ОЭ(или ОИ) - ... и это включение - единственное инвертирует сигнал (это может быть хорошо или плохо, просто нужно это иметь ввиду).
Вот тут тоже не совсем понятно. Инвертирование происходит, если снимать напряжение Uкэ (т.е. при повышении Iбэ снижается Uкэ), но на Rк происходит при этом увеличение U, т.е. здесь инвертирования нет. Ведь цепь Eк-Rк-КЭ можно рассматривать как делитель напряжения, и чем меньше сопротивление КЭ, тем меньше на нём напряжение, но тем оно выше на Rк (в пределах Eк). Вроде правильно рассуждаю?
Правильно, только надо на берегу определить, что есть сигнал. Если сигнал - это ток в нагрузке или напряжение именно на ней, то - да, вы правы. Если сигнал - это напряжение, которое надо подавать куда-то дальше - например, на следующий каскад - то его следует отсчитывать от общего провода, и тогда он, понятно, инвертирован относительно входного сигнала.
_________________ И хрюкотали зелюки, Как мюмзики в мове.
ну и очевидное решение "проблемы" инвертирования это применить еще 1 маломощный предварительный каскад ОЭ(ОИ). это все не вызывает никаких проблем для простых применений (пока речь не идет о высоких скоростях(частотах), паразитных и намеренных обратных связях итп)
А что можете сказать про эти схемы? Верхние - для открытия транзистора, нижние - для закрытия. Какая более правильная, какие особенности у таких вариантов применения?
У меня такие мысли: - схема 2 полностью закрывает транзистор - схема 4 тоже, т.к. напряжение на эмиттере будет даже больше, чем на базе - схема 6 не полностью закроет транзистор, хуже всего
Какая более правильная, какие особенности у таких вариантов применения?
все правильные))
romserg писал(а):
По верхним схемам не особо понятно, что лучше.
лучше для чего ? )) каждая схема для чего-то предназначена... для конкретного устройства. нет такого что одна схема правильная а другая неправильная.
а ещё например сам транзистор может использоваться вообще не по своему прямому назначению... например: -фототранзистор. -транзистор в качестве датчика температуры. -транзистор к качестве стабилитрона. -и т.д. это всё неправильные схемы ?
DJ_club, если Iкбо играет существенную роль в установке рабочей точки - это уже очень не хорошо. сам этот ток имеет большой разброс от экземпляров да еще и зависит от температуры и напряжения. h21e - кстати тоже, в любительских (не промышленных) конструкциях такое еще допустимо, но вообще лучше избегать решений ухудшающих повторяемость и реморнтопригодность.
для jbt за 75 лет наработано уже множество схемных решений чтоб обойти проблему разброса экземпляров и нестабильности параметров например оос по току (резистор в эмиттер) или оос по напряжению (смещение с коллектора в схеме с оэ) и способы обхода проблем создаваемых такими оос, редко когда имеет смысл отказываться от этих наработок
конкретно по Iкбо - обычно стараются выбрать рабочий ток базы на порядки выше максимально возможного Iкбо.
Спасибо, ну у меня германиевые МПшки в схеме - трёхкаскадный усилитель, Iкбо 15-30 мкА при 293 Кельвинах.
Но вопрос чисто физически, в схеме со стабилизацией эмиттерным резистором, Iкбо наряду с базовым током течёт по делителю напряжения,питающему базу, так? То бишь Iб складывается с Iкбо?
DJ_club, да, конечно, это можно представить как резистор(с непостоянным сопротивлением) между базой и коллектором. в любительской схемотехнике 1950x годов иногда использовали этот ток как единственный источник смещения.
но постепенно пришли к тому что наоборот надо нивилировать этот ток, например выбрав сопротивления базового делителя существенно ниже этого эквивалентного сопротивления утечки. ну а с переходом на кремний проблемка ушла в область редких высоковольтных и высокомегаомных схем.
для 30uA и питания скажем 12V и h21e~50 и желаемого усиления по напряжению x10 : делитель берем например 20k 3k (~500uA через делитель ) коллекторный не выше 1k (чтоб ток в базу был не ниже 100+uA) и соответственно эмиттерный не выше 91R
причем это не только из соображений стабильности, Icbr будет создавать дополнительную оос по напряжению которая при повышении внешних сопротивлений будет углубляться, все сильнее ослабляя усиление по напряжению (от расчетного, без учета этого тока). тоесть этот ток можно сказать дополнительно снижает практическое входное сопротивление каскада при прочих равных.
Считайте, что на той картинке диод тоже в эмиттере, а переход (диод) коллектор -база не показан для упрощения. Простейшая схема замещения - это два диода, которые соединены анодами (для npn) на выводе базы. Тоже самое покажет мультиметр на исправном транзисторе.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 37
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
73!
