Однако, при настройке схем, все напругу на базах измеряют, а не ток. Я в жизни ток базы ниразу не измерял, НАХ нужно?

Сначала учимся формулировать вопрос.
1. Что значит "сколько вольт"? Вас интересует какое напряжение: максимально возможное, минимально возможное, ещё какое-то?
2. Что значит "нужно биполярному транзистору"? О каком напряжении речь? Одно напряжение подаётся в базу, другое питает коллекторную цепь (через нагрузку, так что на коллекторе будет уже другое напряжение).
3. Что значит "чтобы он работал в ключевом режиме"? Если он будет включаться раз в минуту - это один случай, если постоянно туда-сюда, ещё и с ШИМом - это совершенно другой с точки зрения нагрева. Надо уточнять этот момент.
4. Что значит "и не грелся"? Греться будет любой транзистор, по которому идёт ток, так что определяют допустимую температуру нагрева. Надо сформулировать требования по перегреву корпуса относительно окружающего воздуха. Нагрузка-то известно, какая?

Однако, при настройке схем, все напругу на базах измеряют, а не ток. Я в жизни ток базы ниразу не измерял, НАХ нужно?

много вы вопросов задали, прям как заядлый декан , а вот моего то одного вопросика даже понять не смогли.

По вашему что? транзистор Будет работать в ключевом режиме даже ЕСЛИ на него не подать управление???

прям как заядлый декан

много вы вопросов задали, прям как заядлый декан , а вот моего то одного вопросика даже понять не смогли.

Эх... опять дали рыбу вместо удочки. Ну да ладно, из этого котёнка, похоже, кот всё равно не получится.

Эх... опять дали рыбу вместо удочки.

1. Ключевой режим наступит тогда и только тогда, когда напряжение между эмиттером и коллектором В ОТКРЫТОМ состоянии составит примерно 0,2...0,5 Вольт (бывает и больше при очень больших токах). Это напряжение насыщения транзистора.
2. Чтобы выполнить пункт 1, нужно обеспечить падение напряжения в нагрузке (которая включена между коллектором и питанием) равное разности напряжения питания схемы и напряжения насыщения. Пусть питание схемы 12 Вольт, тогда на нагрузке должно быть 11,2...11,5 Вольт.
3. По закону Ома пункт 2 будет выполнен, если через нагрузку (через коллектор) будет течь ток равный отношению напряжения на нагрузке к сопротивлению нагрузки. Пусть нагрузка равна 100 Ом, тогда для нашего случая ток составит 11,2...11,5 Вольт/100 Ом = 0,112...0,115 Ампер (112...115 миллиАмпер).
4. Ток коллектора биполярного транзистора В ЛИНЕЙНОМ режиме ПРИМЕРНО равен произведению тока базы и коэффициента усиления по току этого транзистора (обычно от 20 до 200). Пусть у нас будет 50. Когда транзистор только "коснулся" точки насыщения, можно считать, что он еще в линейном режиме. Тогда ток базы у нас составит примерно 112...115 мА/50=2,24...2,3 мА
5. Источник сигнала в базовой цепи должен обеспечить ток базы по пункту 4. Для этого в базовой цепи включают последовательный резистор. Его величина зависит от напряжения источника сигнала. Пускай у нас будет 5 Вольт. Тогда сопротивление резистора составит (5-0,7) Вольт/2,24...2,3 мА=2000 Ом (2 килоОма). Здесь 0,7 Вольта - это падение напряжения на переходе база-эмиттер (этот переход по сути есть обычный диод) и оно будет вычитаться из напряжения управления, ибо включено последовательно с ним.
6. Все, что ранее написано обеспечит насыщение транзистора в самой начальной его точке (коэффициент насыщения равен 1).
Но при разбросе параметров транзистора и температурных зависимостях можно легко выпасть из насыщения, поэтому обычно коэффициент насыщения выбирают 2 и более, то есть ток базы в нашем случае стоит взять примерно в 3 раза больше - 7 мА. И резистор в базе окажется уже меньше: (5-0,7) Вольт/7 мА=620 Ом (привел к стандартному номиналу ряда сопротивлений).
Вот собственно и все.
ЗЫ. Внутреннее сопротивление источника сигнала получается включено последовательно с резистором базы и его нужно считать как часть этого резистора...
ЗЗЫ. Таки да, если уменьшить сопротивление нагрузки, то транзистор выскочит в активный режим, ибо тока базы может не хватить.
ЗЗЗЫ. Висящая база может привести к приоткрыванию транзистора и выходу его в активный режим. Поэтому базу обычно притягивают к эмиттеру резистором вменяемого номинала (в нашем случае достаточно 10 кОм).

А что если…

У кого-то такой ток базы у других другой…

Все, о чем я написал, легко и линейно масштабируется.
Но давайте исходить из ВАШИХ потребностей.
Что конкретно вам нужно?
Дело в том, что все ранее изложенное справедливо лишь для статического режима ключа. То есть при условии достаточно длительных периодов включенного/выключенного состояния.
При импульсных режимах работы все может быть достаточно проблематично.

Ток базы - это ВХОДНОЙ параметр. Он не зависит от используемого транзистора. Как его считать - я написал. Падение на Б-Э как на обычном диоде. Просто вычитаем 0,7 В и это будет достаточно хорошим приближением.

Понятно, что для уменьшения нагрева из-за переходных процессов желательно их сократить по длительности.