В книгах, в справочнике, в даташите.

сложно сказать что такое ваты в справочнике по транзисторам

Ватты они и в африке.

Сложно скачать книгу типа "юнному электронщику" ?

Справочник Москатова. http://www.moskatov.narod.ru/Books.html

В справочниках так не пишется или это очень плохой справочник. Так обычно пишут в прайс-листах. Ну а в прайс-листах доверять можно только графе "цена". Да и то не мешает найти где-нибудь в уголочке мелкий шрифт: "Без НДС, на момент хххх"

именно так написано )

Биполярные транзисторы
fгр – граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль
13
коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к
единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на
частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон
изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
fh21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по
сравнению с его низкочастотным значением.
h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных
постоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме с
общим эмиттером.
h21э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого
сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к
вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания
выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.
Iк – ток коллектора транзистора.
Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.
Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и
эмиттера. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении
коллектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.
Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи
коллектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутом
выводе базы.
IкэR – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база –
эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении
коллектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер.
Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база –
эмиттер.
Iэ – ток эмиттера транзистора.
Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора
транзистора.
Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.
Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.
Кш – коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение
мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми
шумами сопротивления источника сигнала.
Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.
Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
14
Рк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
Q – скважность.
Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.
tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся
суммой времени задержки и времени нарастания.
tвыкл – время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между
моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на
коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его
амплитудного значения.
Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора.
Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора.
tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между
моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на
коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Uкб – напряжение коллектор – база транзистора.
Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база при
токе эмиттера, равном нулю.
Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база
при токе эмиттера, равном нулю.
Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при
разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UкэR.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при
заданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора.
Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение между
коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер.
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора.
Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база при
токе коллектора, равном нулю.



тут по мощности много параметров а какой жеш у меня в справочнике написан

чем больше рассеиваемая мощность транзистора тем ??? что ???

Тем она больше.

Нужна проверка.
На основе эмиттерного повторителя, к базе которого подключен делитель напряжения, создать схему источника напряжения +5В
при условии, что используется стабилизированный источник питания +15В. Ток нагрузки (максимальный) равен 25мА. Сопротивления резисторов следует выбрать так, чтобы при подключении полной нагрузки напряжение на выходе изменялось не более чем на 5%.
Iэ=25 мА, h21э=100
Iэ= Iб+ Iк= Iб(h21э+1),
Iб= Iэ/( h21э+1)=0.247 мА
Rэ=5В/25мА=200 Ом
Uб= Uэ+0.6=5.6 В
Rб= (Ucc-Uб)/ Iб=9.4В/0.247 мА=38 кОм
Rб= (R1*R2)/R1+R2
R1,R2 - ?
Как подобрать сопротивления резисторов, чтобы при подключении полной нагрузки напряжение на выходе изменялось не более чем на 5%?


А вот еще интересная: разработать стабилизированный источник напряжения + - 10В для токов нагрузки величиной от 0 до 100мА. Входное напряжение при этом изменяется от 20 до 25В. В любых условиях через стабилитрон должен протекать ток 10мА. На какую предельную мощность должен быть рассчитан стабилитрон?
P={(Uvx-Uvux/R)-Ivux}*Uvux

Какая это уже тема по счету про "объяснение работы транзистора"? Есть идея. Чтоб все видели, давайте создадим объявление с заголовком ТАК РАБОТЕТ ТРАНЗИСТОР и соответствующим содержимым.

Сделал диаграмму кратко поясняющую
как работает биполярный транзистор.



Часто необходим ключевой режим работы транзистора - т.е.
включен-выключен.

Если Эмитер заземлен и нагрузка подключена к положительному питанию и Коллектору транзистора, то для примерного расчета необходимого ток базы нужно:

- определить ток который будет протекать через транзистор во включеном состоянии по напряжению питания и

параметрам включаемой нагрузки. Например питание 12 вольт, нагрузка автореле-кубик с сопроивлением 85 Ом. Ток во
включеном состоянии будет около 12/85 = 0.14 А

- выбрать транзистор с запасом по току, максимальному напряжению
К-Э и рассеиваемой мощности. Возьмем КТ815 с током коллектора
1 А и достаточным напряжением К-Э для работы при
питании 12 вольт.

- определить по доументации минимальный коэф усиления этого транзистора при токе 0.14 А и минимальной температуре транзистора при эксплуатации. Пусть мы нашли число 30.

- Вычислить ток базы 0.14 / 30 = 4.7 mA

- увеличить ток базы в 2 раза для обеспечения запаса.
Значит нужен ток базы 9.4 mA

Пусть транзистор управляется от МК который по даташиту
выдает напряжени 4.8 вольт при токе 9.4 mA

- Расчитаем резистор между базой транзистора и выводом
МК предпологая что напряжение Б-Э составит 0.7 вольт.
(4.8 - 0.7)/0.0094 = 436 Ом

Можно использовать резистор на 430 или 470 Ом.

Для защиты транзистора от перенапряжения в момент выключения реле нужно зашунтировать обмотку реле диодом - например 1N4001 подключив анод диода к коллектору.


Вот схема:



"1" на выходе МК открывает транзистор и включается реле.
"0" на выходе МК прекращает ток через базу и транзистор закрывается. Энергия запасенная в магнитном поле катушки реле рассеивается в цепи катушка - диод.


Напомню что ножки AVR "тянут" ток 20 мА, PIC 25 мА, а msp430 и ARM всего по 4 мА.
Ножки МК можно включать параллельно !

Вот примерное описание работы полевого транзистора - MOSFET.



Можно распечатать на листочке и положить в рабочий журнал

Более подробно и правильно в даташитах, в учебниках,
в книгах, в справочниках.

Тыч описание работы транзисторов оболдеть особоно с анимацией. Пареньку будет понятнее провести расчет его эмитерного повторителя с анимацией. Тогда и дятел поймет.

Спсибо !

Тыч Пожалуйста! А вообще хорошо этот материал закинуть в обучалку для всех ребятишек и вопросов будет меньше,и спосибо скажут. Конкурс конкуром все равно приз один на всех не хватит, а благодарность огромная.

А есть ли что либо похожее на "Транзистор? - Это просто!" только по полевикам?

Значица объявления не будет?

Есле серезно хорошего обяснения работы транзистора и его ПРИМИНЕНИЯ
практически нет, то что база-емитерный ток управляет колектр-емитерным током ничего практически не говорит и об упоминание низкого входного и высокого выходного сопративление вобше нет ни слова ни в одном описание в интернете, транзистор нельзя обяснить за 5 минут, по этому прилагаю вместе написать подробную обучаюшию статью
где не будет говорится подай ток на базу получииш ток во столько раз больше, это не дело сами подумайте. Вобше создается впечатление читая книги что автора детально сами не знают как оно работает