И чего? Лень набирать читаемый текст? Или у Вас клавиатура на телефоне ущербная?

Соник, прежде, чем изучать транзисторы, топикстартеру нехудо бы почитать про законы Кирхгофа, не находите?

Боюсь до Кирхгофа пока далековато. Ему лучше начать с закона Ома.

Ну и Ома тоже.

Про ветки же спрашивает, а этим Кирхгоф занимался.

Я ему через Ома расписал простейшую цепь с формулой и решением, а он и тут напряжение на сопротивление батарейки начал делить... Не-е-е, Кирхгоф пусть пока побудет в отпуске

Читаю Хоровиц-Хилл. Почему у биполярного транзистора в схеме с общим коллектором входной импеданс велик, а в схеме с общим эмиттером - не велик?

P.S. Имеется ввиду при наличии в эмиттерной цепи одного и того же резистора R. В случае с ОК Zвх = (h21e+1) * R. Справедливо ли это выражение для схемы с ОЭ?

При наличии в цепи эмиттера одинаковых резисторов (не зашунтированных конденсаторами), входное сопротивление будет похожим. Но в схеме ОЭ эмиттерный резистор обычно меньше, т.к. иначе не получить большое усиление.

Кроме очень высоких частот, там все сложнее.

Вообще, условно считается, что резистор в цепи эмиттера есть всегда (внутренний, виртуальный), там в Хоровице про это пишется.

Рекомендую читать 3-е издание Хоровица.

Для простоты я представляю импеданс только по постоянному току. Теперь понятно - при подключении низкоомной нагрузки входной импеданс при ОЭ "прогнется" бОльше чем при схеме с ОК. Таким образом ОЭ предназначен для небольшого входного импеданса и большого выходного. Т.е. по сути выход ОЭ - это источник напряжения управляемый током базы. А у ОК большой входной импеданс и малый выходной. Получается источник тока управляемый током.
Пока остановился на таком понимании.

DmitriS
Ну почти так. Но малый выходной импеданс означает, по науке, источник напряжения, ну и наоборот.

Так что выход эмиттерного повторителя (низкоомный) - фактически источник напряжения, а выход (коллектор) транзистора, включенного по схеме ОЭ - фактически источник тока.

Ой и вправду попутал. Конечно у идеального источника напряжения внутреннее сопротивление стремится к нулю, а у идеального источника тока к бесконечности) Когда то давно это преподавали. Пока вопросов нету. Буду читать потихоньку дальше.

А на всех кремниевых транзюках падает 0,65В или нет? А то я тут читал про БП, там пишут что на регулирующем транзюке стабилизатора потеряется почти 1,5В

Соник
Если говорить про прямосмещенный переход БАЗА-ЭМИТТЕР, то вроде у всех. Но зависит от тока (нелинейно, графики смотри в справочниках), и от температуры (почти линейно, уменьшается на 2мВ на градус цельсия). Так что может быть от 0,5В (малый ток, горячо), до 1 В (большие токи, мороз).

Хотя для очень мощных транзисторов может и больше. А для составных (вроде КТ827) - там внутри типа два транзистора, два последовательно включенных перехода Б-Э, соответственно вдвое больше суммарное напр. Б-Э.

Падение 1,5 В на регулирующем транзисторе... может имеется в виду напряжение ЭМИТТЕР-КОЛЛЕКТОР, которое может быть 0,2...(до граничного напржяения транзистора)?

Странно. Я думал что при нагревании сопротивление проводников уменьшается и ток возрастает, а у полупроводников наоборот увеличивается...
Вообще я говорил про ЭМИТТЕР-КОЛЛЕКТОР

Ну 0,65...0,8В - это напряжение на прямосмещенном p-n-переходе, т.е. диоде, например, или переходе Б-Э (который в рабочем режиме всегда прямосмещен). Еще переход Б-К, если сместить в прямом направлении (тестером прозванивать, например), то тоже. Но Б-К обычно (всегда) обратно смещен.

А ЭМИТТЕР-КОЛЛЕКТОР - там может быть что угодно, от 0,2В (когда транзистор в насыщении) до... в общем, от схемы зависит. И это не p-n переход, а типа два перехода подряд - Э-Б прямосмещенный и Б-К обратносмещенный. Абстрактно это можно представить как переменный резистор, управляемый током базы.

А что такое насыщение? Это когда ток через КЭ перестает увеличиваться при увеличении тока БЭ? Ну то есть когда транзистор уже полностью открыт?

Да, когда транзистор полностью открыт. Так транзистор работает в ключевом режиме, например, то есть или полностью открыт, или полностью закрыт. Чтобы ключевой биполярный транзистор был гарантированно полностью открыт, ему в базу дают побольше тока, с запасом (десятикратным). Тем более в состоянии насыщения коэффициент усиления по току уменьшается.

Не, тогда я не понимаю, почему на БЭ падение 0,65...0,8В, а на ЭК - где два перехода подряд падение всего 0,2В? Что-то с математикой не вяжется

Тем не менее, факт. Такой вот странный прибор этот биполярный транзистор.

ну ток б-э как и б-к вообще говоря условность (щас запинают). физически есть полезный ток к-э от которого из за совсем не полезной рекомбинации отщепляется паразитный ток базы. значимым является разница потенциалов б-э, а ток - это неприятность.

конечно реально ток б-к не течет, притекая на коллектор ему некуда деться кроме как завернуть на эмиттер. но пространственная конфигурация носителей в базе реально меняется, если при нормальной работе избыток носителей в базе только возле эмиттера, то в насыщении и возле коллектора

И это справедливо для транзисторов обоих проводимостей?

Как можно узнать из справочника http://www.chipinfo.ru/dsheets/transistors/1837.html какое падение напряжения будет на КЭ при определённом токе? 0,5А; 1А; 1,5А; 2А?


Похоже у меня уже перегрузка

Uкэн - напряжение насыщения К-Э при каком-то токе коллектора и токе базы(коэфициент насыщения влияет на напряжение насыщения).