Заголовок сообщения: Re: Все о биполярном транзисторе.
Добавлено: Чт май 08, 2025 19:13:24
Опытный кот
Зарегистрирован: Вс мар 23, 2025 14:56:55 Сообщений: 700
Рейтинг сообщения:0
Если не требуется гальваническая изоляция... Но разве не проще развязать базу диодами? Получим классическое ИЛИ. Вряд ли диоды не позволят уйти транзистору в режим насыщения
Поставьте ещё один PNP транзистор, включенный по такой же схеме, коллектора обоих соедините вместе и подсоедините туда двигатель.
Напряжение с двигателя через переход К-Б придёт на Выход не работающего МК. Выходы обоих МК через резисторы подключить к Базе 1 транзистора, используя запас его усиления по току. Или использовать составной, а лучше Шиклаи.
_________________ Свежий взгляд из прошлого тысячелетия.
если 2 диода катодами на 2 gpio разных mcu аноды вместе и через резистор ~300R (или сколько надо, с учетом Vcc, hfe_min, I_load_max) на базу pnp
то возникает проблемка с выключением питания, тогда транзистор будет открывать ток питания выключенного mcu, который потечет через верхний fet gpio и диод
примерно то же самое будет с 2мя транзисторами.
если же 2 диода запирают транзистор то возникает проблемка с потреблением тока для базы все время когда мотор выключен. если это проблема то можно использовать p-fet и 10..100k pulldown затвора.
а из радикального: самый забавно-оригинальный вариант это выключать питание mcu разрывая земляной провод , тогда первая схема будет работать ок
а самый обычный вариант - это питание мотора разрывать снизу, npn или n-fet , тогда управление отсчитывается от земли (а не от Vcc) и классическое диодное ИЛИ {ну или ИЛИ на 2х запараллеленных транзистора) не создает противоречий с питанием mcu и устройством gpio.
Не должен он ничего. Усиление такого каскада приблизительно равно отношению сопротивлений нагрузки, включая коллекторный резистор, к сопротивлению эмиттерного резистора - понятно, что получается меньше единицы, что мы и наблюдаем в симуляторе. Кстати, сопротивление обоих коллекторных резисторов слишком большое для столь низкоомной нагрузки.
По какой теории? Не знаю я такую теорию. Сам по себе транзистор ничего не даёт, он может усиливать только в каскаде, вместе с другими компонентами, и понятно, что усиление будет определяться прежде всего номиналами этих компонентов, а не 90*90=8100. Заметьте, что, изменив номиналы, вы получили совсем другое усиление, чем было вначале. Но и вместе с этим получили жуткое искажение формы сигнала, причину которого, замечу, легко понять, если немного поизучать предмет.
_________________ И хрюкотали зелюки, Как мюмзики в мове.
fasmon, попробуйте сверху (в коллектор, вместо 250R ) резистор 3k а к базе смещение через резистор 5..10M (вместо 67k) остальное не меняйте. это для вашей версии с 4k нагрузкой.
(для нагрузки 1R эту схему усиливать напряжение с такими транзисторами в реальном мире заставить нельзя, Ic_max будет превышен многократно)
Ну, вот я и добрался до транзисторов, пока биполярных. Прошу помощи. 1. Пишут, что это схема с ОК. Получается, что ОК - это если нагрузка стоит после эмиттера? Потому что где тут общий коллектор - в упор не вижу... 2. Высокое входное сопротивление схемы - это из-за Re последовательно с БЭ? 3. А низкое выходное - потому что выходной ток идёт через КЭ и потом на Vout, в обход Re, так? 4. А если к Vout будет подцеплена низкоомная нагрузка, то Vout снизится? Ведь схему можно рассматривать как делитель напряжения, верхнее плечо - КЭ, нижнее - Vout-земля. Правильно я понимаю?
и Vin и Vout здесь можно отсчитывать и от земли (низа Re) или от любого другого потенциала связанного с ним константой, например и от V+, который (независимо от сигнала) отличается от земли на напряжение питания. другими словами и Vin и Vout можно отсчитывать именно от коллектора, который в этой схеме и является общим для входа и выхода. (на нем единственном потенциал не зависящий от сигнала)
romserg, ---4. А если к Vout будет подцеплена низкоомная нагрузка, то Vout снизится? Ведь схему можно рассматривать как делитель напряжения, верхнее плечо - КЭ, нижнее - Vout-земля. Правильно я понимаю?---
Напряжение на Э относительно Б мало изменяется даже при больших изменениях тока Э-К (это свойство транзистора). То есть , малое падение напряжения при любых токах и есть малое выходное сопротивление. Зависит оно от сопротивления источника сигнала, Кус по току транзистора, тока К-Э и др., точнее по формулам. Примерно постоянное (не зависимо от тока К-Э) смещение Б-Э (0,2-0,3 В для германия и 0,6-0,7 В для кремния) не входит в понятие "выходное сопротивление" (по переменному току (сигналу)).
_________________ Свежий взгляд из прошлого тысячелетия.
romserg, на такой вопрос есть два варианта ответа: или своими словами пересказать главу из популярной книжки, или посоветовать одну из книжек. Вы что-нибудь по теме уже читали? Если да, то что?
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
romserg, на такой вопрос есть два варианта ответа: или своими словами пересказать главу из популярной книжки, или посоветовать одну из книжек. Вы что-нибудь по теме уже читали? Если да, то что?
Я смотрел видеоролики у HiDev, а в книжках, думаю, сложнее. Сейчас читаю также Хоровица Хилла, но пока трудно всё уложить в голове. Суть транзистора-то я понял, принцип действия, а вот разобраться в токах-напряжениях именно схем не так просто.
Пока меня интересует транзистор как регулятор мощной нагрузки, а не усилитель звука, с этим бы разобраться. Вот какую схему - ОЭ, ОК или ОБ - лучше использовать для управления мощной нагрузкой?
Что вы называете управлением нагрузкой? Если вкл-выкл, то общий эмиттер практичнее. Если регулирование яркости лампочки - возможны варианты. Эмиттерный повторитель или источник тока. У ХиХ обе схемы расписаны подробно. Что именно вас интересует? Чтобы не говорить сразу обо всём, лучше начать с конкретной задачи.
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
Вот какую схему - ОЭ, ОК или ОБ - лучше использовать для управления мощной нагрузкой?
про ОБ для усиления(=регулирования) мощности для НЧ - сразу забудь. это включение дает преимущество только на частотах близких к предельной для транзисторов и не усиливает ток, это оочень неудобно и соответственно применяется только в крайних случаях. я применял ОБ для силовых ключей для неинвертирующего конвертора уровней в управлении ключем, иногда для нивилирования Эрли применяют ОБ, но это довольно специфические применения, требующее не-начальных знаний
ОК(или ОС) - не усиливает напряжение (управляющее напряжение = выходному) и эта схема не позволяет простыми способами минимизировать потери на транзисторе в полностью открытом режиме. зато это простой способ получить неинвертирующее усиление тока.
ОЭ(или ОИ) - усиливает и ток и напряжение, и обеспечивает минимальные потери открытого ключа, чаще всего для силовой коммутации применяют именно его . и это включение - единственное инвертирует сигнал (это может быть хорошо или плохо, просто нужно это иметь ввиду). без четкого понимания "зачем", другие схемы выбирать не нужно.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 19
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения