Это своё, микроэлектронное.
Дисциплина у нас называлась "Физические основы конструирования и технологии".
Преподаватель объясняет зависимость подвижности неосновных зарядов в полупроводнике от температуры. Доска ( около 3-4 кв.метров ) уже исписана довольно длинным и нудным выводом, почему именно так получается, исходя из физики процессов. Под конец кто-то особо наблюдательный замечает, что исходя из полученной формулы подвижность с ростом температуры падает
Преподаватель: - "Вот #ля, пятый раз пытаюсь вывести эту гребаную формулу, и каждый раз где-то ошибаюсь! Хорошо, пару последних страниц конспекта смело зачёркивайте!"
Некоторое замешательство в зале
Преподаватель : "А вот вам эмпирическая формула ( пишет довольно простую полиноминальную функцию, у которой, правда, целая туча довольно странных коэффициентов типа 1.2345*10-5), которая очень хорошо согласуется с экспериментальными данными..."


И вот так почти везде, если дело касается полупроводников. Теория теорией, а реально расчёт конструкции полупроводниковых приборов идёт с применением "эмпирических формул, которые хорошо согласуются с экспериментальными данными". А то и вообще делается на глазок. В свою очередь, теоретики не в состоянии построить, к примеру, "зависимость напряжения пробоя коллекторного перехода транзистора КТ315 от температуры", хотя они вроде как бы владеют всем необходимым для этого набором формул, которые описывают процессы в этом самом коллекторном переходе.

я радиотехник будущий, совсем углубляться мне не нужно наверное, всем спасибо, советы приму к сведению,уже читаю:)

Полезно также читать книжки типа "Транзистор - это просто".
)

народ, у меня пара вопросов по транзисторам.
лазил по справочнику в поисках триода и натолкнулся на странные обозначения h21э типа і 25, а то ещё рядом стоит в скобках і2,5
ответте, а то параметр очень нужен

Скажите пожалуйста, если у меня есть устройство потребляющее ток 800мА и 5в, могу я с помощью транзистора сделать так, что бы если подключить к блоку питания устройство , потребляющее ток 2А оно не могло высосать из сети более 800мА, т.е. Ограничить силу тока, что б не сгорело ниче?

С помощью только одного-единственного транзистора - нет. Точнее - кривоват ограничитель выйдет. Хотя и резистор последовательно с питанием Вашего девайса - тоже в каком-то смысле ограничитель тока, только уж с совсем неудобными параметрами.
Но можно навесить на стабилизатор ограничитель тока 800 мА, т.е. лучше сделать это не снаружи стабилизатора, а внутри. Как в LM7805 (КР142ЕН5), только там ограничение на уровне 5-6 А и не регулируется.
При этом нужно подумать про радиатор: рассеиваемая в этом режиме на стабилизаторе мощность, например,
10В (не выходное напряжение, а входное!) * 0,8А = 8 Вт.
А вот если у Вас не найдётся подходящего радиатора или некуда его вешать, тогда смотрите тут: http://vladimir-coslow.narod.ru/r_98_5_s52_54.djvu .

Ну вот у меня L7805 и я боюсь, что он сгорит от 2А. Если большой радиатор поставить от процесса компьютера, этого достаточно будет?

помогите пожалуста, что может означать і 25 в параметре h21э в справочнике транзистеров(например КТ931А)
ответте кто-нибудь, а то в справочнике нет объяснений, а мне этот параметр нужен

AleX@ndR1545
Посмотрел справочник Горюнова "Полупроводниковые приборы - транзисторы.", про КТ931. Написано: статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (Uкэ=5В, Iк=0,5А) =25 (типовое значение).

Вообще, это мощный высокочастотный транзистор, предположительно устаревший, зачем он, для курсового какого-нибудь?

спасибо за ответ, а делаю я блок питания с широким диапазоном напряжений, поэтому мне нужен мощьный триод
если схема получится и заработает, обязательно выложу на сайте..., а пока идёт только теоретический расчёт

Хоть известно, какая рассеиваемая мощность у Вашего радиатора?
А то ведь процессоры очень разные бывают. И вентиляторы к ним - тоже.
Если радиатор от нетбука или баребона, да ещё и без вентилятора - может и не хватить.
А если от 4-ядерного Атлона - точно хватит, даже без вентилятора.

mishuga
Проверьте, какой максимальный ток у микросхемы, у L7805 ограничение по току срабатывает при примерно 1А. Для бОльших токов есть что-то вроде LM...LT...1083...1084...1085.

AleX@ndR1545
Вот именно для блока питания КТ931 не подойдет, так как он заявлен СВЧ-транзистором. В БП будет велика вероятность возбуждения, из-за слишком хороших частотных свойств. Да их все на драгметаллы посдавали.

но это не единственный вариант, ведь можно взять КТ8101Б или 2Т885
кстати, 2КТ931А ведь почти идентичен нашему первому транзистору(?), по крайней мере параметры, если не ошибаюсь, одинаковые

Изучаю расчет схем на полевых транзисторах с управляющим pn переходом и тут же возникла непонятность с первым же уравнением:
Id = Idss*(1-Vgs/Vp)^2
где Idss - начальный ток стока при Vgs = 0; Vgs - напряжение затвор исток; Vp - напряжение отсечки, то есть это значение Vgs, при котором Id = 0; Id - ток стока.

Взял транзистор 2N5459 в Microcap. Построил передаточную характеристику: Зависимость тока стока от напряжения затвор - исток. Данная зависимость показана на рисунке 1.



Рисунок 1. Зависимость тока стока от напряжения затвор - исток.

По этому графику я определил значения Idss = 11.8 мАмпер, и Vp = -2.70141 Вольт. Погрешность небольшая, так как Vp параметр у транзистора определен как VTO = -2.71317 (это параметр SPICE модели).

Решим уравнение для Vgs = 0, получим Id = Idss*(1-Vgs/Vp)^2 = 11.8 мАмпер.
Решим уравнение для Vgs = -1, получим Id = Idss*(1-Vgs/Vp)^2 = 0.0118*(1-1/2.701)^2 = 4.679 мАмпер.

А теперь сравним полученные значения с семейством характеристик ID(Vds)|Vgs = const на рисунке 2:



Рисунок 2. Семейство каких-то характеристик.

На рисунке четко и ясно видно, что при значении Vgs = -1, мы должны были получить примерно 6,9 миллиампер, а по формуле мы получили 4.68 мАмпер. Разница огромная и ее никак не свести к погрешностям расчета.

Вот объясните мне пожалуйста, что я не учел и что не так понял...

Ну почему никто не отвечает (((

Возможно, в Микрокапе какая-то другая математическая модель? Какая правильнее, можно узнать, взяв живой транзистор и померив.

Вот еще, в даташите же приведены эти графики ("Transfer Characteristics"), для транзисторов с разными напряжениями отсечки. И мне кажется, что там графики более квадратичны, а микрокаповский график более линейный.

А рисунок 2 (выходные характеристики) вроде еще больше отличается.

http://www.fairchildsemi.com/ds/2N/2N5459.pdf

Так значит расчеты все таки верные.. Ладно, хорошо, спасибо, проверю..

Приветствую коты, наверняка тут это уже было, но, потыкайте мордой, не могу найти, как усиливает транзистор, за счёт чего? Хочу разобраться, как он усиливает?

Благодарю мадам