База транзистора делится на области активную и пассивную.
В источниках где про это написано может крышу сорвать от перегруза формул.
Если по простому сказать, то входной ток проходит через активную область базы, выходной ток через пассивную область базы?

Express, не верно. Технологически, невозможно сделать коллектор, эммитер и базу одинаковой площади. Область базы, находящаяся непосредственно между коллектором и эммитором называется активной, область базы прилегающая к коллектору или эммитеру, но не лежащая непосредственно между коллектором и эммитером называется пассивной. Область базы лежащая вне коллектора и эммитера называется переферийной.
Например, в сплавном транзисторе:

Здесь W1 - толщина активной области базы, W2 - толщина пассивной области базы, а W3 - толщина переферийной области базы.
Таким образом, ток всегда идет через все три области базы. Но так как сопротивления у этих областей различны, то и токи эти различаются.
Так же различно влияние этих областей на ток базы и токи коллектора и эммитера.
Если площадь коллектора больше площади базы, то переферийной области базы нет, есть только активная и пассивная.

Что сопротивление активной области настолько маленькое по сравнению с пассивной областью что оно даже в расчётах не фигурирует? Везде фигурирует активная область rб? Интересно какое сопротивление у пассивной области?

а кто сказал, что в пассивной области база открывается?
степень открытия базы зависит от наполнения её неосновными носителями, поэтому чем тоньше база тем её проще открыть, а широкая пассивная область поэтому и называется пассивная...

Express, примеры:
- для обычных маломощных транзисторов сопротивлением пассивной области базы можно смело перенебречь
- для двухэммитерных транзиторов, как я уже писал выше, это сопротивление может быть свыше 100 Ом, поэтому не учитывать его нельзя
Cписок можно продолжать, но всех вариантов я просто не знаю и их не перечислю. А оно действительно Вам надо?

Добавлено after 7 minutes 14 seconds:
Ivanoff-iv, пассивная область базы не открывается, но полупроводник на то и есть полупроводник, что в нем есть свободные носители зарядов. Поэтому пассивная и переферийная области базы имеют конечное сопротивление и проводят ток. Более того, ток базы всегда проходит через пассивную область базы, так как иначе ему в активную область не попасть.

Ни чё не понял нафига лезть току в пассивную а тем болле в перефериную область когда активная область меньше и соответственно сопротивление меньше? Не логично.

ну, это понятно
электрод не припаять к активной зоне, можно или к пассивной или к периферийной (зависит от конструкции), а активная слишком тонка для этого...

Ааа вы вон про что, тогда получается весь выходной ток должен пролетать именно по активной области?

Express, если параллельно резистору в 1 Ом подключить резистор в 100 Ом, то ток пойдет только через первый резистор или все же через оба?

Через оба конечно.

Express, вот так же и ток между коллектором и эммитером идет через все области базы, даже если сопротивление активной области базы в 100 раз ниже, чем пассивной и/или переферийной.

Да но там уже как то язык не поворачивается со стороны сопротивления говорить, там скорость и длинна пролёта важны?

Express, Важны, конечно. Но посмотрите на рисунок. Заряды вполне могут проходить не только через активную область базы, но и через пассивную и даже переферийную. Да, траектория длинее, но вполне допустима. В базу ведь заряды инжектируются через вывод базы, который физически можно подключить только к пассивной или переферийной областям базы, но никак не к тонкой активной.

Хотите сказать, что инжектированые электроны рекомбинируются в пассивной или перефирийной области?

Express, частично. Если говорить о n-p-n транзисторе на рисунке, то часть электронов все же диффундирует в область коллектора из пассивной зоны. Часть рекомбинирует в базе, а затем выходит через вывод базы, приводя к необходимости увеличения базового тока и уменьшая коэффициент усиления. Поэтому чем больше пассивная и переферийная область, тем больше потерь на этой рекомбинации. И, в том числе, поэтому, чем мощней транзистор, тем меньше у него коэффициент усиления и больше ток базы.

А вот как, ну теперь ясно. Одной непоняткой меньше стало.

Аяяй.

12943, не придирайтесь к терминологии. Ток - движение зарядов. Через вывод базы и ее пассивную область ток в открытом транзисторе течет? Течет. Значит в pnp транзисторе через вывод базы в базу "инжектируются" электроны, а в npn транзисторе - виртуальные положительные заряды.
Согласен, что в большинстве учебных пособий под инжекцией подразумевается только неравновесные концентрации носителей заряда в прилежащих к pn переходу областях.

Щас ещё маленько придерусь:

А вообще, конкретно здесь, сильно не старайтеся, только бисер израсходуете.

При чём тут бисер и толковое объяснение?
Ну давайте молчать.
Будет форум молчунов.

Добавлено after 18 minutes 45 seconds:
Ширше распишу. Один из электронов вылетевших с эмиттера под действием поля коллектора рекомбинирует с дыркой в базе выплёвывая квант энергии грея базу(вот тут не понятно куда электрон попадает в запрещённую зону или валентную?)
далее под действием потенциала базы электрон дрейфует в неё увеличивая ток базы, как токовой инжекции дырки нет из базы а есть дрейфовое движение, электрон в одну сторону дырка в другую. Как то так?