основное подозреваю это в малошумящих микровольтовых усилителях (mosfet на порядки шумнее jfet/jbt)
и линейность у mos в областях малых токов тоже сильно хуже.

ну и да, всякие схемотехнические удобства связанные со встроенным каналом, напр
генераторы тока с 1fet+1резистор итп.
(mos со встроенным каналом или скажем симметричные mosfet - большая редкость, если не сказать больше)), по крайней мере в виде дискретных компанентов )

Помогите пожалуйста. Вроде бы всё делаю правильно. Но Proteus как-то криво эмулирует работу P транзистора. Пульс 1Гц 0-0В и 1-5В. Светодиод в эмуляции моргает на пару миллисекунд. А должен Вкл и Выкл.

Вопрос. Я всё правильно делаю?

Черепашка, это особенности симулятора. Кинь с точки съёма осциллограммы большой резистор (1 МОм и более) на землю.

Да, всё заработало. Спасибо.

Я пытаюсь создать логический элемент, скоростной 1/8000000 сек. 10И элементов. Я правильно мыслю? Вот например на 2 элемента схема. На 10 же должна будет работать тоже?

Черепашка, при ваших номиналах Q2,Q4 будут насыщаться и жестчайше тормозить на выключениях, также затворы будут дико медленно разряжаться около порога через 47k.
возьмите инвертор с двухтактным выходом напр 74hc04 а лучше более мощный и его выходами управляйте затворами ваших p-fet, это будет много лучше.

а вообще для ~10MHz скоростей лучше взять 4OR или 4NOR (а лучше 4NOR x3 + 4NAND x1 =12OR ) элементы и сделать 2 каскада (3 в случае NOR-NOR) из серий 74lvc,hc,...

Да, спасибо. Получается если взять две микросхемы 74HC30 8И-НЕ и одну SN74LVC1G02 1ИЛИ-НЕ
получается неплохо по скорости. Вроде должны выдержать 8МГц и даже 10МГц

Вот так будет работать то, что ты нарисовал, на 10 килогерцах (а на мегагерцах):
сверху вход, снизу выход.

Поэтому дуру не гони, ставь нормальный симулятор, изучай структуру существующих базовых логических элементов, выясняй параметры интегральных транзисторов, сравнивай их с параметрами дискретных транзисторов, делай модели интегральных транзисторов, составляй схемы известных логических элементов в симуляторе, исследуй их, добейся примерного совпадения параметров твоих моделей с реальными элементами разных типов.
"И вот тогда из слёз, из темноты, из бедного невежества былого"
может быть достанет способностей на капельку улучшить что-то существующее.

это вы про транзисторы надеюсь. Какой из симуляторов посоветуете вы?

ПЛИС возьми и не парься. Или даже контроллер пошустрее.

Не про транзисторы, а про твою схему на транзисторах.
Если надо разработать схему на уровне транзисторов, то LTspice.

ну никак я не разберусь в теории полевых транзисторов.

Ещё один вопрос. Есть схема от переполюсовки на полевом транзисторе.



у меня питание двух 18650.

Подобрал транзистор.
IRF9310TR
его параметры.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0039 Ом/20A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5

Но есть один параметр, диода внутреннего.
VSD Diode Forward Voltage 1.2 V

Это что значит, если случится переполюсовка. а две банки Li-ion дают от 5.8В до 8,4В, то этот диод пробьёт и случится КЗ?

Не значит. При правильном подключении внутренний диод включен в прямом (forward) направлении, так что падение на нём БЫЛО БЫ 1.2 В, если бы сам мосфет не открылся, а он откроется. При неправильном к диоду прикладывается обратное напряжение, и он закрыт. Мосфет тоже закрыт, потому как управление ему не того знака.

Т.е. по факту этот транзистор вытерпит обратную переполюсовку от двух банок 18650?

Да. И по факту, и по теории.

по сути эта защита - частный случай идеального диода.
если Li-ion 2..4s то смело можно без защиты затвора зенером.

еще важно чтоб напряжения батареи хватило чтоб достаточно открыть fet для данного тока нагрузки (используя параметры Vgt max и S min )
для 2s при токах в неск A это уже может быть на грани.

и надо понимать что схема защищает только от переполюсовки батареи (предполагается что нагрузка подключена к этой защите без ошибок.

Там токи в пиках могут быть до 2А максимум ну в край 2,5А, я выбрал на 20А транзистор для подстраховки на случай (мало-ли). А так всё в схеме будет правильным.

Ещё один вопрос по теме полевых транзисторов. Есть ещё схема защиты по перегрузки и от КЗ на полевом транзисторе и компараторе. В принципе эта схема рабочая, но есть проблема. Эта скорее всего схема защиты по превышении мощности а не по току.
Я так понял она работает на принципе падения напряжения на открытом канале полевого транзистора. Но если поменять значения входного напряжения с 5 вольт до 8.4 вольт, то и падение на канале транзистора будет другим а следствие и срабатывать будет такая схема от другого значения тока.

Напряжение питания 5.6 Вольт
Rн 2.69161 Ом (сопротивление нагрузки для 2 А ток отсечки)
5,6 - 5,38308 = 0,21692 В (падение напряжения)
0,10846 Ом (расчётное сопротивление канала транзистора)

Напряжение питания 8.4 Вольт
Rн 4.12224 Ом (сопротивление нагрузки для 2 А ток отсечки)
8,4 - 8,24414 = 0,15586
0,07793 Ом

пугает обилие цифр после запятой. Температура изменится на пять градусов, и минимум две последних тоже изменятся

Да нечему тут пугаться. Просто в симуляторе подогнал циферки, чтобы выставить ток в 2 Ампера. Не более того. Мелочи.

ну, как скажешь. В реальности тоже подгонишь, и разброс производства, и температуру, и напряжение на затворе и ещё что-нибудь, а потом здесь снова задашь вопросы. Мелочи.