связаны с его режимами работы: область, где транзистор находится в режиме насыщения (оба перехода открыты), называется областью насыщения, а область, где транзистор находится в активном режиме (эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт), - активной областью.

Не надо смешивать коэффициент усиления (передачи) тока базы биполярного транзистора (h21э) и усилительные свойства активного элемента (транзистора или лампы), характеризуемые крутизной передаточной характеристики. Просто для ламп и полевых транзисторов крутизна имеет определенное значение, а у биполярных транзисторов определяется величиной тока коллектора (Iк/Uт, где Uт-температурный потенциал, 26 мВ).
Заметьте, что крутизна передаточной характеристики биполярного транзистора не зависит от коэффициента усиления тока базы.

ну это требует пояснений,
так то она зависит от смещения (тока коллектора, около которого ее измеряют/вычисляют)
а значит от Ib*h21e


многим привычнее для вычислений вместо диф проводимости эмиттера использовать его диф сопротивление
(Re~= 26mV / Ic +Re_ext ) тогда усилиение по напряжению каскада ОЭ (или ОБ) Kv = Rc/Re. Rc - диф сопротивление складывающиеся из всего что висит на коллекторе. Re_ext - внешнее доп сопротивление в эмиттерной цепи (или импеданс этой цепочки на нужной частоте).

Достаточно просто продифференцировать выражение для тока коллектора по напряжению база-эмиттер.
Ни один нормальный разработчик не станет разрабатывать каскад усиления, ориентируясь на ток базы. Для установки рабочей точки устанавливается ток коллектора, что для биполярного транзистора автоматически определяет крутизну. Какой при этом будет ток базы значения для усиления не имеет. Примерное значение этого тока нужно знать для оценки паразитного смещения в цепи базы, его разброса и температурного дрейфа.
Да, в практических расчетах чаще используется дифф. сопротивление эмиттера. Любопытно вычислить теоретически максимально возможное усиление каскада на биполярном транзисторе. Оно равно отношению напряжения Эрли к температурному потенциалу и составляет 1000-6000 для n-p-n транзисторов и 1000-3000 для p-n-p транзисторов.