Мелкие вопросы по теории

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Ответить
Вымогатель припоя
Аватара пользователя
Сообщения: 606
Зарегистрирован: Чт окт 06, 2016 21:12:07
Откуда: Южное Бутово

Сообщение ptr128 »

Какой коэффициент усиления? В единственной здесь рабочей схеме от alexradio1103 ток светодиода никогда не превысит 12ма. То есть, при Hfe даже 20, ток базы потребуется меньше одного миллиампера. В чем проблемы?

Вот если бы кто-то озвучил задачу, которую пытается решить...
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Реклама
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 4732
Зарегистрирован: Ср сен 18, 2013 10:08:26
Откуда: Санкт-Петербург

Сообщение Gisteresis »

Правильно, но ток базы для ключевого режима вообще выбирается из условия гарантированного насыщения транзистора. А не тока светодиода. Иначе можно и в активный режим попасть.
Реклама
Вымогатель припоя
Аватара пользователя
Сообщения: 606
Зарегистрирован: Чт окт 06, 2016 21:12:07
Откуда: Южное Бутово

Сообщение ptr128 »

А разве БЭ переход насыщается не напряжением?
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 4732
Зарегистрирован: Ср сен 18, 2013 10:08:26
Откуда: Санкт-Петербург

Сообщение Gisteresis »

База насыщается током. Ключевой режим это когда тока в базу подается больше, чем нужно для полного открытия перехода КЭ. Т.е. пропускания максимального тока коллектора.
Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
Последний раз редактировалось Gisteresis Вт дек 13, 2016 16:03:12, всего редактировалось 1 раз.
Реклама
Эиком - электронные компоненты и радиодетали
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 11291
Зарегистрирован: Пт авг 14, 2015 14:25:02
Откуда: Одесса - мама

Сообщение alexradio1103 »

Я в схеме базовый резистор не зря со звёздочкой нарисовал. Его надо подбирать в реальной схеме.
90% времени уходит на отыскание неисправности,остальное - ждать когда нагреется паяльник! :)
Реклама
Опытный кот
Аватара пользователя
Сообщения: 859
Зарегистрирован: Ср апр 13, 2011 02:13:43

Сообщение ApTu(T »

Вот так делать?
(Оптрон с открытым каналом, для тех кто предысторию не читал)

Изображение
Реклама
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 11291
Зарегистрирован: Пт авг 14, 2015 14:25:02
Откуда: Одесса - мама

Сообщение alexradio1103 »

Ну да! Теперь правильно! :)
А ВС557 - это я просто "от балды"... пойдёт любой! :roll:
90% времени уходит на отыскание неисправности,остальное - ждать когда нагреется паяльник! :)
Вымогатель припоя
Аватара пользователя
Сообщения: 606
Зарегистрирован: Чт окт 06, 2016 21:12:07
Откуда: Южное Бутово

Сообщение ptr128 »

Gisteresis писал(а):База насыщается током. Ключевой режим это когда тока в базу подается больше, чем нужно для полного открытия перехода КЭ. Т.е. пропускания максимального тока коллектора.
Вы путаете коэффициент передачи тока и напряжение насыщения.

При достаточно большом Hfe, если напряжение БЭ, при любом токе, превышает напряжение насыщения БЭ перехода, то через время Т, прямо пропорциональное току, БЭ переход окажется в режиме насыщения.
В случае недостатка Hfe, в насыщение не попадет КЭ переход, так как количество зарядов, инжектируемых в базу окажется не достаточно для поддержания тока КЭ, превышающего ток базы более чем в Hfe раз.

А так как я учел Hfe и ток КЭ у меня точно меньше тока базы умноженного на минимальный Hfe, то количество зарядов инжектируемых в базу у меня достаточно для обеспечения насыщения КЭ перехода при насыщении БЭ перехода.

То есть, если Ube>Ube(sat) то Uce=Uce(sat) при любом Ib>Ic/Hfe
Gisteresis писал(а):Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
Если вы про напряжение насыщения БЭ, то опять мимо. Транзистор в усилительном режиме как раз и работает при напряжении БЭ меньше напряжения насыщения.
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 39197
Зарегистрирован: Сб сен 13, 2014 16:27:32
Откуда: СпиртоГонск созвездия Омега

Сообщение musor »

для работоспособности даной схемы я писал выще нужен ДАРЛИНГТОН и неважно кт972 или другой....
просто приоткрытом оптроне падение напряжения на типовом ОТКРЫТОМ оптроне превысит 0.6в и ваш ключик всегда будет открыт
кстати ставить туда PNP вовсе не нужно годится и NPN но оптопару надо перевернуть
ZМудрость(Опыт и выдержка) приходит с годами.
Все Ваши беды и проблемы, от недостатка знаний.
Умный и у дурака научится, а дураку и ..
Алберт Ейнштейн не поможет и ВВП не спасет.и МЧС опаздает
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 4732
Зарегистрирован: Ср сен 18, 2013 10:08:26
Откуда: Санкт-Петербург

Сообщение Gisteresis »

ptr128 писал(а):опять мимо
Отнюдь!
Еще раз повторяю, биполярный транзистор управляется током.
То, что вы говорите про напряжение это напряжения насыщения переходов. Но они не управляются этим напряжением. Управляется все током базы.
Напряжение переходов зависит от тока базы, но не наоборот.

Зачем тогда в даташитах пишут токи коллектора и базы для этих напряжений насыщения?

В своем расчете вы ставите цель открыть транзистор для того чтобы он пропустил 12мА, ток светодиода. А нужно рассчитывать на полный ток коллектора если мы хотим гарантированно иметь ключевой режим.
Т.е. у вас может быть активный режим а может и ключевой.
Вымогатель припоя
Аватара пользователя
Сообщения: 606
Зарегистрирован: Чт окт 06, 2016 21:12:07
Откуда: Южное Бутово

Сообщение ptr128 »

Gisteresis писал(а): Еще раз повторяю, биполярный транзистор управляется током.
А с этим никто не спорит. Читайте мое сообщение. Вот насыщается он только не током, а напряжением.
Gisteresis писал(а): А нужно рассчитывать на полный ток коллектора
А смысл? То есть, если у меня ток нагрузки 50ма, но максимальный ток коллектора 500ma, то я что, схему должен на десятикратно больший ток считать?

Gisteresis писал(а):Напряжение же на базе есть пороговое меньше которого транзистор вообще закрыт.
ptr128 писал(а):Если вы про напряжение насыщения БЭ, то опять мимо.
Gisteresis писал(а):Отнюдь!
То есть Вы готовы спорить, что при напряжении БЭ меньше напряжения насыщения ток БЭ будет нулевым?
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 4732
Зарегистрирован: Ср сен 18, 2013 10:08:26
Откуда: Санкт-Петербург

Сообщение Gisteresis »

ptr128 писал(а):Вот насыщается он только не током, а напряжением.
Где про это почитать?
ptr128 писал(а):То есть, если у меня ток нагрузки 50ма, но максимальный ток коллектора 500ma, то я что, схему должен на десятикратно больший ток считать?
Ток базы надо обеспечить не менее такого, который обеспечит полное открытие транзистора. Т.е. он будет готов пропускать полный ток коллектора 500ма, но это не означает, что мы будем именно такой пропускать, можно меньше. Транзистор будет готов пропускать 500, но пропускать мы будем 50. Вообще сколько хотим от 0 до 500.
ptr128 писал(а):Вы готовы спорить
Я ни с кем не спорю. Если надо, дискутирую. Спор это когда не аргументированно орут, кто кого перекричит, если не помогает в ход идут кулаки. :))) Дискуссия же всегда ведется по правилам.
1 Вступая в дискуссию собеседники соглашаются с правилами.
2 Собеседники имеют право задавать вопросы.
3 Собеседники обязаны отвечать на вопросы. Если они не могут этого сделать победившей считается противоположная точка зрения. Но даже в этом случае остается вероятность, что они не располагали всей полнотой информации. Поэтому, если цель поиск истины, неважно на какой стороне ты дискутируешь, анализируй обе стороны не предвзято.
4 Договариваются о терминологии, мировоззрении чтобы понимать друг друга.

Я вам уже сказал, что напряжения насыщения (напряжения падения на переходах) зависят от тока базы. Поэтому всегда уточняют при каких токах они измерены. Смысл ключевого режима в том, чтобы гарантированно и быстро проскочить активный режим, в котором падение напряжения на переходе КЭ большое а от этого зависят тепловые потери и вообще ограничение по нагреву. Ключевой режим обеспечивает минимально возможное падение перехода КЭ и соответственно минимальные потери. Это одни из наиболее важных параметров (напряжения насыщения переходов), которые приводится в даташитах.
Так же в своем первом сообщении я указал порог напряжения отсечки, до которого транзистор вообще не работает.
Поставщик валерьянки для Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 2318
Зарегистрирован: Пн июн 04, 2012 17:44:22
Откуда: Казань

Сообщение neon »

Gisteresis писал(а):Ключевой режим обеспечивает минимально возможное падение перехода КЭ и соответственно минимальные потери.
дело в том, что добиваясь минимального падения напряжения на транзисторе мы вводим его в состояние глубокого насыщения. При этом после закрытия возникает так называемый хвост, который сильно влияет на динамические потери. Этому больше подвержены NPN-транзисторы. Можете даже задаться вопросом, почему в IGBT применяют PNP-транзистор.

Я могу вам посоветовать прочитать на этот счёт некоторые главы хорошей книги «Электроника» (В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев).
"То, что я понял, - прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, - тоже прекрасно". Сократ.
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 4732
Зарегистрирован: Ср сен 18, 2013 10:08:26
Откуда: Санкт-Петербург

Сообщение Gisteresis »

neon писал(а):«Электроника» (В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев)
Спасибо за книгу. Надо полагать страница 100 и 101?
Не могли бы вы более конкретно указать где там написано, что переход БЭ насыщается напряжением?

Я так понимаю можно управлять напряжением этого перехода и транзистор будет соответственно реагировать?
Опытный кот
Аватара пользователя
Сообщения: 859
Зарегистрирован: Ср апр 13, 2011 02:13:43

Сообщение ApTu(T »

А вот чисто гипотетически, сколько раз такая схема(вернее тут от компонентов конечно зависит...это я понимаю...) сможет в секунду выдавать четкий(не сливающийся) подъем и падение напряжения?
Я просто рассчитывал на то, чтобы детектить до 6000 оборотов в минуту.
На вскидку сможет или бред?

Читал-читал тут, думал, прикидывал как я всё это дело буду в программе вычислять.
И мысль такая, вот конденсатор он пропускает переменный ток же через себя?
Получается он сможет и постоянный пропустить, но 1 раз, так сказать до заполнения обкладки, а мне-то больше и не надо.
Сделаю частоту дискретизации побольше, и будет самое оно.
Но вот вопрос, он(конденсатор) до 0 откатиться-то(выровнить напряжение своих обкладок) успеет до следующей подачи тока на него?
Вымогатель припоя
Аватара пользователя
Сообщения: 606
Зарегистрирован: Чт окт 06, 2016 21:12:07
Откуда: Южное Бутово

Сообщение ptr128 »

Gisteresis писал(а):
ptr128 писал(а):Вот насыщается он только не током, а напряжением.
Где про это почитать?
Например здесь: http://radiohlam.ru/teory/transistor.htm
Режим работы транзистора задается разницей потенциалов (напряжением):
1. Активный (усилительный) режим транзистора - когда Uэ<Uб<Uк (NPN) или Uэ>Uб>Uк (PNP)
2. Режим насыщения - когда Uэ<Uб>Uк (NPN) или Uэ>Uб<Uк (PNP)
3. Режим отсечки - когда Uэ>Uб<Uк (NPN) или Uэ<Uб>Uк (PNP)
Gisteresis писал(а):Ток базы надо обеспечить не менее такого, который обеспечит полное открытие транзистора. Т.е. он будет готов пропускать полный ток коллектора 500ма, но это не означает, что мы будем именно такой пропускать, можно меньше. Транзистор будет готов пропускать 500, но пропускать
мы будем 50. Вообще сколько хотим от 0 до 500.
А можно еще раз, но конкретно. Вот берем 2N3904. Просто потому, что он у меня есть. Правильно ли я понял, что, по Вашему мнению, для полного его открытия при коммутации тока в 12ма, необходимо подать на базу ток 7ма, раз уж Hfe ~ 30 и максимальный ток коллектора 200ма?
Или все же 1ма, как я писал выше и как можно понять из даташит?
СпойлерИзображение
Gisteresis писал(а):
ptr128 писал(а):спорить
дискутирую
Вопрос семантики. В данном случае субъективной. Я вполне готов принимать Вашу, если Вы так же подробоно будете ее разъяснять в дальнейшем )
Gisteresis писал(а): Я вам уже сказал, что напряжения насыщения (напряжения падения на переходах) зависят от тока базы.
Если вспомнить закон Ома, то напряжение зависит не только от тока. А PN переход - активный элемент, сопротивление которого далеко не константно.
Поэтому, для того чтобы транзистор был в активном режиме, необходимо контролировать не только ток базы, но Uбэ. И в усилительном каскаде Uбэ как раз и выбирают, примерно равным напряжению насыщения БЭ перехода.
Ссылка нужна? Легко гуглится по "эммитерная стабилизация"

Добавлено after 7 minutes 23 seconds:
ApTu(T писал(а):А вот чисто гипотетически, сколько раз такая схема(вернее тут от компонентов конечно зависит...это я понимаю...) сможет в секунду выдавать четкий(не сливающийся) подъем и падение напряжения?
Я просто рассчитывал на то, чтобы детектить до 6000 оборотов в минуту.
Самый медленный элемент в Вашей схеме - оптрон. Но 6КГц, я думаю, почти любой пропустит.
Смотрите в оптроне, в первую очередь Storage Time. Rise Time и Fall Time влияют скорее на задержку фронтов импульса, чем на его длительность.
Вложения
2N3904.jpg
(59.58 КБ) 821 скачивание
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Опытный кот
Аватара пользователя
Сообщения: 859
Зарегистрирован: Ср апр 13, 2011 02:13:43

Сообщение ApTu(T »

Спасибо. ))

Ради интереса позамыкал контакты микрофонного входа(там ведь тоже напряжение есть):

Изображение

Причём когда замкнуты контакты питания и сигнала(все 2 кроме земли), то карта никак не реагирует на замыкание всех 3х(режим элекретного микрофона).
Получается никакие генераторы частоты и не нужны.(долго до меня доходило, мне сразу же писали, что можно без всяких заморочек напрямую).
Чтобы отловить сигнал нужно просто накинуть контакты к транзистору, и лучше все-таки через конденсатор(у ЗК конечно есть защита от кз, но у меня интегрированная, как-то очково спалить южный мост).

Только ещё наверное нужно поставить резистор чтобы была абсолютная отсечка, при открытом световом канале оптрона?
Последний раз редактировалось ApTu(T Ср дек 14, 2016 17:40:19, всего редактировалось 2 раза.
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 17234
Зарегистрирован: Чт апр 04, 2013 12:46:59
Откуда: Тюмень

Сообщение Slabovik »

ptr128 писал(а):Режим работы транзистора задается разницей потенциалов (напряжением)
Всё-таки режим работы транзистора задаётся прежде всего током. Разница потенциалов сама получается, но служит индикатором, говорящим о режиме транзистора (ибо нет тока без напряжения, а Сименс объединл их). Если бы режим определялся только разницей потенциалов, то при одной и той же разнице состояние транзистора было бы одинаковым, но ведь не так - например, 0,8 вольта между базой и эмиттером в одном случае может быть уже глубочайшем насыщением, в другом - просто линейный режим. Впрочем, и только знание одного только тока также недостаточно для однозначного опознания режима. Связка: рулим током, контролируем напряжение - вот в этом сила.

Говорить об управлении транзистором напряжением однако вполне можно. Но это в случае, когда в эмиттере транзистора есть сопротивление, а напряжение отмеряется относительно его нижнего конца, т.е. конца, подсоединённого к источнику питания (минусу для npn, плюсу для pnp), а не к эмиттеру.
Контактная информация:
Вымогатель припоя
Аватара пользователя
Сообщения: 606
Зарегистрирован: Чт окт 06, 2016 21:12:07
Откуда: Южное Бутово

Сообщение ptr128 »

Slabovik писал(а):Связка: рулим током, контролируем напряжение - вот в этом сила.
Если речь об управлении транзистором в схеме, то я уже писал выше, что с этим никто не спорит.
А когда мы рассчитываем усилительный каскад, то если не расчитать напряжение смещения БЭ, ориентируясь только на ток, получим не работающий каскад )
Не ошибается только то, кто ничего не делает.
Тот, кто признает свои ошибки, на них учится.
Глупец же, упорствуя в своих заблуждениях, остается глупцом.
Друг Кота
Аватара пользователя
Сообщения: 17234
Зарегистрирован: Чт апр 04, 2013 12:46:59
Откуда: Тюмень

Сообщение Slabovik »

Дык, при расчёте усилительного каскада, точное значение напряжения Б-Э практически не волнует, т.к. его вариации при работе транзистора в этом каскаде исчезающе невелики по сравнению с разностями потенциалов на задающих режим компонентах и самим усиливаемым сигналом (и что ещё хуже - температурная зависимость такова, что без токозадающих элементов ни о какой стабильности каскада вообще речь не может идти). Поэтому вполне достаточно примерно определиться с напряжением в рабочей точке (а это те самые 0.5-0.6-0.7 вольт), а остальное (тонкую подстройку) сделает схемотехника каскада. При этом самое смешное, что мы вычисляем напряжения для того, чтобы (!) рассчитать тот самый ток :) Всё взаимосвязано: ток-напряжение-ток-напряжение... Нельзя оставить что-то одно :dont_know:
Контактная информация:
Ответить

Вернуться в «Теория»