Ковыряю тут даташит на ардуиновскую мегу и задумался вот о чем: а до каких частот можно гонять ее шим, чтобы не перегружая порт напрямую пинать скажем затвор полевика? На 100 КГц осциллограф показывает довольно грустную картину - фронты далеки от прямоугольных...
_________________ Не важно чем все начнется. Важно чем кончится!
Драйвер это идея неплохая, но усложняет схему. Вот я и спрашиваю, с какой максимальной частотой можно пинать скажем IRF1405 - затвор у него тяжеленький весьма.
_________________ Не важно чем все начнется. Важно чем кончится!
то есть, то, что он при любой частоте будет переключаться кое-как, переходной процесс будет затянут, а при напряжении на затворе 5 В его харастики становятся значительно хуже - это неважно?
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Осциллограф 25 MHz АКИП-4115/1А? По крайней мере используйте щуп 1/10, с низкой емкостью. Должно есть другие типы импульсы. A и вход: MOSFET IRF1405 транзистор, с Ciss Input Capacitance 5480 pF!, используйте, как Martian писал выше, драйвер.
Я 1405 для примера привел. Насиловать его 4-мя МГц-ами это так себе затея. У меня в загашнике и повеселее транзисторы имеются, FB190SA10 например. Там затвор монструозный просто.
_________________ Не важно чем все начнется. Важно чем кончится!
12КГц шим? Как делал? У меня на 4 МГц шим с низким разрешением получился, учтите это. Вопрос по нагрузке на порты возник в процессе углубленного изучения возможностей микроконтроллера, я с таймерами поковыряться решил просто. 4 МГц это не предел.
_________________ Не важно чем все начнется. Важно чем кончится!
Самый тяжелый режим выхода будет при 50%-ШИМ-е. Будем считать, что выход имеет нулевое сопротивление. Значит при каждом полупериоде через выход будет проходить заряд - С = Q/U => Q = C*U. А за период - Q =2C*U. За 1 секунду пройдет заряд Q = 2C*U*N - где N число периодов. А заряд за секунду - это сила тока => I = 2C*U*F Значит предельная допустимая частота будет - F= I / 2C*U - где С - входная емкость тр-ра, U - амплитуда напряжения на выходе, Допустимый ток выхода.
если фронты на затворе завалены сильнее чем нужно то это означает что каждое переключнение транзистора ударяет по кристаллу неким доп тепловым импульсом, пропорционально произведению коммутируемого тока, напряжения и времени , ~= V*I*Ttrans/2 , в мощных схемах может хватить 1 такого импульса чтоб транзистор разлетелся вклочья, при небольшой коммутируемой мощности - тепловая энергия 1 такого импульса умножается на частоту следования переключений и получается (дополнительная) коммутационная мощность рассеяния.
смотрите ваш наклон фронта импульса между порогами по худшему случаю для вашего fet (Ttrans), Ptrans~=V*Imax*Ttrans*F для активной нагрузки (потому что частота переключений вдвое больше) и /2 для индуктивной(потому что "включения" индуктивности маломощные). добавляете среднюю статическую мощность на открытом транзисторе и смотрите норм ли суммарная с учетом того что с ростом температуры сопротивление канала растет.
да. например, резкое закрывание силового транзистора может в ряде случаев индуктивной нагрузки спровоцировать перенапряжение и пробить транзистор. Искусственный завал сигнала - один из вариантов решения. Хотя, сейчас, вроде бы, применяется иной, активный способ, в виде супрессора на затвор.
12КГц шим? Как делал? У меня на 4 МГц шим с низким разрешением получился, учтите это. Вопрос по нагрузке на порты возник в процессе углубленного изучения возможностей микроконтроллера, я с таймерами поковыряться решил просто. 4 МГц это не предел.
_________________ (Аль Котоне,кот ещё тот,Cattus Sapiens) Усы и хвост - мои документы. Кот - авторитет! Скажет "Мяу!" - не поспоришь. (скажи мне "мяу" и я скажу кто ты)
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 5
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
