Дали просто рассчитать. Типа будет ли работать схема или нет. Оптрон все тот же, LTV814. И что вообще будет,если такие параметры будут.

Работать не будет. Оптрон сдохнет.

Здравствуйте. Книжки про транзисторы читать ещё рано. Но интерисует вопрос:

Это из описания полевика.
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики S,мА/В 5900
Пороговое напряжение на затворе -0.7

Максимальное напряжение сток-исток-----будет 13В

На затвор подаётвя 0:+5
Максимальное напряжение затвор-исток попадает в эти параметры? и как оно мереется?
(сейчас схемка работает но на более мощном полевике, нужно заменить.)
Если что и гуглил и яндексил, перечитал многие темы на форуме но понятного мне ответа не нашёл.

"На затвор подается 0...+5В". Подается относительно истока. Т.е. максимум Uси будет 5В, а максимально 12. Значит, все в порядке.

Uзи, очепятка

В чем разница между JFET и MOSFET полевиками?
Почему первые широко используются на входе усилителей, а так же как сами усилители напряжения, тогда как MOSFET-ы для усиления напряжения строго не рекомендуют? Ведь в то же время у MOSFET-ов еще большее входное сопротивление и они существуют в исплонениях, способных пропускать очень большие токи, а значит выходное наоборот очень низкое, что тоже хорошо.

мосфет по идеи практически реле

Почему? Он ведь так же изменяет сопротивление канала по мере увеличения напряжения на затворе.

ну тут не знаю , я с полевыми мало работал , но сколько вижу , через мосфеты именно через них делают мощные коммутаторы , блоки питания , импульсные преобразователи , работают как ключи , ток огромный а нагрева нет

JFET вроде более высокочастотные. Кремниевые есть, работающие свыше 1 ГГц, арсенид-галлиевые - еще выше, несколько ГГц. Так что в приемниках часто используются, в активных щупах осциллографов.

Зато MOSFET бывают мощные, и с низким сопротивлением С-И (доли Ома, во включенном состоянии), и высоковольтные (т.е. держат большое напряжение С-И в выключенном состоянии). Так что, да, часто используются в качестве ключей, в т.ч. в импульсных БП и преобразователях. Хотя в совсем мощных устройствах (свыше нескольких кВт) чаще ставят IGBT.

У JFET затвор изолируется обратно смещённым p-n переходом, у MOSFET — окислом.
Потому JFET изначально открыт, и при приложении отрицательного напряжения закрывается, MOSFET изначально закрыт и при приложении положительного напряжения открывается.

Похожая проблема. Не могу осознать транзистор "изнутри" хоть и преподавателя слушал и книжки читал,и видео смотрел. хочу полностью понять что инжектирует ,куда движутся электроны и дырки. посоветуйте ресурс или книгу ,где это объясняется "на пальцах"спасибо

А зачем понимать изнутри? Для понимания и разработки схем достаточно понять, как транзистор работает снаружи. Разве что из любопытства, или чтобы экзамен сдать?

Вот есть хорошие книги
Скворень "Транзистор шаг за шагом"
Айсберг "Транзистор? это очень просто!"

Это про биполярные транзисторы. Еще есть полевые, но с ними проще

спасибо:)мне кажется, хороший специалист должен знать и изнутри и снаружи, но возможно я заблуждаюсь в силу своей неопытности

Книгу? Учебник по дисциплине "Физика твёрдого тела", для специальностей, имеющих отношение к электронике, а то возьмёшь у строителей и будешь читать про щебень и бетон..
Только потом не надо просить вправлять вывихнутый мозг.. Люди это ещё и сдают, если чо

я вас что-то не понимаю:)

Есть учебники, где объясняется работа транзистора, исходя из квантовой физики. Если очень хочется, можно их почитать, но хорошее знание высшей математики обязательно.

Вот их я и не понял:) может после прочтения на пальцах пойму... Айсберг - то что надо!

nossudak, советую И.П. Степаненко, Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Там, вначале, хорошо изложена теория. Не пугайтесь формул, а постарайтесь понять суть. Книга есть в Сундуке.
Еще можете поискать И.П. Степаненко, Основы микроэлектроники - там теории поменьше и попроще, но для начала - достаточно.

Почитайте лучше о свойствах транзистора при разных включениях.
Чем например отличается каскад с общим эмиттером от каскада с общей базой и в каких случаях одно включение предпочтительнее другого.
Так же разберитесь с эквивалентной схемой транзистора, что бы понимать как проходит сигнал через транзистор в зависимости от частоты.
Какие обратные связи в нем существуют и их влияние.
Почитайте о согласовании каскадов между собой и т.д.
А как там внутри электроны летают знать конечно можно, но это в данном случае сведения на уровне того, что земля круглая. Знать конечно нужно, но в данной области знаний это знать совсем необязательно. И если будете считать, что она плоская, то ничего не изменится.