Вот если бы кто-то озвучил задачу, которую пытается решить...
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.

Вы путаете коэффициент передачи тока и напряжение насыщения.Gisteresis писал(а):База насыщается током. Ключевой режим это когда тока в базу подается больше, чем нужно для полного открытия перехода КЭ. Т.е. пропускания максимального тока коллектора.
Если вы про напряжение насыщения БЭ, то опять мимо. Транзистор в усилительном режиме как раз и работает при напряжении БЭ меньше напряжения насыщения.Gisteresis писал(а):Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
Отнюдь!ptr128 писал(а):опять мимо
А с этим никто не спорит. Читайте мое сообщение. Вот насыщается он только не током, а напряжением.Gisteresis писал(а): Еще раз повторяю, биполярный транзистор управляется током.
А смысл? То есть, если у меня ток нагрузки 50ма, но максимальный ток коллектора 500ma, то я что, схему должен на десятикратно больший ток считать?Gisteresis писал(а): А нужно рассчитывать на полный ток коллектора
Gisteresis писал(а):Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
ptr128 писал(а):Если вы про напряжение насыщения БЭ, то опять мимо.
То есть Вы готовы спорить, что при напряжении БЭ меньше напряжения насыщения ток БЭ будет нулевым?Gisteresis писал(а):Отнюдь!
Где про это почитать?ptr128 писал(а):Вот насыщается он только не током, а напряжением.
Ток базы надо обеспечить не менее такого, который обеспечит полное открытие транзистора. Т.е. он будет готов пропускать полный ток коллектора 500ма, но это не означает, что мы будем именно такой пропускать, можно меньше. Транзистор будет готов пропускать 500, но пропускать мы будем 50. Вообще сколько хотим от 0 до 500.ptr128 писал(а):То есть, если у меня ток нагрузки 50ма, но максимальный ток коллектора 500ma, то я что, схему должен на десятикратно больший ток считать?
Я ни с кем не спорю. Если надо, дискутирую. Спор это когда не аргументированно орут, кто кого перекричит, если не помогает в ход идут кулаки.ptr128 писал(а):Вы готовы спорить
дело в том, что добиваясь минимального падения напряжения на транзисторе мы вводим его в состояние глубокого насыщения. При этом после закрытия возникает так называемый хвост, который сильно влияет на динамические потери. Этому больше подвержены NPN-транзисторы. Можете даже задаться вопросом, почему в IGBT применяют PNP-транзистор.Gisteresis писал(а):Ключевой режим обеспечивает минимально возможное падение перехода КЭ и соответственно минимальные потери.
Спасибо за книгу. Надо полагать страница 100 и 101?neon писал(а):«Электроника» (В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев)
Например здесь: http://radiohlam.ru/teory/transistor.htmGisteresis писал(а):Где про это почитать?ptr128 писал(а):Вот насыщается он только не током, а напряжением.
А можно еще раз, но конкретно. Вот берем 2N3904. Просто потому, что он у меня есть. Правильно ли я понял, что, по Вашему мнению, для полного его открытия при коммутации тока в 12ма, необходимо подать на базу ток 7ма, раз уж Hfe ~ 30 и максимальный ток коллектора 200ма?Gisteresis писал(а):Ток базы надо обеспечить не менее такого, который обеспечит полное открытие транзистора. Т.е. он будет готов пропускать полный ток коллектора 500ма, но это не означает, что мы будем именно такой пропускать, можно меньше. Транзистор будет готов пропускать 500, но пропускать
мы будем 50. Вообще сколько хотим от 0 до 500.
Вопрос семантики. В данном случае субъективной. Я вполне готов принимать Вашу, если Вы так же подробоно будете ее разъяснять в дальнейшем )Gisteresis писал(а):дискутируюptr128 писал(а):спорить
Если вспомнить закон Ома, то напряжение зависит не только от тока. А PN переход - активный элемент, сопротивление которого далеко не константно.Gisteresis писал(а): Я вам уже сказал, что напряжения насыщения (напряжения падения на переходах) зависят от тока базы.
Самый медленный элемент в Вашей схеме - оптрон. Но 6КГц, я думаю, почти любой пропустит.ApTu(T писал(а):А вот чисто гипотетически, сколько раз такая схема(вернее тут от компонентов конечно зависит...это я понимаю...) сможет в секунду выдавать четкий(не сливающийся) подъем и падение напряжения?
Я просто рассчитывал на то, чтобы детектить до 6000 оборотов в минуту.
Всё-таки режим работы транзистора задаётся прежде всего током. Разница потенциалов сама получается, но служит индикатором, говорящим о режиме транзистора (ибо нет тока без напряжения, а Сименс объединл их). Если бы режим определялся только разницей потенциалов, то при одной и той же разнице состояние транзистора было бы одинаковым, но ведь не так - например, 0,8 вольта между базой и эмиттером в одном случае может быть уже глубочайшем насыщением, в другом - просто линейный режим. Впрочем, и только знание одного только тока также недостаточно для однозначного опознания режима. Связка: рулим током, контролируем напряжение - вот в этом сила.ptr128 писал(а):Режим работы транзистора задается разницей потенциалов (напряжением)
Если речь об управлении транзистором в схеме, то я уже писал выше, что с этим никто не спорит.Slabovik писал(а):Связка: рулим током, контролируем напряжение - вот в этом сила.