Ну нифигасе, яж не так думал!!!...секунду...надо переформатировать мозг...

Если я потенциал базы сделаю таким же как и на коллекторе весь ток уйдёт в базу? Какую роль сыграет тот факт что база находится ближе к эмиттеру, до коллектора вообще ничего не дойдёт?

не уйдёт, т.к. электроны зарядены отрицательно, то их притягивают положительно заряженные ионы примесей на эмиттере и колекторе и отталкивают отрицательные ионы базы (транзистор нпн) отсюда и идут эти 0,6в падения на переходе - требуются для преодоления этого притяжения. но в коллекторе тоже положительные ионы и они сдёрнут электроны с базы при одиаковых на них потенциалах, потому и получается падение э-б =0,6в, а э-к может оказаться всего 0,2в.

Если на э-к 0,2в то транзистор полностью открыт, т.е. при равных потенциалах базы и коллектора всё равно через коллектор пройдёт большая часть тока ну тоеть соотношение огромное 99% к 1% значит повышение потенциала базы не чего не даст?

Defl, для перехода к практике вообще не нужно думать об электронах и дырках. На начальном этапе не обязательно голову забивать.
Но если нужна теория - вот.

Своринь, Айсберг, Хорвиц конечно путёвые книги но книге не задашь вопрос если непонятно!
практика идёт паралельно с теорией замеры с ОЭ я делал на реальной схеме.
а электроны и дырки не забивают голову так понятней да и изучать всётаки лучше с основ

Добавлено after 3 hours 56 minutes 41 second:
На входе каскада положителная полуволна синусойды на базе плюс, а это значить от базы оттянутся к примеру 30 электронов а на базе появилось 30 дырок это даёт возможность дополнительно к току покоя допустим 6000 эектронов из эмиттера прекинуть в коллектор в соответствии с соотношением h21=100, 3000 электронов, со стороны минуса входа эмиттер притянет 30 электронов со стороны минуса питания эмиттер притянет 2970 электронов. В каскаде получается две переменные составляющие первая: плюс вход, Б-Э, Rэ, минус вход-это 30 электронов, вторая: плюс питаня, Rк, К-Э, Rэ, минус питания - это 2970 электронов. Генератор тока в нагрузку будет выдавать 2970 электронов. Так верно?

Так совершенно непонятно, про что вы говорите. Нарисуйте схему, обозначьте токи и напряжения. Затем укажите, какие величины заданы, а какие надо найти.

Ну я просто хотел рассмотреть динамику с позиции электронов и дырок...
На входе положительная часть переменного сигнала, а это значит ток(электроны зелёная стрелка на изображении) пойдёт к плюсу и в переходе Б-Э образуются свободные дырки. Если так начать?

По ссылке - "Радиолюбителю о транзисторах". Там понятнее.
Вкратце - основной режим работы транзистора - с общей базой, а не с общим эмиттером.
База тонкая, и поэтому количество электронов и дырок в базе примерно одинаково для обоих переходов. Если открывается один переход - то открывается и другой.
Коэффициент усиления по току с общей базой (альфа) меньше единицы. То есть, ток коллектора всё же меньше тока эмиттера.

Дальше в книге рассматривается схема с общим эмиттером.
Вкратце - подаём ток базы - появляется ток коллектора. Но поскольку ток коллектора теперь проходит через переход Б-Э, то он ещё больше открывает этот переход, а заодно ещё больше открывает переход К-Э!
То есть, получается положительная обратная связь.
Сила тока не возрастает до бесконечности, потому что альфа меньше единицы. Чем ближе альфа к единице - тем больше коэффициент усиления с общим эмиттером (бэта). Из-за этого бэта - такой нестабильный параметр.

Но у первых советских транзисторов С1 и С2 и у зарубежных 2N25 коэффициент усиления по току с общей базой (альфа) был больше единицы.
http://www.155la3.ru/datafiles/s1.pdf



Как же тогда они работали?

Та же история и с транзисторами С3 и С4
http://www.155la3.ru/datafiles/s3.pdf

если мы всё ещё говорим про ОБ, значит ток в базу (пнп) должен втекать (причем неслабо, чтобы получит усиление 1,2 ток базы должен составить 1/5 тока эмиттера), препятствуя полному открытию транзистора...
если тут нет ошибки, то база получается с отрицательным сопротивлением - чем больше к ней приложить потенциал, тем меньше будет в неё ток... странно... конечно, я такого не видал, но это не значит, что это невозможно.
пс. в двойне странно, что такие транзисторы были, ча сейчас нет (или не популярны), так что скорее всего гдето тут ошибка.

Основное отличие. В схемах (npn) с ОЭ и ОК при входяшем переменном сигнале в переходе Б-Э появляются дополнительные дырки и по этому происходит усиление по току. А в схеме (npn) с ОБ при входяшем переменном сигнале в переходе Б-Э не появляются дополнительные дырки и по этому не происходит усиление по току?

А вы сами понимаете. что такое "дырка" откуда она берется и куда исчезает? Поясните. плиз.

Транзистору (его внутренностям) без разницы в какой схеме он работает, разница в том, как мы пользуемся законами его поведения. Если ты сигнал подаёшь в эмиттер, где ток большой - изволь и сигнал слать с хорошим током, а то затеряется, если в базу - то и ток нужен слабже, если сигнал снимаешь с эмиттера - не жди усиления по напрфжению э-б переход усиливает не больше диода... (и т.д.)
т.е. "переворачиваем" транзистор => "переворачиваем" формулы, описывающие его поведение, а электроны (дырки) как бежали в транзисторе, так и бегут.
Потому тебе и советовали не влезать внутрь, не считать электроны, а пользоваться транзистором "всборе" и законами его поведения, как цельного прибора.

Появление. На входе каскада положителная полуволна синусойды на базе плюс, а это значить от базы оттянутся электроны.
Исчезновение. Меняется полярность входного сигнала.

Добавлено after 37 minutes 40 seconds:


Согласен.

но в схеме с ОБ что бы мы не кинули в эмиттер слабый ток, хороший ток, суппер огромный ток, пока в переходе Б-Э больше дырок не появится весь этот гиганский ток не пройдёт в коллектор? ну логично же?

Первые транзисторы могли работать только с общей базой. Что, между прочим,написано в книге.
Может, коэффициент больше единицы был в резонансных схемах?

Defl, дырки и вправду запудрили вам мозг. Что за бред вы несёте?
Прочитайте лучше книгу, которую я указал, хотя бы начало.

https://www.youtube.com/watch?v=m_XJBY1XkyY&t=24s
посмотрел этт видосик и мне понравилось как объяснили использование транзистора в виде ключа-выключателя

но вот непонятно - при 0.5 - транзистор закрыт, при 0.6 - приоткрыт, при 0.65 - открыт - так сказал автор видосика


и я вот подумал, что если речь идет о регулировании, например яркости лампочки, то получается, для регулирование нужно обеспечить на базе от 0.5 до 0.65. Правильно понимаю?

оно-то правильно представляешь, только надо сидеть возле этого транзистора и постоянно крутить ручку
по мере прогрева транзистора и изменения напряжения питания....так что так никто не делает...

в том и вопрос КАК делают?

Делают регулятор с обратной связью. В случае питания лампочки проще всего реализовать ОС по току, установив в эмиттер резистор небольшого номинала - чтобы при максимальном токе на нём падал, скажем, 1 В напряжения. Если есть запас по напряжению источника, то падение лучше увеличить. В этом случае работа регулятора будет стабильная.

Грубо говоря - надо подавать не напряжение, а ток. Транзистор - токовый прибор, у него p-n переходы - диоды, на них надо подавать ток.
Но поскольку коэффициент усиления по току имеет разброс и нестабильность - то применяют обратную связь.
А подробнее тут, первый том.