А что, собственно, удивляет?
Rds этого МОСФЕТА при температуре 25 градусов составляет 0,06 Ом, а значит падение на нем при токе 4,6 ампера составит 0,276 вольт.
При разогреве до 60 градусов Rds будет уже примерно 0,075 Ом и падение, соответственно, 0,345 вольт.
Что полностью совпадает с результатами измерений.
Таким образом, при падении примерно 0,3 вольт при токе 4,6 ампер мощность составит 1,38 ватт.
Для этого транзистора тепловое сопротивление кристалл-среда составляет 40 град/ватт
А значит ПЕРЕГРЕВ корпуса относительно температуры окружающего его воздуха (а не воздуха комнаты вообще!!!) составит 55 градусов.
Что дает абсолютное значение температуры примерно 85...100 градусов при свободной конвекции воздуха и среднем качестве теплообмена корпуса транзистора в конструкции изделия.

ЗЫ. Это плохой транзистор для таких применений...

У этого Rds в три раза меньше:
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PMK35EP.pdf
Можно так же
http://www.terraelectronica.ru/pdf/IR/IRF4905.pdf