fedyaok писал(а):Если на базе 0, то транзистор будет закрыт наглухо А вот про минимальный ток базы по-подробнее
спасибо за ответ, а то я совсем запуталась. в литературе пишут, про запирающий ток и у меня с моделированием что-то не получается, заземляю базу, а в коллекторе всё равно есть ток...
про минимальный ток базы: у транзистора ток коллектора макс = 10А, мне нужен ток коллектора 4А, h21=80. минимальный ток базы=4А/80=0.05А. что-то не так?
candoliza писал(а):про минимальный ток базы: у транзистора ток коллектора макс = 10А, мне нужен ток коллектора 4А, h21=80. минимальный ток базы=4А/80=0.05А. что-то не так?
если вы собираетесь снять 4А в режиме усиления (могли бы и больше 4А, но не даете) то да, Iб=Iк/h21. но если же вы используете его как ключ, в режиме насыщения (выдаете в нагрузку сколько только можете, допустим нагрузка 2.3 ом на 10в питания) то делите h21 на десяток, то есть типа полампера надо в базу зарядить
вот то что вы высчитали через h21 годится только для ситуации когда напряжение на коллекторе все еще выше напряжения на базе. допустим питание 9 вольт, сопротивление нагрузки коллектора 2 ома, ток коллектора 4 ампера, Uбэ=0.9в, Uкэ=1в. вот для этого, все еще линейного, режима годится формула Iб=4а/80 = 50мА. но при этом на транзисторе рассеивается 1в*4а=4вт что нам не нравится и хотелось бы уменьшить Uкэ до 250мв и рассеивать 1вт, но это означает Uкэ<Uбэ, Uб>Uк, то есть переход в режим насыщения, а там уже h21 не подходит. вот во сколько раз вам от 50мА придется увеличить ток базы чтобы достичь Uкэ=250мв это будет глубиной насыщения. при этом с одной стороны вы будете экономить на рассеивании Iк*Uкэ но начнете быстро терять на Iб*Uбэ, к тому же чем глубже насыщение тем больше задержка при выключении транзистора, поэтому надо найти какой-то оптимум.
как высчитать оптимальную глубину насыщения и соответственно ток базы из стандартных характеристик, я не уверен. обычно пишут 'в несколько раз больше' и все. возможно следует поделить паспортные Uбэнас/Uкэнас, с точки зрения энергопотерь на открытом ключе это будет оптимум, но не с точки зрения потерь при переключении.
а почему?.. ведь получается, что импульс первый зарядит конденсатор и не повлияет на время появления напряжения Uбэ. конденсатор повлияет, когда будет разряжаться....
как это не повлияет? у вас же конденсатор параллельно база-эмиттер стоит? чтобы его зарядить через резистор нужно время, а первоначально весь ток через него пойдет и напряжение на нем (и на базе) будет ноль
ну. и тут работает правило что напряжение на конденсаторе (как ток через индуктивность) нельзя поменять мгновенно, иначе потребовался бы бесконечный ток. так что и открываться и закрываться транзистор у вас будет постепенно
скажите, пожауйста, какое включение n-p-n транзистора в данном случае является верным и почему. и почему в первом случае эмиттер фактический (по обозначениям) называют коллектором и наоборот?
спасибо за ответ. по поводу коллектора и эмиттера. получается, что в справочнике как максимальный ток нагрузки мне надо смотреть на ток эмиттера? обычно не смотря на обозначения смотрят на ток коллектора...
На самом деле вторая схема при определённых ограничениях вполне работоспособна, а именно, напряжение питания не должно превышать максимально допустимое обратное Э-Б, усиление при этом становится очень маленьким или вообще отсутствует. Для некоторых типов транзисторов даже параметры нормируются при таком включении, просто в этой схеме эмиттер превращается в коллектор а коллектор в эмиттер.
спасибо поясните про первую схему включения, пожалуйста. как по справочнику искать максимальный ток нагрузки - это будет ток эмиттера или коллектора всё же (потому что эмиттера в основном не приводится)?
могу предложить поискать по фразе инверсное включение транзистора