Потому, что надо сперва изучить сложившуюся практику и опыт современных разработчиков, затем рассуждать.
Интересно. В чем их секрет?
Нет там никаких секретов. При одинаковой стоимости выскоковольтных полевиков и БТИЗ, первые проигрывают высоким сопротивлением открытого канала. БТИЗ же уходит в насыщение и напряжение КЭ практически не зависит от протекающего тока. Достаточно посчитать потери для первого и второго случая, как всё станет ясно. Биполярная природа БТИЗ это его же и недостаток - из насыщения он выходит достаточно долго и для ускорения этого процесса его приходится загонять в режим работы С. Для МОП транзистора достаточно D.
1. Более высокое сопротивление в ключевом режиме работы, чем у полевиков, со всеми вытекающими..
1. Низкое сопротивление в ключевом режиме работы. Особенно транзисторы HEXFET или StrongIRFET.
Очень спорно и зависит от условий применения. Смотри выше.
2. Искажают аналоговый сигнал.
Любой нелинейный элемент искажает сигнал. Транзисторы все являются таковыми.
2. Боятся статики.
Не все.
4. Имеют емкость затвора.
А у биполярного нет проходных емкостей? Вот это новость.
Еще не понятно почему у BJT указывают частотную характеристику, а у MOSFET нет?
[uquote="parovoZZ",url="/forum/viewtopic.php?p=4023950#p4023950"]Потому, что надо сперва изучить сложившуюся практику и опыт современных разработчиков, затем рассуждать.[/uquote]
