jeelman писал(а):да, это стоит попробовать
Я одного ремонтника сварочных аппаратов знаю, он их сотни в год чинит, а про микропроцессорные в основном нецензурно выражается.
Потому что их "мозги" экранировать забывают и платы разводить по всем правилам ЭМС дорого. Прошивки часто "слетают" и ремонт намного труднее.
А это доктор технических наук вещает:
http://rza.org.ua/forum/problemi-s-mikr ... 2-195.html
"1. Устойчивость обычных интегральных микросхем к импульсным перенапряжениям примерно на порядок выше, чем различных внутренних структур микропроцессоров, особенно, памяти. Устойчивость дискретных элементов (транзисторов, диодов) к таким воздействиям – на два порядка выше, чем интегральных микросхем.
2. Современные тенденции развития микропроцессорной техники подчиняются так называемому закону Мора (Мура), который гласит, что каждые два года количество элементов в сложных структурах, типа микропроцессоров, удваивается. Каким образом можно достичь такого значительного увеличения количества элементов, исчисляемых сегодня миллионами (в Пентиуме-4 их уже 42 миллиона, а к 2012 году ожидается уже миллиард) в тех же самых габаритах (и даже меньших)? Правильно, за счет увеличения плотности монтажа. А за счет чего можно увеличить плотность монтажа? Правильно, за счет уменьшения внутренних изоляционных расстояний между элементами. К чему это приводит? А к тому, что рабочие напряжения микропроцессоров постоянно снижаются. Начинали когда-то с 5 В, потом перешли на 2.5 – 3 В, а сейчас уже в некоторых типах микропроцессоров используются напряжения 1.25 В. Что это означает? А то, что чувствительность в внешним электромагнитным воздействиям сложных микроструктур постоянно возрастает, в то время, как электромагнитная обстановка на объектах электроэнергетики и в промышленности все время ухудшается из-за все возрастающего применения силовой преобразовательной техники, агрегатов бесперебойного питания, инверторов, конверторов, импульсных источников питания (в том числе, в составе компьютеров). Особенно сложная ситуация возникает при эксплуатации МУРЗ с такими современными микропроцессорами на старых подстанциях с плохим качеством заземления.
3.
Особую проблему создают различные виды RAM памяти, выполняемые, обычно, на транзисторах CMOS-типа, которые должны сохранять свой заряд (как конденсаторы). Это самые чувствительные к внешним электромагнитным воздействиям и излучениям элементы. В связи с уменьшением изоляционных слоев и ростом плотности элементарных ячеек памяти, все чаще наблюдаются случаи саморазряда емкостей элементарных ячеек памяти (то есть сброс памяти) даже от очень слабых излучений, например таких, как естественный радиоактивный фон на уровне моря. При этом, сама внутренняя структура под воздействием таких слабых воздействий остается неповрежденной, и отказавший во время эксплуатации МУРЗ покажет полностью исправную работу при испытании в лаборатории. Усугубляет ситуацию то, что сегодня очень многие микросхемы (и не только микропроцессоры) снабжаются встроенной памятью, необходимой для выполнения их функций. Разговор на эту тему можно продолжать еще очень долго.
4. Что касается надежности современных паяных соединений, то при соблюдении требуемой технологической дисциплины на предприятии изготовителе, и современной автоматической сборке с применением элементов поверхностного монтажа она на порядки выше надежности микроструктур."
