SKUF писал(а):
1. для создания ШИМ данные бп используют биполярный транзистор что в 2025 как-то не очень кпд ниже и пр.
В этом "пр." прячется бездумное поклонение мосфетам.
Но если посмотреть в даташитах падение напряжения на открытом ключе биполярного и
высоковольтного мосфета
то может наступить прозрение.
Обращу внимание на IGBT транзисторы.
Силовая часть у него биполярный транзистор почему то.
Что конечно удивительно в 2025.
Это потому что настоящие инженера без "пр." обходятся.
Трансформаторы надо не тулить какие попало, куда попало, а научиться делать такие как надо.