В какой схеме ток эмиттера уменьшается с ростом температуры? Могут быть варианты. И - о каком токе мы говорим? О той синусоиде, которая передаёт информацию от источника сигнала к нагрузке или о режиме работы транзистора в отсутствие сигнала? Это токи разные, как уровень моря и размах волн на его поверхности.

ОБ каскад, постоянка, транзистор нагрелся ток эмиттера увеличился ОС вернула ток на прежнее место.

А теперь то же самое, но общий коллектор. Никакой разницы, точно так же: нагрелся, увеличился, вернула. Это мы сменили тему: вместо транзистора-усилителя обсуждаем транзистор-стабилизатор. Причём на входе уже не напряжение или ток источника сигнала, а температура. Совсем другое дело.

Почему сменили тему? Тема одна пока, есть ОС или нет её?
Вот был живой пример.
Так а нелинейность при сигнале в переходе БЭ кто исправляет? Таже ОС.

В продаже новые LED-драйверы XLC компании MEAN WELL с диммингом нового поколения

Компания MEAN WELL пополнила ассортимент своей широкой линейки светодиодных драйверов новым семейством XLC для внутреннего освещения. Главное отличие – поддержка широкого спектра проводных и беспроводных технологий диммирования. Новинки представлены в MEANWELL.market моделями с мощностями 25 Вт, 40 Вт и 60 Вт. В линейке есть модели, работающие как в режиме стабилизации тока (СС), так и в режиме стабилизации напряжения (CV) значением 12, 24 и 48 В.

Подробнее>>

В каскаде с ОБ ОС по току, а усиливает он напряжение. Как ОС исправляет нелинейность?

А разве не ОС? Ну может не исправляет а уменьшает?

Вот я и спрашиваю - как? С током всё понятно: стопроцентная ОС выправила все нелинейности за счёт уменьшения усиления до ниже некуда. То же самое с напряжением в ОК: схема его не искажает, но и не усиливает. А как с напряжением в схеме ОБ и током в схеме ОК? Есть версии?

Ну я не знаю этого, я пока разбираюсь с этим)
А что если например в ОБ мы по току избавились от всего дестабилизиоующего оно всплывает в напряжении? Разве ток не связан с напряжением?

связан, если нагрузка постоянная активная...
собери каскад ОК (простейший РБП - регулируемый бп) и нагружай его разными нагрузками и ты увидишь что ток базы зависит от ток эмиттера какраз ао коэффициенту передачи... и всё было бы прекрасно, если бы этот коэффициент был бы стабилен... он ведь меняется, он меняется при изменении режимов работы и вслед за температурой...

Так ОС и подаётся на вход пропорционально этой нестабильности коэффициента передачи???

Ёмкость перехода Б-К в пикофарадах, ОБ звуковую частоту не усиливает?

Так это... Схема с ОБ не имеет обратных связей...

Общая база - это основной режим работы транзистора. Ток проходит через переход э-б, и поскольку база тонкая переходы влияют друг на друга, то ток идёт и через переход б-к. Ток коллектора равен току эмиттера умноженному на коэффициент передачи тока - альфа. Альфа чуть меньше единицы.

Общий эмиттер - схема с ПОС. Да-да. Ток э-б открывает переход б-к, но ток, идущий через б-к, за счёт схемы включения проходит через б-э и ещё больше его открывает, что в свою очередь ещё больше открывает переход к-б. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ зовётся бэта - и он равен альфа/(1-альфа).
(Открою страшную тайну: у германиевых транзисторов обратный ток коллектора достаточно велик, чтобы в схеме с ОЭ приоткрывать переходы транзистора даже при отсоединённой базе.)

Схема с ОЭ - наиболее широко употребляется за счёт хороших усилительных свойств (чем ближе альфа к единице - тем больше бэта ) - из-за этого схему с ОЭ часто обзывают "основной", но она таковой не является. Частотные свойства хуже, чем с ОБ.

Общий коллектор - это каскад с ПОС, охваченный сверху ООС Частотные свойства ещё хуже, чем с ОЭ.

Как-то так. Коли несу пургу - пущай старшие Коты поправят.

Вопрос задавался лет сто назад, а тебя только щас осенило))

murzistor
Ток БЭ не открывает переход БК. Представление транзистора в виде двух диодов с точкой соединения в базе неверное. Ток течёт из эмиттера в коллектор (для PNP) или из коллектора в эмиттер (для NPN). Переход БК всегда работает в режиме "заперт". Иначе ток из коллектора просто весь вытек бы в базу и привет . Это примерно, как если бы на КП303 подать на затвор плюс относительно истока - вместо линейного усиления получится тупо стабилизация на уровне прямого падения на переходе. В этом смысле работа BJT и JFET чем-то схожа. Просто в JFET влияние на явно существующий канал оказывает поле затвора, а в BJT явного канала нет, и влияние на сопротивление ЭК оказывает ток базы.

Как это ток БЭ не открывает БК? Чем больше ток БЭ тем тем ближе БК стремится к прямому напряжению в итоге если вломить большой ток через БЭ, БК будет под прямым напряжением и транзистор окажется в насыщении по сути КЗ между КЭ???

Express
Ну это, извините, полная ерунда. Вы не понимаете, как работает биполярный транзистор. Между прочим, изобретатели транзистора тоже не понимали, как он работает, потому что они изобретали НЕ ЕГО. Общеизвестным фактом является то, что биполярный транзистор явился побочным продуктом работы над изобретением полевого.
Если, по вашему, БК будет под прямым напряжением, то это означает, что напряжение на коллекторе равно или меньше напряжению на эмиттере - ведь потенциал базы (для NPN) выше потенциала эмиттера, и для открытия перехода БК потенциал базы также должен стать больше потенциала коллектора. Таким образом, весь ток коллектора пойдёт через открытый переход БК, соответственно, ток эмиттера будет зашунтирован током коллектора. Напомню на всякий случай, что между эмиттером и коллектором разницы нет, важно не то, что вы назовёте коллектором, а что назовёте эмиттером. Важно именно то, какие потенциалы имеют эти электроды. Подумайте, почему напряжение насыщения не может быть меньше определённой величины. И кстати, никакого КЗ между К и Э нет и быть не может - это называется пробой, а не насыщение. И слово "насыщение" как раз напрямую вытекает из правильного понимания работы BJT - заканчивается запас свободных носителей в эмиттере, все 100% носителей, существующих в эмиттере, уходят в коллектор. При определённом токе базы сопротивление между коллектором и эмиттером становится минимально достижимой константой и ток насыщения целиком и полностью определяется только напряжением между К и Э.

PS: Тот факт, что между эмиттером и коллектором нет разницы, является прямым следствием того, что изобретали полевой транзистор, а случайно получили биполярный. Ведь в полевом нет никакой конструктивной разницы между стоком и истоком (исключением являются MOSFETы из-за особенности формирования изолятора между подложкой и транзистором).

Подумайте, почему напряжение насыщения не может быть меньше определённой величины.

Да потому что от сопротивления базы вам не получится избавится.

кстати, никакого КЗ между К и Э нет и быть не может - это называется пробой,

Какой пробой? Эмиттер нашпиговывает базу неосновными носителями так, что рекомбинации уже почти нет, а это щитай перемычка, какой нафиг пробой???

Express
Про нашпиговывание базы вроде бы верно. Но в целом всё как-то не складывается. Нет никакого сопротивления базы. Вы всё время рассуждаете, глядя на транзистор снаружи. Это на картинке есть база - вывод транзистора, якобы разделяющий эмиттер и коллектор. На деле толщина базы исчезающе мала. Если смотреть со стороны внешних выводов, то нам более важно сопротивление коллектор-эмиттер, и это сопротивление по факту зависит от тока базы. А внутри всё устроено немного по другому.
Вот, посмотрите этот материал:
http://genphys.phys.msu.ru/rus/lab/elma ... 4_2021.pdf

Я с сонной головой год проморгал!

oldbulb ссылка битая не открывается...

Добавлено after 2 minutes 30 seconds:
Я гдето читал что базы как понятия нет, это всего лишь обтеденённая область... А базу придумали для простоты...