Все о биполярном транзисторе.

[sheffline_85]

Как же всё сложно !

все на самом деле очень даже легко, просто надо отключить ту часть мозга, которая отвечает за логику, а включить ту, что отвечает за "математику/аналитику" и будет вам счастье.
По пунктам, что конкретно не понятно в том, что вам написали расписав в примерах?
ответ все приведет к забвению 100%, так что еще раз проанализируйте что вам написали и сформулируйте вопросы, а например я попытаюсь на них ответить, можно хоть по фени, всеяден дешефратор...
советую что не понятно выписывать на бумагу, да и вообще все вычисления на ней проводить...

[sheffline_85]

вот кстати скомпонованный материал по биполярникам, советую прочитать от корки до корки
http://zpostbox.narod.ru/az3.htm
по сути все вопросы отпадут сами собою....
В большинстве справочников указан параметр Uэб, макс, при расчете схемы надо его учитывать, в случае с делителем сопротивление резистора в цепи ЭБ должно быть не выше
Uэб=Uвх*(Rэб/(Rдоп+Rэб)==>Rэб=Uэб*Rдоп/(Uвх-Uэб)
это граничное условие, а вычисления можно делать по приведенной выше ссылке.
Вместо Rд может быть Rн и любое другое сопротивление стоящее ниже плеча Rбэ в цепи смещения базы.
Если рабочее напряжение смещения 0,7 В, а входное 12 В, то Rэб/Rдоп=(12-0,7)/0,7=11,3
примем Rэб=1 к, тогда Rд=11,3 кОм
скажем потолок Rэб=6 В, тогда потолок по входному напряжению Uвх=(1+Rдоп/Rбэ)Uэб.макс=73,8 В.
т.е. при таких значения мы имеем предел 73,8 В по входному напряжению, при условии что падение на ЭК=0, а сопротивление внутреннее эб>>Rэб делителя....ну для реальных условий думаю смекнете сами что и куда подставить...
Это расчет граничных условий схемы, а не работы схемы.

[rustot]

По аналогии с теми цифрами, которые ты мне приводил. Но только теперь для кт315.
http://s41.radikal.ru/i094/1202/47/744742d5f681.jpg

а это вообще режим насыщения, отдельная песня, там все по другому. и опять же вам просто справочно дают какого напряжения нужно _ожидать_ между базой и эмиттером при таких токах, а не какое вы должны _выставить_ чтобы получить такой ток.

то есть расчитывая например ключ, работающий в режиме насыщения вы смотрите - ага, на коллекторе у нас лампочка 100 ом, напряжение 10в, падение коллектор-эмиттер в насыщении (примерно!) 0.3в значит ток коллектора будет 9.7/100 = 97ма, значит ток базы 97/10=9.7ма. падение база-эмиттер будет (примерно!) 0.8в, значит сопртивление с питания на базу нужно приделать 9.2/9.7 = 948 ом

обратите внимание что эти моменты помеченные как 'примерно!' не имеют ключевого значения в расчетах. замените 0.3 на 0.2 а 0.8 на 0.9 и вы получите отличия в единицах ом для расчитываемого резистора. потому-что на эти значения в расчете на закладывались, не пытались вместо резистора с базы на питания построить например делитель из стабилитрона и резисторов который выставит на базе именно 0.853в, а дали этому напряжению выставиться самому

[sheffline_85]

ruslot я так понял его интересовали граничные условия работы схемы, а не расчет ключевого/линейного режимов работы схемы. т.е. потолок входного напряжения при котором транзистор еще будет жизнепригоден. его посчитать можно только как я написал, естетственно я написал идеализированный вариант при Rкэ=0 и Rэб=бесконечности....

[rustot]

я так понял его интересовали граничные условия работы схемы

а, ну этом можно так навскидку Uбэ - вольт-полтора, сгорит. а при коллектор-эмиттер посаженном на питание меньше этого по-моему и в даташитах не пишут за ненадобностью. Uкэ max и Iк max - это полезные граничные условия, а Uбэ max полезно только для экспериментаторов

[sheffline_85]

у него кстати по схеме эмитерный повторитель в линейном режиме (регулировка выходного напряжения на нагрузке), поэтому надо расчитывать схему так, чтобы не выйти за границы линейного режима.
Вообще подобного рода схемы имеют узкий интервал входных напряжений, установка ОИН (стабилитрона например) решит эту проблему частично, собственно почему частично? до граничного условия Uст.обр.макс
Глюкануло...по схеме же и есть ОИН с регулитруемым коэффициентом передачи, тогда чего париться автор вопросов? предельно допустимое напряжение на входе равно предельно допустимому току через стабилитрон с учетом сопротивления в его цепи...на транзитсоре всегда будет то смещение, что заложено разрабом, вне зависимости от внешних условий...

[95Виталь]

доброго времени суток. при настройке/ремонте/конструировании аппаратуры требуется узнать напряжение на выводах транзисторов.скажите я правильно понимаю- для этого нужно один щуп вольтметра зацепить на минус схемы, а второй на ножку транзистора на котором мы хотим измериь напряжение?

[sstvov]

Все напряжения в схемах указываются по отношению к массе. Если масса=минус питания то один щуп на минус другой в точку измерения. Но масса не всегда бывает на минусе .

[95Виталь]

спасибо. насчет массы и питания я подозревал и вы мне объяснили!

[Vendein_RaZoR]

Хотелось бы уточнить работу транзисторов так сказать изнутри :
При работе транзистора как ключа :
К-Б - есть ток : насыщение P перехода
К-Б нет тока : истощение P перехода
Как усилитель :
Наполовину насыщение и наполовину истощение P перехода , так всё ?

[Gudd-Head]

1. Переход К-Б закрыт, открыт Б-Э.
2. Чистого "Р-перехода" нет, они все P-N.
3. Про какой транзистор речь, NPN или PNP?

[Vendein_RaZoR]

Фу ты ! Я имел ввиду переход К-Э
NPN приводится в данном случае

[Gudd-Head]

Тогда да.

[SmarTrunk]

Vendein_RaZoR
При работе в режиме ключа биполярный транзистор либо полностью закрыт, либо полностью открыт. Последнее гарантируется избыточным тока базы. Тогда транзистор входит в насыщение, и напряжение К-Э опускаеся где-то до 0,2В, хотя при больших токах нагрузки может увеличиваться до 1В и больше, из-за паразитного сопротивления.

При работе в линейном режиме через транзистор всегда должны течь некоторые токи (Б-Э и К-Э), при этом напряжение К-Э не должно опускаться до насыщения.

[Vendein_RaZoR]

Да , теперь вопрос по поводу мосфета :
Если выводы сток и исток прозваниваются между собой , то можно сказать что наступил пробой P-подложки или перехода ?

[Gudd-Head]

Если выводы сток и исток прозваниваются между собой , то можно сказать что наступил пробой P-подложки или перехода ?

Если только это полевик не со встроенным каналом. Да и с индуцированным (обычный полевик, у который при нулевом напряжении З-И закрыт) может быть открыт, если накопил достаточно заряда на затворе, который висит в воздухе — для надёжной проверки замкнуть Затвор и Исток.

[B@R5uk]

Подскажите, пожалуйста возможно ли полевик с индуцированным каналом (т.е. закрытый в отсутствие управляющего напряжения) каким-то образом включить повторителем напряжения, таким образом, что бы коэффициент передачи был равен единице в широком диапазоне сопротивлений нагрузок (от нескольких ом, до бесконечности)? Или же это как раз то, что под силу биполярникам, но невозможно осуществить на полевиках? К сожалению с полевиками очень плохо знаком даже в теории, как не крутил ничего путного в голову не пришло.

[SmarTrunk]

B@R5uk
Могу ошибаться, но у полевых транзисторов всегда была меньше крутизна, чем у биполярных (при одинаковых выходных токах). Поэтому истоковые повторители, в общем, хуже эмиттерных.

Однако, возможно иметь на выходе полевик, если он охвачен обратной связью, с каким-нибудь ОУ, или он сам входит в состав ОУ. Тогда можно получить повторитель с малыми искажениями в широком диапазоне сопротивлений нагрузок.

[B@R5uk]

Полевики обладают отличным качеством -- очень малый управляющий ток, что позволяет конструировать УМЗЧ, в которых основная силовая часть заключена всего в двух деталях (не считая шунтирующих питание конденсаторов). Это происходит за счёт того, что ток через полевик управляется напряжением на затворе. Однако это полезное качество имеет и другую стророну -- все классические решения не применимы к УМЗЧ на полевиках. А хороших наработок очень много. Вот думаю, как преодолевать эту проблему. Единственное нормальное, что я видел -- это усилитель Иванова на КП912. Есть, конечно, всякие извращения типа МОСФЕТа на "тыщу ватт" и монстросложносхемники на вегалабе, но это всё не то. Какие есть ещё хорошие наработки в этой области?

[SmarTrunk]

B@R5uk
Почитайте Данилов "Прецизионные усилители низкой частоты" 2004, очень основательная книга, любителям качественных УНЧ должна быть интересна, и применение MOSFET на выходе тоже рассматривается.

В общем случае, управлять мощными MOSFET не так легко, т.к. требуется перезарядка неслабой входной емкости, поэтому на (сравнительно) высоких частотах управляющий ток совсем не нулевой.