Все о биполярном транзисторе.

[profradio]

Может быть не там спрашиваю - но все же - как теоретически подобрать биполярные транзисторы по одинаковым параметрам? (для того чтобы один из 4-х одинаковых транзисторов - скажем tip35- в схеме линейного понижателя напряжения не грелся сильнее остальных). Какая должна быть тестовая схема? Что измерять? Коэф. усиления транзистора? Ток коллектора при фиксированном напряжении на базе? Или что-то другое - какие будут мысли?

[falkonist]

Измерять бетником: http://www.diagram.com.ua/list/izmer/izmer74.shtml

[profradio]

Да, точно, спасибо - вот еще нашел простую схему измерялки - http://radiopages.ru/other/betnik.html Получается теория такая - измеряется ток базы при заданном постоянном токе коллектора для вычисления h21э + измеряется U бэ, открывающее этот ток коллектора - если эти два значения совпадают - то транзисторы можно ставить без токовыравнивающих резисторов.

[falkonist]

Теоретически можно. Практически - ни в коем случае. Разница даже в 1 мВ - уже критична.

[profradio]

Все же вопрос остается пока не решенным. Я собрал схемку-стабилизатор для проверки транзистора - начинаю проверку - параметры плывут в зависимости от нагрева радиатора транзистора и нагрузки(3 резистора по 51Ом 2Вт). Нагрузку сунул в банку с водой - помогло:) Но радиатор все равно греется - промерял так - запускал питание и секундомером отсчитывал 20 сек и записывал результат напряжения и тока, но раз от раза радиатор все равно нагревается и значения уплывают.

[falkonist]

Вот как раз из-за описанного Вами нагрева соединять биполярные транзисторы параллельно без токоуравнивающих эмиттерных резисторов и не рекомендуется. Зависимость параметров кажэдого отдельного транзистора от нагрева индивидуальна.

Даже если Вы найдете два одинаковых по параметрам транзистора при какой-то одной температуре - стоит им только нагреться, как параметры "разъедутся" самым непредсказуемым образом.

[profradio]

Да я не планирую их использовать без резисторов - просто заметил что в схеме с 4-мя транзисторами и токоуравнивающих (пробовал 0,1 и 0,22Ом) резюками один из транзисторов греется больше остальных - заметил по испарению воды с вывода коллектора. При замене этого транзистора на другой - греется следующий не заменянный и т.д. вот и задаюсь целью подбора.

[falkonist]

Абсолютно все равно не уравняете. Но без резисторов ситуация была бы вообще драматичной. Поэтому и применяются бетники (ссылку на свой я давал).

[DDenisov]

Пытаюсь в Proteus смоделировать работу транзистора. Ток базы регулирую переменным резистором RV1.
Рис.1 Напряжениее на переходе БЭ мене 0,6В. Тока базы и коллектора нет. Здесь и не должно быть.

Рис.2 Напряжение на переходе БЭ 0,65В. Тока опять не видно. Это странно.

Рис.3 Ток появился, но при большем напряжении БЭ. И предполагаемому току насыщения на коллекторе по величине он соответствует, но базовый ток при этом всего в три раза меньше. Это странно, с учетом того, что коэффициент усиления должен быть 50-100.

Рис. 4 Взял сопротивления поменьше - подумал, показания мелкие, резисторы не дают большого тока и он не показывается на приборах. Но опять тока нет при 0,6В.


Как правильно сделать схему, чтобы посмотреть на транзистор в разных режимах его работы, т.е. в отсечке, активном и в насыщении?

[xterro]

Тоже интересует, как правильно вгонять транзистор в активный режим, как правильно рассчитать ток базы(диапазон токов базы, от 0 до <сколько>?). С ключевым режимом всё вроде просто, а активный почему-то вопросы вызывает

[falkonist]

Нет и не будет. В симуляторах он начинает протекать начиная от 0,68 В.

[DDenisov]

Да, похоже от 0,68В. Может от модели транзистора зависит. В общем, убрал амперметры, т.к. они не дают миллиамперы, поставил "щупы". Получилась такая схема:


Минимальный ток базы по этой схеме равен 7,8е-10А (когда резистор RV1 дает полное сопротивление 1к). Уменьшая сопротивление RV1, получил, что при увеличении тока базы от 7,8е-10А до 1.3е-5А получается очень слабый рост тока на эмиттере Ie. И падение напряжения Vke уменьшается с исходных 9 В по одной тысячной. То-есть транзистор как бы работает, но с очень большим сопротивлением.

При дальнейшем увеличении тока базы с каждым процентом сопротивления, убранным с переменного резистора, замечаю значительное увеличение тока Ie и уменьшение падения напряжения Vke (из-за того, что ток идет от коллектора к эмиттеру). Визуально это проявляется в том, что цифры меняются сильнее при изменении сопротивления на RV1. Если коротко, то при повышении тока базы с 1,3е-5А до 0,004А изменения тока эмиттера и падения Vke самые ощутимые. 0,004А соответствует 1,18В Vbe.

Дальше - при увеличении тока базы выше 0,004А, рост тока на эмиттере и изменение падения Vke опять становятся маленькими.

Прошу знающих людей оценить правильность выводов:

1) Верно ли я понимаю, что транзистор работал в активном режиме при токе базы от 1,3е-5А до 0,004А?
2) До активного был режим отсечки. А после активного - режим насыщения.
И кроме того, согласно даташиту на транзистор, напряжение насыщения составляет 1.2В при токах базы и коллектора того же порядка что у меня получились.

3) Значит, в модель Proteus заложено максимально возможное по даташиту напряжение насыщения для транзистора.

[falkonist]

В принципе, совпадает с моими исследованиями в Мультисиме: http://forum.cxem.net/index.php?/blogs/ ... -резистор/

[DDenisov]

Спасибо! Обязательно почитаю.

[El-Eng]

Тоже интересует, как правильно вгонять транзистор в активный режим, как правильно рассчитать ток базы...

Никогда не ориентируйтесь на ток базы - в реальной жизни его величина непредсказуема. При расчете транзисторного каскада ориентироваться нужно на напряжение база-эмиттер. Его можно смело брать 0.7В для обычного режима и 0.5-0.6В для режима работы с микротоками. Фиксировать надо ток эмиттера (можно и ток коллектора, но с ним будет посложнее). Делается это, например, при помощи резистора или источника тока. При этом, потенциал базы должен слабо зависеть от тока базы (ток через резисторы делителя, задающего потенциал базы, должен быть раз в 5-10 больше тока базы для наихудшего случая). Потенциал базы нужно выбирать таким, чтобы эмиттерный переход был открыт, а ток эмиттера (заданный, например, резистором), создавал на коллекторном резисторе (токи эмиттера и коллектора можно условно считать равными) такое напряжение, чтобы коллекторный переход был закрыт (потенциал коллектора должен быть выше потенциала базы). Так будет выполнено условие активного режима работы транзистора. Для лучшего усиления переменного напряжения эмиттерный резистор можно зашунтировать конденсатором.

[xterro]

Просто интересно, если планов менять потенциал на база-эмиттер (ОЭ, npn) в диапазоне примерно от 0,6 до 0,7 то можно наблюдать, как ток коллектора плавно нарастает, примерно с 0,7 рост тока прекращается, типа всё, насыщение. Если добавить в базу резистор, скажем на 100 Ом, то этот диапазон просто расширяется, и становится(условно) от 0,6 до 3В. Вот и думаю, наверняка, как-то этот режим расчитывают(хотя бы в части резистора), а дальше подстроечником подстроечником

[El-Eng]

Никаких подстроечников! Рассчитывать этот режим есть смысл только в исследовательских или учебных целях. Резистор в цепи базы вреден, он влияет на частотный диапазон (его обычно ставят только для борьбы с самовозбуждением).
Говорю же, в реале нужно поставить в эмиттер резистор и задать им ток, рассчитав его по формуле Ie=(Ub-0.7)/Re. Напряжение на коллекторе будет Uc=Vcc-Ie*Rc. Rc выгодно выбрать так, чтобы на коллекторе было напряжение 0.5*(Vcc+Ub), тогда размах неискаженного выходного напряжения будет максимальным. Ток через делитель, задающий Ub должен быть (5..10)*(Ie/B), B можно просто взять из справочника или порядка 50-100.

[xterro]

попробую, спасибо )

[falkonist]

El-Eng, всё написанное Вами характерно для линейного (усилительного) режима работы. А есть еще и ключевой, в котором эмиттерный резистор - зло.
Вот для такого режима и применяется токоограничительный базовый резистор.

[xterro]

Правильно я понимаю, что от резистора в эмиттере, в том числе, будет зависеть и базовый ток? Ie=(Ub - 0.6)/Re и Ie примерно равен Ib