ПТ в диодном включении нецелесообразно использовать при входном сопротивлении порядка 1МОм.
Вот в вольтметрах, где оно более 10МОм, там да - каждый пикоампер на счету
Если полевиков жалко - можно взять переход К-Э биполярного транзистора и использовать его как стабилитрон. Напряжение стабилизации - 6-8 Вольт. К-Э переходы двух n-p-n транзисторов включаются встречно параллельно между затвором входного ИП и общим проводом. Я такое включение проверял - ограничение работает.
Можно взять диоды КД503А, по одной штуке, присоединив их к шинам +/- 5В, а если их ёмкость не устраивает - включить их последовательно по несколько штук, как сделано в осциллографах С1-76, С1-96 итп.
Здравствуйте уважаемые спецы! Очень нужна ваша помощь...нужно засветить трубу 8ло6и для проверки работоспособности, если не трудно прошу выложить понятную схему подключения этой трубки или ссылку на данную схему...
Если полевиков жалко - можно взять переход К-Э биполярного транзистора
не К-Э а Б-Э причем не люблго а кремнего эпитаксиално планарного и то не любого-проверяй те ВАХ
например у кт 203 208 209 501 502 пробой лавиной будет гдето при 40-50в и необратим
а вот 312 и 315 имеют около 7,5в и работают годы -есть примеры применения в пром устройствах хотя это не рекомендовано
ZМудрость(Опыт и выдержка) приходит с годами.
Все Ваши беды и проблемы, от недостатка знаний.
Умный и у дурака научится, а дураку и ..
Алберт Ейнштейн не поможет и ВВП не спасет.и МЧС опаздает
Пожалуйста объясните, почему приложенная схема ограничителя входного сигнала, осциллографа HeathKit-IO4541, собранная на паре встречно-параллельно включённых переходов К-Э, биполярных транзисторов, ошибочная и не может быть использована в радиолюбительских измерительных приборах.
Давайте разберёмся.
Прежде всего, не существует «К-Э перехода». Там два перехода последовательно: переход Э-Б, и переход К-Б, и они включены последовательно. Если база никуда не подключена, то это как два последовательно и встречно включенных диода. Какой полярности вы бы ни подключили напряжение, один из переходов будет смещён в прямом направлении, второй — в обратном. Пробивается тот, что в обратном. Падение напряжения на прямосмещённом переходе — 0,6‒0,7 В.
Переход Э-Б пробивается при меньшем напряжении, чем напряжение пробоя перехода К-Б. Когда вы измеряете напряжение пробоя так называемого «К-Э перехода» 7,2 В — это 6,6 В между базой и эмиттером и 0,6 В между базой и коллектором.
Почему база не закорочена с коллектором на приведенной вами схеме — я не знаю. И почему вы таким образом измеряете напряжение пробоя.
То, что, формально, между коллектором и эмиттером два перехода, я знаю. Просто так удобнее писать.
Не совсем понял фразу "И почему вы таким образом измеряете напряжение пробоя."
Напряжение пробоя я измеряю вольтметном, подключённым к коллектору и эмиттеру транзистора.
Токоограничительный резистор - 100КОм, как на схеме. От ЛБП даю напряжение. После достижения 7,22В, рост напряжения на выводах транзистора прекращается.
ВикторС писал(а):То, что, формально, между коллектором и эмиттером два перехода, я знаю. Просто так удобнее писать.
Это может запутывать или вводить в заблуждение поскольку выражение «К-Э переход» терминологически некорректно.
ВикторС писал(а):Не совсем понял фразу "И почему вы таким образом измеряете напряжение пробоя."
Как правило, используется или эмиттерный переход, или коллекторный. Зачем вам нужно напряжение на двух переходах? Почему вы измеряете напряжение между коллектором и эмиттером? Какая выгода или преимущество может быть в использовании добавочного прямосмещённого перехода? Возможно, ради температурной стабильности?
В общем-то да, есть резон.
У Роберта Пиза в книге «Практическая электроника аналоговых устройств» глава 6 посвящена диодам, применение p-n переходов транзисторов в качестве диодов рассмотрено довольно таки подробно.
Кстати говоря, на очень многие маломощные транзисторы в даташитах указывается максимальное обратное напряжение перехода Б-Э около 4-6В. Где-то выше область лавинного пробоя.
Впрочем, резона так извращаться я не вижу - лучше BAV199 подпираемые параметрическими стабилизаторами. И ёмкость небольшая, и обратный ток, и можно регулировать напряжение ограничения.
Andrew Martin писал(а):лучше BAV199 подпираемые параметрическими стабилизаторами. И ёмкость небольшая, и обратный ток, и можно регулировать напряжение ограничения.
Брррр... А можно поподробнее? Не доходит что то (спать уже пора идти)...
Предположим, напряжение питания входного ИП - +/-12В. Мы хотим, чтобы на затвор ПТ приходило, например, не более половины питающего напряжения. Тогда берём два стабилитрона на 5,6В и два резистора, по 1,2 Ком. Резисторы подключаем к общему проводу, стабилитроны - между резисторами и шинами питания +/- 12В. Защитные диоды включаем между затвором ПТ и точками соединения стабилитронов с резисторами - там напряжение стабилизации 5,6В. При достижении, входным напряжением, уровня ок. 6,2В. Цепочка из диода и стабилитрона открывается, и излишек входного напряжения сливается на шину питания.
