Вот вам ее современный аналог. Оправдано ли такое усложнение схемы? К этому же вопросу можно отнести и другие конструкции. В промышленых масштабах при капиталистическом товаро-производстве усложнение схем делается умышленно. И причины вполне ясны - чтобы не смогли самостоятельно починить и отнесли в сервис, а если и там не сделают, то выкинули и купили новый аппарат. Второе обстоятельство, чтобы поскорее сломался, т.к. между усложнением и надежностью прямая зависимость. А иначе заводы производящие: электронику, продукты питания и пр. в миг обанкротятся, т.к. существуют на самоуправлении.
Прямая зависимость усложнения существует в каждой сфере, это эволюционная характеристика. Разберем приемники. Расположим их по иерархии: прямого усиления, регенеративный и сверхрегенеративный, прямого преобразования, различные супергетеродины. И какой же лучше? Ответ ясен - http://forum.qrz.ru/thread21094.html

Ладно, мне надо заниматься с транзисторами. Если вы не знали, то я скажу, что маньяк до транзисторов.

Для гнкоторых случаев- оправдано. Например, можно точно подобрать порог, и он не будет зависеть от температуры, уровня сигнала; удерживать канал вкючённым при паузах в разговоре. Это есть и в простой схеме, но не очень стабильно.

В 70х годах в звуковой аппаратуре широко применялась пороговая система понижения шума в паузе (Dolby NR). Принцип работы ее был такой же. В отсутствии сигнала на входе усилителей (во время паузы), блокировались выходные усилители и всякие шумы (шипение, хрипы, фон) не были слышны. Когда сигнал появлялся, усилители разблокировались. Можно среди тех схемок поискать что-нибудь простое. Мне кажется в Вашей схеме надо как-то избавиться от реле. Кроме того не помешает регулировка порога срабатывания схемы.

Резистор Р3 как раз и устанавливает порог включения.

Я немного другое имел в виду. У схемы должны быть разные пороги на включение и выключение. Включаться она должны быстро, а выключаться с некоторой задержкой.
Например, если сигнал от микрофона (усиленный конечно же), то при постоянном включении и выключении схемы часть информации будет теряться (нужно время на включение, а тут еще и реле будет щелкать). На выключение схемы порог должен быть около 2-5 сек (чтобы не выключалось во время паузы между словами или фразами). Если такая же задержка будет на включение, то часть разговора просто потеряется.

Поэтому и возник вопрос- что лучше- простая или навороченная схема.
У простой время удерживания определяется конденсатором.

Лишние навороты тоже ни к чему. Я поэтому и предлагаю порыться в старых журналах, поискать несложные схемы шумопонижения из кассетных магнитофонов.

Насколько удобней работать с классифицированными табличными данными, да и еще если эти радиодетали отечественного производства с логически понятным названием КП103 - кремниевый полевой транзистор разработки № 103, хорошо видно из прикрепленного изображения.

Давно хотел заняться полевыми транзисторами и теперь имею такую возможность.

Существующие типы полевых транзисторов приведены на первом изображении:



Разберем устройство полевого транзистора. Ниже на втором изображении показано схематическое изображение планарного полевого транзистора:



Но оно не полное и третье изображение его дополнит:



На втором изображении "p-канальный", а на третьем "n-канальный" транзистор. Канал выполнен на слое диэлектрика SiO2 из соединения одного атома кремния с двумя атомами кислорода и образующих молекулу "окиси" или "двуокиси кремния" или "кремнезёма" - http://www.diclib.com/cgi-bin/d1.cgi?l= ... d&id=35358 . Сигнал через транзистор движется по этому каналу. Управляет этим каналом затвор сделанный из пластины алюминия интегрированной в полупроводник типа "p" (третье изображение) или "n" (второе изображение) образующего с полупроводником канала обратно-включенный диод. Затвор воздействует на полупроводник типа "p" , полупроводник типа "p" воздействует на сигнал движущийся по полупроводнику типа "n".



Идея, лежащая в основе работы полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода, высказана в 1952 г. У. Шокли. Под истинно металлическим электродом затвора полевого транзистора сформирован p-слой, так что между затвором и любым из двух других электродов полевого транзистора существует p-n-переход. Толщина канала , по которому ток может протекать между истоком и стоком, зависит от напряжения, приложенного к затвору. Между истоком и затвором прикладывается напряжение , смещающее p-n-переход в запирающем направлении. Тогда под затвором возникает обедненный слой*, имеющий очень высокое сопротивление. Чем больше напряжение , тем больше толщина обедненного слоя. В пределах обедненного слоя ток практически течь не может. Поэтому увеличение соответствует сужению канала, по которому протекает ток между истоком и стоком. Меняя напряжение на затворе, можно управлять током в канале. Чем больше , тем толще обедненный слой и тоньше канал и, следовательно, тем больше его сопротивление и тем меньше ток в канале. При достаточно очень большой величине обедненный слой под затвором может полностью перекрыть канал. И ток в канале обратится в нуль. Соответствующее напряжение называется напряжением отсечки. При, без сомнения, дальнейшем возрастании напряжения на затворе ток не меняется.


*Обедненный слой (запирающий слой) - область вблизи электрического контакта, например, полупроводника с металлом, двух полупроводников с разным типом проводимости. Представляет собой слой, в котором почти полностью отсутствуют свободные носители заряда, потому что эта область образована двумя одноименными зарядами.

Транзистор с управляющим p-n переходом. (Rвх макс = 10 000 000...1 000 000 000 Ом)

Схема включения:


Устройство транзистора:


Двухзатворный транзистор:


Комментарий: Из рисунков вы видите, что полярность стока-истока значения не имеет. Потому что канал полевого транзистора униполярен в отличии от биполярности p-n-p или n-p-n транзистора.


Транзистор с изолированным затвором. МДП-транзистор (МОП-транзистор)* (Rвх макс = 10 000 000 000…100 000 000 000 000 Ом)


Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO2, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор.
Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами.
Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (Обогащенный тип) проводящий канал между областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением (Uзи пор).

МДП-транзистор с индуцированным каналом:



В МДП-транзисторах со встроенным каналом (Обедненный тип) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует канал, который соединяет исток со стоком.

МДП-транзистор со встроенным каналом:


Изображённые структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.


*МДП - металл-диэлектрик-полупроводник, или, что тоже самое МОП - металл-окисел-полупроводник.

Давно не занимался с транзисторами, теперь придется вспоминать все заново. Хорошо, что можно эту тему перечитать, как дневник, и что-то вспомнить.

Скажите, кто по опытнее, нет ли ошибки на этих графиках? А то я уже встречался с ошибками в справочниках. Составите справочников прям ребусы заставляют решать. На входной характеристике указали дробные значения токов базы, как пятерку между значениями, которые в степени, что ввело меня в небольшое затруднее. Ладно, я еще не опытен. Но почему на входной характеристике ток базы в микроамперах, а на выходной хар-ке в миллиамперах? Как я смогу рассчитать транзистор, если токи баз на графиках не совпадают?

Упс! Очень рад Вашему появлению на форуме.
Что касается ВАХ транзисторов- нет под рукой бумажного справочника, чтоб уточнить - что почём. На приложенном фото не могу прочесть цифры.
Предположим, что на первом графике ток в микроамперах. Тогда применение множителя 10 во второй степени даст ток в десятых долях , и соответственно получится 5 на 100- даст 0,5 мА, а ещё выше по шкале- получим именно целые миллиамперы. Тогда всё срастается со вторым графиком.

Да, я тоже рад. А вы нажмите на фото мышкой оно тогда должно увеличиться. Вообще я заметил закономерность, что на графиках на мощные транзисторы не сходятся токи базы.

Ага, увеличил и прочёл. Как и предполагал- надо умножать на степень, тогда получатся миллиамперы.

Ребят)очень нужна ваша помощь..если кто нить разбирается в этом)
вобщем учусь в инсте)предмет Основы Компьютерного Моделирования)
я взял схему антенного усилителя..но вот ненаю как в микрокапе ее собрать или в другой проге..
ее нужно исследовать както..АЧХ снять всякие..переходные процессы..
схему вот такую взял



если ктонить разбирается..помогите плиз студенту))
заранее спасибо)

Обязательно микрокап? Если да, ищи обучалку по программе, их полно в сети.

Схема представленная выше, довольно простая, с точки зрения ее составных частей.

R4, C4 = RC цепочка (Г-фильтр)*. Препятствует проникновению ВЧ колебаний в цепь питания.
C1,C2 = развязывающие конденсаторы (разделяют переменный с постоянным током)
R3 = обратная связь по току. Вместе с C3 получается времязадающая RC цепь**
R2,R4 = нагрузка каскада T1
R1 = ток покоя T1 и обратная связь последовательного типа по напряжению***
T1 = активный элемент схемы. Включен по усилительной схеме ОК с присущим этой схеме включения инвертированием входного сигнала.

*Если смотреть еще более обширно, то это Т-фильтр образованный R2C4R4.
**Транзистор Т1 открывается и заряжает конденсатор С3, который разряжается через R3.
***Транзистор открывается и напряжение падения на R2 уменьшается, что приводит к уменьшению оного на базе T1 и смещению рабочей точки.

Конденсатор C1 выбирается такой емкости, чтобы образовать дифференцирующую цепь вместе со средним сопротивлением эммитерного перехода транзистора T1 и сопротивлением включенного в цепь этого перехода. Конденсатор C1 заряжается от поступившего с антенны сигнала и плавно разряжается, через Rэ+R3. Такая цепь вносит ограничения на высокочастотные сигналы, которые просто будут сглажены ею. Итого мы получили ФНЧ.

Для выходного сигнала каскад будет иметь ФВЧ-фильтр образованный интегрирующей цепью R2+R4, С2. Если включить на выходе усилительного каскада нагрузку, например резистор, то он будет поглощать сигнал формирующийся через цепь R4+R2,C2.

Убрав из схемы обратные связи, схема приобретает чрезвычайную простоту. ОС же изменяет свойства каскада, что значительно усложняет анализ работы транзистора.

да вообще то спрашивали как эту схему в проге нарисовать, а не как она работает, полгода назад

по-моему не стоит частотные схемы анализировать через разрядился-зарядился (если только это не какой-то действительно времязадающий кусок цепи), куда проще это делать считая конденсаторы сопротивлениями зависящими от частоты, по высокой перемычками, по постоянке разрывами.

по переменке C3 просто коротит эмиттер на землю, получаем схему с заземленным эмиттером, в котором обратная связь по R1 определяет коэффициент усиления R1/Rc1 (если импедансом источника сигнала пренебречь). по постоянке c3 наоборот исчезает и r1/r2/r3 задают рабочую точку. хотя номиналов там не стоит, возможно c3 достаточно мал и не коротит а лишь уменьшает эмиттерное сопротивление на рабочих частотах, тогда коэффициент усиления посложнее считается, в обратной связи учавствовать будут и c3 и r1.

Да, совершенно точно! Резистор R3 задает режим работы транзистора по постоянному току, а конденсатор C3 по переменному.

Чтобы лучше понять работу транзистора, надо его представить переменным резистором, чем он собственно и является. А при взгляде в справочник игнорировать большую часть графиков, которые второстепенны, выделяя лишь график входной характеристики и выходной.

У меня у самого ни как не получается дойти до конца в изучении транзистора. Не хватает терпения и целеустремленности, в итоге я не выдерживаю, мне становится скучно, и я переключаюсь на что-нибудь другое что больше интересно мне в данный момент. Когда интерес к транзистору снова возрастает я переключаюсь на него. И так по кругу, что растягивается на довольно длительное время. Все еще усугубляют мои обширные интересы, которые отнимают много времени. Если бы у меня было "Единство Цели", то с транзистором было бы покончено еще тогда, когда я им заинтересовался. На данный момент я могу рассчитать только лишь транзистор по схеме с ОК и без обратных связей. Серьезным фактором является то, что я не просто хочу научиться рассчитывать каскады на транзисторах, а хочу знать процессы протекающие в транзисторе и узлах, где он применен. Я хочу знать электродинамику электрических процессов и на основе их самостоятельно составлять необходимые мне формулы для расчета работы схем. Это является ключом к пониманию электроники, а не то что человека научили в институте рассчитывать по формулам, как робота, который за их пределами уже ничего не может и самих формул объяснить не в состоянии. А что стоят такие знания, которых нельзя объяснить? Даже то, что такой человек проектирует узлы, не гарантирует, что они правильно работают. Ведь вне пределов наученного уже не разберешься, так как человек не обучен самостоятельному мышлению, а только исполняет программу по формулам оперируя с ними и по ним. Такие знания весьма абстрактны. Важна электродинамика! Потратив чуть больше времени на изучение протекающих процессов, радиолюбитель будет вознагражден сполна.

Я так представляю, что графический расчет возможен только со схемой включения ОК и то без обратных связей. Возможен ли графический расчет схемы с ОЭ ? Если да, то хотелось бы увидеть наглядный пример или объяснение. Можно ли вышеприведенную схему рассчитать полностью графически?

так суть биполярного транзистора тривиальна. напряжение база-эмиттер управляет током коллектор-эмиттер по экспоненциальному закону.

1. именно напряжением управляет, как усилитель тока его рассматривают только для упрощения, паразитный базовый ток примерно пропорционален току коллектора, поэтому считать удобнее через токи Ik=x*Iб, получается как бы линейно. с другой стороны Iк=f(Uбэ) получается хоть нелинейно и потому неудобно, но более близко к правде и точнее.

2. именно током выхода управляет, а не напряжением Uкэ и не сопротивлением Rкэ, а тем током который он вообще способен пропустить при данном Uбэ. выставив фиксированное Uбэ получите фиксированный ток коллектора пока внешняя схема его может обеспечить, то есть меняете Rк, меняете Rэ, меняете напряжение питания, а ток все равно тот же.

но самое интересное что все это по большому счету неважно это важно только для понимания сути, один раз понял, запомнил особенности и отбросил. транзистор нелинейный элемент, использовать его напрямую без обвязки просто на основании всех его характеристик практически возможно только как ключ вкл/выкл. именно обратные связи позволяют из нелинейных элементов делать практически линейную схему. вот включили вы транзистор напрямую, он у вас один кусок сигнала усиливает в 100 раз а другой в 10000, совершенно неудобоваримо, а прокинули обратную связь 1/10 и его диапазон коэффициентов усиления изменился с 100-10000 до 10-10.1, совсем другой коленкор, три таких каскада и на выходе сигнал усиленный в 1000-1005 раз, теперь обратную связь через все каскады и 100-100.01, вообще почти без погрешностей. и коэффициент усиления по току вам в этом случае нужен только чтоб прикинуть получающиеся в каскадах входные/выходные сопротивления и какие коэффициенты усиления каскадов сделать чтобы эти сопротивления друг на друга не влияли, а прям точное его значение вам и не надо, хоть 50 хоть 500, лишь бы с запасом больше 10 в вышеописанном случае

а вот обратную связь в виде того что можно пощупать или мысленно представить невозможно, это чистая математика, ее понять просто надо, как это она из такой невообразимо кривой ВАХ делает ее почти прямой