Приведите обмоточные данные дросселя. Собирал на л6561 ккм до 400 ватт, как бы таких проблем не замечал. Но всегда делал модель с живимы данными дросселя, так как есть моделька л6561. Там zcd и подбиралось..
Заголовок сообщения: Re: Перегрев MOSFET в корректоре коэффициента мощности на L6
Добавлено: Сб май 17, 2014 14:25:43
Первый раз сказал Мяу!
Зарегистрирован: Ср май 14, 2014 13:40:45 Сообщений: 34
Рейтинг сообщения:0
Staska писал(а):
Приведите обмоточные данные дросселя.
Сердечник Е 25/13/7, материал Epcos N87, зазор на одной половине 1мм., другая без зазора, индуктивность 1.4 мГн, 110 витков основная обмотка, 15 вспомогательная, диаметр провода 0.3 мм.
Сердечник Е 25/13/7, материал Epcos N87, зазор на одной половине 1мм., другая без зазора,
Может зазор только на боковых кернах ? А то если так, то все плохо, так сердечник работает на половину.
Нужен зазор примерно по 0.5-0.7 с каждой половинки, для суммарного зазора 1-1.5 мм. Конденсатор параллельно вспомогательной обмотке убрать, обмотку уменьшить до 11-12 витков.
а где ты взял или как получил именно такие намоточные данные дросселя? а не многовато ли 15 витков? судя по даташиту, должно быть не более 11 витков. конденсатор параллельно обмотке выбросить однозначно. схему сделать точно по даташиту. картинка на затворе - еще не показатель. дай картинку на стоке.
_________________ Мудрость приходит вместе с импотенцией... Когда на русском форуме переходят на Вы, в реальной жизни начинают бить морду.
E25 при широком диапазоне питания дотянет и до 80 ватт, 40 с такой обмоткой точно выдаст. Но соотношение вспомогательной обмотки и кривого зазора - не есть гут.
но сейчас работаю над вариантами, где вывод ZCD через RC цепочку соединен не со вспомогательной обмоткой, а со стоком транзистора.
Цитата:
а где ты взял или как получил именно такие намоточные данные дросселя?
Пользовался статьей: А.Кузнецов.Трансформаторы и дроссели для ИИП. Рассчитал исходя из максимального пикового тока и требуемой индуктивности.
Цитата:
а не многовато ли 15 витков? судя по даташиту, должно быть не более 11 витков.
не многовато, если правильно рассчитать Rzcd, чтобы ток через вывод ZCD не превышал 1-3 мА. Уменьшать количество витков тоже пробовал, ничего не поменялось, даже 7-8 витков делал и Rzcd менял...
Цитата:
схему сделать точно по даташиту.
Схема сделана точно по даташиту, но номиналы пересчитаны на 40 Вт, потому что в даташите расчет на 80 Вт.
Цитата:
дай картинку на стоке.
Чуть позже будет.
Цитата:
Но соотношение вспомогательной обмотки и кривого зазора - не есть гут
Что значит " соотношение вспомогательной обмотки и кривого зазора"? При чем тут зазор и вспомогательная обмотка и какое там может быть соотношение? От зазора зависит ток насыщения дросселя и, соответственно, количество витков основной обмотки, а от количества витков основной обмотки зависит количество витков вспомогательной через коэффициент трансформации, который должен быть выбран таким образом, чтобы, как я уже упоминал, ток через вывод ZCD не превышал 1-3 мА.
Последний раз редактировалось Starichok51 Сб май 17, 2014 19:25:39, всего редактировалось 1 раз.
Но однако- схема на 80 ватт прекрасно работает и при 40 ватах, сердечник ведь такой же.. Я бы там только изменил сопротивление датчика тока. Но имхо, схема дубовая, и как то проблем такого рода вплоть до киловатта не было. Кстати, можно zcd и совсем выкинут. Почитайте про fot модуляцию.
Кстати, можно zcd и совсем выкинут. Почитайте про fot модуляцию.
вы ошибаетесь. В режиме FOT, о котором я писал несколькими сообщениями выше, вывод ZCD задействован. Вы можете обосновать необходимость перехода в данный режим при мощности меньше 100 Вт?
_________________ "То, что я понял, - прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, - тоже прекрасно". Сократ.
Заголовок сообщения: Re: Перегрев MOSFET в корректоре коэффициента мощности на L6
Добавлено: Вс май 18, 2014 00:03:17
Первый раз сказал Мяу!
Зарегистрирован: Ср май 14, 2014 13:40:45 Сообщений: 34
Рейтинг сообщения:0
Staska писал(а):
Но однако- схема на 80 ватт прекрасно работает и при 40 ватах
Это не так. Посмотрите таблицы в даташите, в которых приведена зависимость PF от входного напряжения при полной нагрузке (80 Вт) и половинной (40 Вт), там вы увидите что при 80 Вт и Uвх=220 В - PF~0.992, когда при 40 Вт и Uвх=220 В - PF~0.86.
Цитата:
Я бы там только изменил сопротивление датчика тока
И тут вы не правы. Если менять Rcs (токовый шунт), то необходимо пересчитывать и Rmulth (R4, R7) и Rmultl (R12), потому что мощность зависит не только от шунтов, но и от вышеупомянутых сопротивлений. Также придется пересчитывать и цепочку Control Loop обратной связи, т.к. она зависит от входной мощности.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения