Мелкие вопросы по теории
- Сообщения: 978
- Зарегистрирован: Пн ноя 27, 2006 07:52:01
Mosfet 2007, пожалуйста, перерисуй схему поаккуратнее. Что-то ты там по-моему перемудрил! 
Питаюсь копытными. Как исчезающий вид занесён в Красную книгу МСОП. Почему до сих пор не занесены в Красную книгу инженеры и учёные РФ?
- Реклама
Это Gate Threshold Voltage? Там от -2 до -4. Что это означает?tych писал(а):Меньше чем "трешолд волтаж" - т.е. обычно меньше 1.5 вольт разности он закрыт - уточните в Даташите.
P.S. Как я понял, Gate Threshold Voltage переводится "Порог напряжения затвора"
Гальваническое сопротивление - это восстание батареек
Напряжение переключения транзистора.
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru
Это значит что при напряжении от -1 до +20 (примерно, нужно смотртеь допустимое напряжение на затворе в дш) вольт - он точно закрыт.Steam писал(а):Это Gate Threshold Voltage? Там от -2 до -4. Что это означает?tych писал(а):Меньше чем "трешолд волтаж" - т.е. обычно меньше 1.5 вольт разности он закрыт - уточните в Даташите.
Для n-MOSFET будет от +1 до -20 вольт примерно.
Последний раз редактировалось tych Вт ноя 20, 2007 20:33:25, всего редактировалось 1 раз.
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru
Для Ирбиса: я не перемудрил, пары транзисторов с необходимыми защитными диодами притягивают необходимые выводы светодиода и обязательный резистор куда надо, переполюсовок транзисторов нет. Подразумевается невозможность одновременной подачи управляющего сигнала на оба входа управления. Постоянно открыта только одна из пар транзисторов 
- Реклама
имхо, достаточно 2 транзистора, 2 резистора и двуполярный светодиод... ну, если учесть резисторы в базовых цепях, то 4 резистора
перемудлил в схеме явно
если рассматривать человека снизу, покажется, что мозг у него глубоко в жопе
при взгляде на многих сверху ничего не меняется...
Мой уютный бложик... заходите!
при взгляде на многих сверху ничего не меняется...
Мой уютный бложик... заходите!
- Сообщения: 978
- Зарегистрирован: Пн ноя 27, 2006 07:52:01
Mosfet 2007, так нарисуй сам, а не перекладывай ответственность на Мурку-бандитку!
Я прошу просто нарисовать схему поаккуратнее.
Ты же сначала сказал, что у тебя выходы с двух компараторов, сейчас ты что-то другое изобразил. 
Питаюсь копытными. Как исчезающий вид занесён в Красную книгу МСОП. Почему до сих пор не занесены в Красную книгу инженеры и учёные РФ?
Пардон, что встреваю в ваш разговор, но создавать отдельную тему под данные вопросы, наверное, не нужно. Были уже похожие темы, но всё же, это не совсем то.
1) Почему входное сопротивление транзистора подключённого по схеме с ОЭ на порядок больше, чем по схеме с ОБ? Ведь если под входным сопротивлением транзистора подразумевается, сопротивление которое создаёт приграничный потенциал перехода эмитер-база, то в случае с ОЭ оно должно быть даже меньше, так как сумарный потенциал действующий на этот переход больше, чем по схеме с ОБ. Обеднённые шары стают уже, сопротивление уменьшается...
2) Аналогично, почему выходное сопротивление транзистора подключённого по схеме с ОЭ на порядок меньше, чем по схеме с ОБ?
Ведь опять-же таки, если под выходным сопротивлением транзистора подразумевается сопротивление перехода база-колектор, то в случае с ОЭ оно должно быть больше, чем при ОБ. Так как ток, протекающий через этот переход намного больше, чем в варианте с ОБ. Это должно привести к разширению обеднённых шаров и увеличению сопротивления. Всё как-то зеркально получается... Или я просто не понимаю, что такое входное и выходное сопротивление транзистора.
P.S. Чтобы не путаться, разматривается npn-транзистор.
1) Почему входное сопротивление транзистора подключённого по схеме с ОЭ на порядок больше, чем по схеме с ОБ? Ведь если под входным сопротивлением транзистора подразумевается, сопротивление которое создаёт приграничный потенциал перехода эмитер-база, то в случае с ОЭ оно должно быть даже меньше, так как сумарный потенциал действующий на этот переход больше, чем по схеме с ОБ. Обеднённые шары стают уже, сопротивление уменьшается...
2) Аналогично, почему выходное сопротивление транзистора подключённого по схеме с ОЭ на порядок меньше, чем по схеме с ОБ?
Ведь опять-же таки, если под выходным сопротивлением транзистора подразумевается сопротивление перехода база-колектор, то в случае с ОЭ оно должно быть больше, чем при ОБ. Так как ток, протекающий через этот переход намного больше, чем в варианте с ОБ. Это должно привести к разширению обеднённых шаров и увеличению сопротивления. Всё как-то зеркально получается... Или я просто не понимаю, что такое входное и выходное сопротивление транзистора.
P.S. Чтобы не путаться, разматривается npn-транзистор.
- Сообщения: 978
- Зарегистрирован: Пн ноя 27, 2006 07:52:01
noname Incognito, прочтите в учебниках о параметрах 4-х полюсника, затем посмотрите, какие параметры указываются в справочных данных транзисторов и опять же прочтите в учебнике об основных схемах включения транзисторов. 
Питаюсь копытными. Как исчезающий вид занесён в Красную книгу МСОП. Почему до сих пор не занесены в Красную книгу инженеры и учёные РФ?
Посмотри про MOSFET-ы - http://www.radiokot.ru/forum/viewtopic. ... 3395#73395
Если источник тока нужен то его можно сделать на регулируемом регуляторе напряжения - LM317 например.
Прарллельно R2 лучше стабилитрон поставить на 12-15 вольт а резистор токоограничения ставь от 50 вольт питания.
Если источник тока нужен то его можно сделать на регулируемом регуляторе напряжения - LM317 например.
Прарллельно R2 лучше стабилитрон поставить на 12-15 вольт а резистор токоограничения ставь от 50 вольт питания.
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru
это часть схемы зарядки конденсатора. Просто не показал нагрузку конденсатора, которая комутируется через тиристор. Тут транзистор выполняет функцию реле. А зачем нужен стабилитрон?
Как можно сделать индикацию того, что конденсатор заряжен? Например должен загореться светодиод. Просто поставить компаратор?
Как можно сделать индикацию того, что конденсатор заряжен? Например должен загореться светодиод. Просто поставить компаратор?
Гальваническое сопротивление - это восстание батареек
Или TL431
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru
Можно поставить конденсатор на З - И и транзистор будет плавно открываться и конденсатор будет плавно заряжаться.
Примерное время будет R2 * конденсатор параллельно ему.
Примерное время будет R2 * конденсатор параллельно ему.
Думайте сами, решайте сами ... а вот он-лайн перевод на корявый русский http://translate.ru
Такие уже есть и делать ничего не нужно.Steam писал(а):Как можно сделать индикацию того, что конденсатор заряжен?

1 фарада.
люди, расскажите, откуда вы берете мозги? я бы тоже туда сходила. А если серьезно, может кто знает где взять теорию плоского несимметричного диэлектрического волновода, а то везде мизерная информация, хотелось бы чего-нибудь более глобального.
Зайти на поисковую машину www.nigma.ru ;в окне поиска набрать плоский волновод теория, выбрать "поиск в библиотеках" , нажать кнопочку "поиск"и просмотреть 4 страницы ссылок по этой тематике...
Спасибо большое!! очень большое, а то я прям растерялась)



