Замечательно! Именно об этом писал Вам Муркиз:
Только в его посте было гораздо больше информации, с которой Вам ещё предстоит разобраться. Не останавливайтесь на достигнутом. Продолжайте.

Ну с дифф. усилителем частично понятно, теперь вопрос в включении Q105 и Q107

А что с ними непонятно?

As, по какой схеме они включены ОЭ? Кстате про термокомпенсацию мне подсказали хорошую статью https://ru.wikipedia.org/wiki/Умножител ... за-эмиттер может кому то поможет

Конечно ОЭ, стандартное решение (и, на мой взгляд, не лучшее...)

насчет "ошибки на схеме": в принципе, транзистор открывается, если у него переход коллектор-база смещен прямо, а переход эмиттер-база - обратно

только у эмиттер-базового перехода обратное напряжение сравнительно невелико, но если на схеме не прикладывается большое обратное напряжение (более 5 Вольт), то всё ок

микрокап не симулирует такое включение, фигню пишет, а вот в реальности если одним мультиметром звонить К-Б (в прямом направлении), а вторым К-Э, то видно, что на К-Э в режиме диодов практически 0 Вольт

Добавлено after 17 minutes 19 seconds:

это работает только в случае, когда в цепи баз ДК включены полностью симметричные цепи, а так никто не делает, все занимаются умножением аддитивной наводки на Ку схемы

Добавлено after 4 minutes 3 seconds:
ну вот как обычно делают, у них на IN- заводится делитель ООС, а на in+ у них заводится сигнал от источника со случайным сопротивлением

подавления синфазной составляющей в таком случае нет, а имеется умножение аддитивной наводки от разности потенциалов между землей входа in+ (относительно которой подается сигнал) и землей выходной клеммы

as265, спасибо большое за ответ, но получается если например я на вход схемы подам сигнал и такой же сигнал на выход например с генератора сигнала то диф каскад этот сигнал не ослабит?

Не ослабит, поскольку вряд-ли ты сможешь помимо одинаковой частоты и обеспечить одинаковые фазы этих сигналов. В результате произойдет именно сложение сигналов, а не вычитание, то есть подавление.

Вот еще вопрос почему на коллекторе транзистора в дифференциальном усилителе и на коллекторе транзистора в схеме с общим эмиттером такие разные графики напряжения?

Верхний график это график на коллекторе транзистора и видно что он представляет собой обрезанную синусоиду, а не полную, почему? сигналы я одинаковые подавал 0.8 вольт в обеих схемах

А потому, что у дифа парный транзистор при работе ещё дополнительно, по сравнению с одиночным, ещё и на эмиттере напряжение меняет. Если в противофазе он работает, напряжение на эмиттере падает, смещение на первом транзисторе увеличивается , транзистор больше открывается...

я поэкспериментировал со схемой диф усилителя и пришел к выводу что дифференциальный сигнал 0.8 вольт по входам слишком большой, нужно подавать порядка 10 мв тогда график получается идеальным, а напряжение на эмиттерном резисторе 1k не колеблется.

Пока выяснил нижеприведенное, но остается много вопросов.
Q502 - это mute. Открываем jfet и замыкаем вход на землю.
Q121 - это индикатор перегрузки. Срабатывает когда на R158 напряжение превышает 0.7в
D21/D22 - это стабилизированные источники питания +-15в
Q101/Q103 Q102/Q104 - дифференциальный усилитель напряжения
Q105 - открывантся на положительной полуволне сигнала и смещает напряжения на Q108/Q109 в плюс
Q106 - смещает в минус
Q107 - аналог стабилитрона, на котором падает около 3в и он задает ток покоя выходных транзисторов.
Q108/Q109 - первый усилитель по току
Q110/Q111 - второй
R153/R154 - обратная связь, которая дает усиление в 12 раз.

схемотехнику проще изучать, когда есть возможность погонять модельки деталей и схемки в симуляции, погонять в тестовых схемах реальные транзисторы (как у них, к примеру, меняется граничная частота от изменения режимов)

основное правило - сложная система, состоящая из множества элементов, зависит от попадания параметров элементов в допуск, чтобы схема не разошлась за пределы по частотным характеристикам и по режимам на постоянном токе

также имеет смысл поизуать нюансы межкаскадных связей, способов набора усиления для охвата оос, способов коррекции/стабилизации частотной хар-ки внутри петли оос для обеспечения запаса устойчивости...

короче это все довольно долго, но с компом проще, чем без

и помнить еще, что словесные описания электронно-дырочных сношений в транзисторе теряют смысл, когда мы работаем в абстракции от этого, то есть с макропараметрами - с токами и напряжениями, а транзистор он с завода в корпус упакован, как в схеме себя ведет, и в каких режимах мы его используем (чтобы он работал хорошо и не горел)

и с наскока брать здоровенную схему в подробностях и на нее смотреть смысла нет, тем более с того же наскока будет непонятно, а она вообще имеет смысл такая, или это адепты симметрии принесли в жертву симметрии здравый смысл...

Понимание, как работает схема, никакие математические построения не дадут. Наоборот, только каша будет без понятия функциональных зависимостей. Вот поэтому у некоторых все время телега впереди лошади стоит.
И наше счастье, что таким не дано работать конструкторами. Примеры их деятельности весьма плачевны...

функциональные зависимости математически описаны, в макропараметрах

Добавлено after 3 minutes 33 seconds:

да, они думают, что в системах с ООС усиление, а не ослабление, и думают, что на входе первично, а на выходе вторично

Добавлено after 1 minute 36 seconds:
а еще они умеют "спускаться" не круче, чем -20 дБ/декада... и не знают, что можно круто спуститься, а в конце крутого спуска притормозить, чтобы не влететь куда...

Добавлено after 3 minutes 30 seconds:
и еще они во флудовом разделе больше пишут, чем в технических...

Добавлено after 5 minutes 22 seconds:
вообще я как будто бы говорю с человеком (хотя он себя с котом ассоциирует), который темой ваще не занимается, а только "пару" опубликованных в ужрналах и инете конструкций запустил. так убедился, что не свистнуло, пикушечки коррекции туда сюда, или как там обычно. в общем миллером, миллером, и типа все ок, можно идти других учить жизни и тому, как строить схемы усилителей