Заголовок сообщения: Re: Все о биполярном транзисторе.
Добавлено: Чт май 08, 2025 19:13:24
Опытный кот
Зарегистрирован: Вс мар 23, 2025 14:56:55 Сообщений: 700
Рейтинг сообщения:0
Если не требуется гальваническая изоляция... Но разве не проще развязать базу диодами? Получим классическое ИЛИ. Вряд ли диоды не позволят уйти транзистору в режим насыщения
Поставьте ещё один PNP транзистор, включенный по такой же схеме, коллектора обоих соедините вместе и подсоедините туда двигатель.
Напряжение с двигателя через переход К-Б придёт на Выход не работающего МК. Выходы обоих МК через резисторы подключить к Базе 1 транзистора, используя запас его усиления по току. Или использовать составной, а лучше Шиклаи.
_________________ Свежий взгляд из прошлого тысячелетия.
если 2 диода катодами на 2 gpio разных mcu аноды вместе и через резистор ~300R (или сколько надо, с учетом Vcc, hfe_min, I_load_max) на базу pnp
то возникает проблемка с выключением питания, тогда транзистор будет открывать ток питания выключенного mcu, который потечет через верхний fet gpio и диод
примерно то же самое будет с 2мя транзисторами.
если же 2 диода запирают транзистор то возникает проблемка с потреблением тока для базы все время когда мотор выключен. если это проблема то можно использовать p-fet и 10..100k pulldown затвора.
а из радикального: самый забавно-оригинальный вариант это выключать питание mcu разрывая земляной провод , тогда первая схема будет работать ок
а самый обычный вариант - это питание мотора разрывать снизу, npn или n-fet , тогда управление отсчитывается от земли (а не от Vcc) и классическое диодное ИЛИ {ну или ИЛИ на 2х запараллеленных транзистора) не создает противоречий с питанием mcu и устройством gpio.
Не должен он ничего. Усиление такого каскада приблизительно равно отношению сопротивлений нагрузки, включая коллекторный резистор, к сопротивлению эмиттерного резистора - понятно, что получается меньше единицы, что мы и наблюдаем в симуляторе. Кстати, сопротивление обоих коллекторных резисторов слишком большое для столь низкоомной нагрузки.
По какой теории? Не знаю я такую теорию. Сам по себе транзистор ничего не даёт, он может усиливать только в каскаде, вместе с другими компонентами, и понятно, что усиление будет определяться прежде всего номиналами этих компонентов, а не 90*90=8100. Заметьте, что, изменив номиналы, вы получили совсем другое усиление, чем было вначале. Но и вместе с этим получили жуткое искажение формы сигнала, причину которого, замечу, легко понять, если немного поизучать предмет.
_________________ И хрюкотали зелюки, Как мюмзики в мове.
fasmon, попробуйте сверху (в коллектор, вместо 250R ) резистор 3k а к базе смещение через резистор 5..10M (вместо 67k) остальное не меняйте. это для вашей версии с 4k нагрузкой.
(для нагрузки 1R эту схему усиливать напряжение с такими транзисторами в реальном мире заставить нельзя, Ic_max будет превышен многократно)
Ну, вот я и добрался до транзисторов, пока биполярных. Прошу помощи. 1. Пишут, что это схема с ОК. Получается, что ОК - это если нагрузка стоит после эмиттера? Потому что где тут общий коллектор - в упор не вижу... 2. Высокое входное сопротивление схемы - это из-за Re последовательно с БЭ? 3. А низкое выходное - потому что выходной ток идёт через КЭ и потом на Vout, в обход Re, так? 4. А если к Vout будет подцеплена низкоомная нагрузка, то Vout снизится? Ведь схему можно рассматривать как делитель напряжения, верхнее плечо - КЭ, нижнее - Vout-земля. Правильно я понимаю?
и Vin и Vout здесь можно отсчитывать и от земли (низа Re) или от любого другого потенциала связанного с ним константой, например и от V+, который (независимо от сигнала) отличается от земли на напряжение питания. другими словами и Vin и Vout можно отсчитывать именно от коллектора, который в этой схеме и является общим для входа и выхода. (на нем единственном потенциал не зависящий от сигнала)
romserg, ---4. А если к Vout будет подцеплена низкоомная нагрузка, то Vout снизится? Ведь схему можно рассматривать как делитель напряжения, верхнее плечо - КЭ, нижнее - Vout-земля. Правильно я понимаю?---
Напряжение на Э относительно Б мало изменяется даже при больших изменениях тока Э-К (это свойство транзистора). То есть , малое падение напряжения при любых токах и есть малое выходное сопротивление. Зависит оно от сопротивления источника сигнала, Кус по току транзистора, тока К-Э и др., точнее по формулам. Примерно постоянное (не зависимо от тока К-Э) смещение Б-Э (0,2-0,3 В для германия и 0,6-0,7 В для кремния) не входит в понятие "выходное сопротивление" (по переменному току (сигналу)).
_________________ Свежий взгляд из прошлого тысячелетия.
romserg, на такой вопрос есть два варианта ответа: или своими словами пересказать главу из популярной книжки, или посоветовать одну из книжек. Вы что-нибудь по теме уже читали? Если да, то что?
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
romserg, на такой вопрос есть два варианта ответа: или своими словами пересказать главу из популярной книжки, или посоветовать одну из книжек. Вы что-нибудь по теме уже читали? Если да, то что?
Я смотрел видеоролики у HiDev, а в книжках, думаю, сложнее. Сейчас читаю также Хоровица Хилла, но пока трудно всё уложить в голове. Суть транзистора-то я понял, принцип действия, а вот разобраться в токах-напряжениях именно схем не так просто.
Пока меня интересует транзистор как регулятор мощной нагрузки, а не усилитель звука, с этим бы разобраться. Вот какую схему - ОЭ, ОК или ОБ - лучше использовать для управления мощной нагрузкой?
Что вы называете управлением нагрузкой? Если вкл-выкл, то общий эмиттер практичнее. Если регулирование яркости лампочки - возможны варианты. Эмиттерный повторитель или источник тока. У ХиХ обе схемы расписаны подробно. Что именно вас интересует? Чтобы не говорить сразу обо всём, лучше начать с конкретной задачи.
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
Вот какую схему - ОЭ, ОК или ОБ - лучше использовать для управления мощной нагрузкой?
про ОБ для усиления(=регулирования) мощности для НЧ - сразу забудь. это включение дает преимущество только на частотах близких к предельной для транзисторов и не усиливает ток, это оочень неудобно и соответственно применяется только в крайних случаях. я применял ОБ для силовых ключей для неинвертирующего конвертора уровней в управлении ключем, иногда для нивилирования Эрли применяют ОБ, но это довольно специфические применения, требующее не-начальных знаний
ОК(или ОС) - не усиливает напряжение (управляющее напряжение = выходному) и эта схема не позволяет простыми способами минимизировать потери на транзисторе в полностью открытом режиме. зато это простой способ получить неинвертирующее усиление тока.
ОЭ(или ОИ) - усиливает и ток и напряжение, и обеспечивает минимальные потери открытого ключа, чаще всего для силовой коммутации применяют именно его . и это включение - единственное инвертирует сигнал (это может быть хорошо или плохо, просто нужно это иметь ввиду). без четкого понимания "зачем", другие схемы выбирать не нужно.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения