Вопрос даже не о самой схеме, а о дросселе в цепи питания PIN-диода. PIN-диод включен последовательно в сигнальной линии. Питание диода в стандартном исполнении осуществляется через дроссели (один дроссель на общий, другой к источнику питания диода).

И тут возникла засада. Частота работы устройства 13 МГц. Требуемый импеданс дросселей примерно 3...4 кОм минимум (они по переменке включены параллельно, то есть суммарный шунтирующий импеданс будет в 2 раза меньше).
Все широко используемые дроссели с таким теоретическим импедансом (33...47 мкГн) имеют собственный резонанс в районе 15 МГц. То есть непригодны от слова совсем.
Я уже голову сломал что можно применить....

А что например мешает запитать через резистор?

старый вариант - второй дроссель 4,7 мкГн

Имеется входное общее питание 24 В и потребный ток диода 25 мА.
Такшта резистор будет, но он ничего не решает...

PiN Hi Power коммутатор



PiN Band Pass Filter коммутатор в немецком проф оборудовании




PiN Att в немецком проф оборудовании

Или набирать дроссель из 2-3 последовательно с разной резонансной частотой, или ставить дроссель на микротороиде ферритовом-у них значительного резонанса просто нет за счет поглощения ВЧ на частотах выше рабочих частот феррита. Ну или конусные индуктивности сверхширокополосные, но это на СВЧ только надо.

Сейчас, чтобы как то закрыть проблему, ставлю по 8 последовательных BLM21 1кОм. Что характерно, даташит обещает 1 кОм модуля импеданса на 100 МГц, но nanoVNA показывает 5 кОм. Зато на частоте 13,56 МГц вместо примерно 500 Ом получаем в 4 раза меньше. Такое ощущение, что это не мюратовский BLM21, а какое то китайское поделие.

Какая ВЧ мощность и какой рабочий ток открытых диодов? А то на нижних фото маломощные диоды и малая ВЧ мощность- там хоть через резистор управляй, а на другом фото коммутатор- ватт на 50 100 как минимум, там по несколько сотен миллиампер на диод летит, ну и дросселя совсем другие по конструкции.

Мощность максимум 5 Ватт.
Ток диодов 25 мА.
Закрываю реверсом полярности 12 Вольт.

25ма значит насыщение по току почти точно не будет. К сожалению частота не очень хорошая, поэтому скорее всего надо два дросселя последовательно лепить если серия большая. По принципу как у этих Bias-T (без лишних элементов конечно).

Неплохо вот такие дросселя себя ведут как ближайшие к ВЧ части.

Поэтому и спросил- ток рабочий диодов выбирает разработчик. А он может быть весьма разный. А от постояного тока сердечник мелких дросселей, тем более на ВЧ феррите без резонансов в области десятков МГц, легко входит в насыщение. Поэтому по уму нужен мостик RLC c возможностью подмагничивания постоянным током и снимать характеристику дросселя на рабочих токах. И если RLC c током до 100 ма еще можно найти, то с более высокими токами- проблема большая.

а почему именно диодный коммутатор? вроде 13MHz можно хоть fet коммутировать

длительность/скважность импульсов управления?

и почему коммутируется 5W вч а не их вкачивание/усиление?

Потому что:
1. Это антенный переключатель предназначенный крутить фазу на 180 градусов у одного канала относительно другого.
2. Это HF RFID ридер ISO15693 с дальностью до 1 метра. Из этого следуют чрезвычайные требования к фазовому шуму передатчика в районе поднесущей 423 кГц. Любой логический вентиль на пути сигнала - это беда. Триггер Шмитта вообще табу и харам.
Опять же делать два канала приемопередатчика по сравнению с делителем мощности и фазовращателем на 180 градусов - странная идея.
Вот фото ридера и коммутатора. Белым на ридере отмечен приемопередатчик, который должен быть удвоен без коммутатора.


Увы, на частоте 13 МГц ничего хорошего с мосфетами вы не получите. Даже ключ работающий в передатчике - это нетривиальный выбор. А уж аналоговый ключ на 5 Ватт в 50-омном тракте - и подавно.

Раз частота передатчика жестко фиксированная, то можно PiN диоды питать через параллельный резонансный контур с очень высоким импедансом на резонансе. Конечно прийдется на схему триммерные конденсаторы добавлять для подстройки резонанса и проверит сердечники чтобы резонанс не уходил от подмагничивания постоянкой. Ну и фронтами импульса надо будет разобраться- там задержки могут быть интересные из за контура, пока в нем фаза сигнала перевернется.

Полоса сигнала в переключателе примерно 900 МГц (2*423 кГц при одной поднесущей и 2*483 кГц при двух). Хотя несущая и кварцована с точностью туда-сюда 7 Гц. Это соответствует добротности 20. Какой должен быть Roe контура, чтобы получить искомое подавление?
Сейчас nanoVNA показывает КСВ по входу 1,03, по выходу без переключателя 1,04, по выходу с переключателем 1,25. Это следствие этих самых дросселей. Причем полоса гораздо шире 2 МГц. На экране при обзоре 2 МГц просто прямая почти горизонтальная линия КСВ.

чет торможу, несходится картинка у меня 5W 50ohm
>>> (5*50)**.5
15.811388300841896 (V)
>>> (5/50)**.5
0.31622776601683794 (A)

25mA это на порядок+ меньше ? (на 2+ порядка меньшая мощность)

Для того, чтобы она сошлась, нужно прочитать про PIN диоды.
Это не просто диод. Это ВЧ резистивный диод.

забавно, не проектировал такие коммутаторы, но пользовался и даж чинил не зная что не понимаю как они работают
https://www.ieee.li/pdf/essay/pin-diode ... switch.pdf

А если сделать так как деды делали когда у них ферритовых бусин еще не было? Резистор в параллель дросселю, дабы зарезать добротность возможной колебательной системы. Достаточно будет сопротивления на порядок выше индуктивного сопротивления дросселя.