Делитель R1 и R2 рассчитывается на основании падения напряжения на базе, а падения напряжения на базе это сумма Uэ + (0,7...0,6 падение перехода), без Uэ делитель не рассчитать. Какой величины должна быть Uэ, все пишут разное.


На стр. 97 в книге токовые зеркала


А что не так в этой формуле? Ты мне ранее написал, что Rэ должно равно быть 0 Ом? По закону Ома, при Rэ=0 Ом, ток I=U/R = I=U/0 = ток будет равен 0.



Насколько "пушта" она должна быть меньше, формулы и расчеты подкрепи.

Добавлено after 3 minutes 22 seconds:


Почитал...
Насколько верна вами выведенная формула Rэ = (Uб-0,7 В)/Iк ?

Формула верная, выведена давно в вумных книгах)) Ведь именно ЭМИТТЕРНЫЙ резистор определяет ток КОЛЛЕКТОРА в этой схеме. Ток коллектора равен току эмиттера минус ток базы, можно считать что коллекторный и эмиттерный равны. Погрешность небольшая.

То есть, задаются напряжением на базе.
Соответственно на эмиттере на 0,6 вольта меньше.
Исходя из этого считают эмиттерный резистор по закону Ома.

Добавлено after 5 minutes 44 seconds:
А вобще бросай Хоровицхилла, эти ребята ничему хорошему не научат)) Зайдите на сайт club155.ru там в разделе теории ОЧЕНЬ просто и понятно расписана работа биполярных, полевых, всевозможных МОП транзисторов и нетолько. (не реклама)

Добавлено after 2 minutes 22 seconds:

при расчёте каскада отталкиваемся от значения Uб. Через него находим Uэ, как описал раньше.

1)Что касается конкретного значения сопротивления RЭ, то в усилителях с ОЭ обычно выбирают RЭ≈0,1⋅RК
2)Дополнительное сопротивление в цепи эмиттера должно быть таким, чтобы смещение было стабильным (хороший результат дает сопротивление, в 10 раз меньшее коллекторного).

Одна из цитат - из club155, вторая - ХиХ. Эти ребята ничему хорошему не научат (не реклама)

А как иначе? Начинать объяснения с нескольких каскадов и только потом переходить к одному-единственному?

В защиту ХиХ: в последней, третьей редакции на стр. 96 написано следующее:

In this case RE has been chosen about 0.1RC, for ease of biasing: if RE is too small, the emitter voltage will be much smaller than the base-emitter drop, leading to temperature instability of the quiescent point as VBE varies with temperature.

Вполне корректно, кмк, и относится к одной конкретной схеме, которую они приводят на рисунке.

Вот ведь. И лампы припомнили, и на ХХ наехали. А почитать и посчитать? Читаем ХХ. "Дело в том, что падение напряжения на переходе база-эмиттер равное ~0.6В зависит от температуры (относительное изменение составляет примерно -2.1 мВ/С)". Теперь считаем. В температурном диапазоне 50 градусов (например, -10...+40) изменение напряжения база-эмиттер dUэ будет чуть больше 100 мВ. На сколько изменится напряжение на коллекторе? Очевидно, на dUэ*Rк/Rэ. Сколько это в цифрах? При Rк/Rэ=10 это будет порядка 1В. Вполне приемлемо при 10-20В питания и, следовательно, на эту величину можно ориентироваться, чтобы не углубляться в детальный расчет.

ХиХ в защите не нуждаются. Это учебник, расчитаный на односеместровый курс, а я помню, как в 80-е, когда книга появилась в СССР, её читали студенты-старшекурсники и инженеры, узнавая из неё для себя много нового. В институтах многое давалось настолько заумно, что применить знания к практике было затруднительно.

Нет, не то.
У каскада с ОЭ два применения: ключ и усилитель напряжения в составе ОУ.
В обоих случаях отсутствует Rэ и не применяется термостабилизация ни в каком виде.
Если ОЭ - усилитель напряжения, резисторные цепи задания рабочей точки отсутствуют, как класс.
Вот это и надо рассказывать, а не тот бред, что в учебниках.

Добавлено after 14 minutes 59 seconds:

По закону вопросов нет. С арифметикой у тебя беда.

А как же токозадающий резистор в эмиттере динамической нагрузки этого самого усилителя напряжения?

Динамическая нагрузка - это не усилитель с ОЭ, а нагрузка. Функция этого резистора, мягко говоря, другая. Потому и последствия его применения абсолютно противоположные.

Книга написана в 1980г, в схеме любого радиоприёмника, телевизора или магнитофона половина транзисторов в схеме с общим эмиттером. А то, что сейчас она неактуальна (ключи всё чаще на полевых транзисторах, а до того, что внутре у микросхемы, дело, как правило, есть только разработчикам этой микросхемы), это значения не имеет. Зная общие принципы, читатель до остального додумается сам. Об общей базе, насколько я помню, в ХиХ вообще ничего не сказано.

Да и просто иногда бывает в хозяйстве нужен отдельный усилительный каскад. Что-нибудь в тракте ПЧ с пьезокерамическим фильтром согласовать, например.
В третьем издании ХиХ есть немного про общую базу, но в основном в составе каскода. Про каскод там много всякого.

Все дискретные УНЧ построены по принципу интегральных ОУ, есть и дискретные ОУ.

Добавлено after 2 minutes 34 seconds:

Всеми руками - за. Общие принципы не должны быть отягощены всякой экзотической мурой типа термостабилизации ОЭ эмиттерным резистором.

Почему константа равна (0,1) - 10% от сопротивления резистора коллектора, почему не (0,05) 5% или (0,2) 20%. У некоторых она вообще 0,2 - 0,5 ...

Добавлено after 6 minutes 48 seconds:


Конкретно по резистору в эмиттерной цепи есть что сказать? Пока вижу глупости и советы избавится от этого резистора установив по твоему совету "резистор" - перемычку с сопротивлением ноль Ом.
С арифметикой беда у тебя, так как на ноль без плавающей запятой нельзя делить.

Не важно, плавает запятая или уже утонула, при делении на ноль получается не ноль, а бесконечность.
Глупости ты видишь потому, что сам глуп до крайности.

Что-то я не понял, по какому поводу спор? Чувствую, что оба не правы...
(То, что усилители собираются далеко не всегда по схеме ОУ - видимо, кое для кого будет новостью...)
Эмиттерный резистор в каскаде ОЭ имеет единственное назначение: местная ООС, всё остальное - следствия, не нужна местная ООС - не нужен и резистор, усиление в бесконечность не уйдет, так как структура транзистора имеет некий эквивалент этого резистора в своём составе...

Делить на ноль можно, но только ноль. R=U/I, но резистор остаётся резистором и когда лежит на столе, никуда не подключенный.

При этом, как и должно быть, получается неопределённость: сопротивление этого резистора неизвестно. Читать то, что на нём написано, бесполезно: у меня ещё в СССР была куча бракованных резисторов МЛТ, маркировка у которых была совершенно от балды: реальное сопротивление абсолютно не соответствовало написанному.

Хм, этот "эквивалент", называемый сопротивлением тела эмиттера, - прямое следствие уравнения Эберса-Молла:

Ie=Is*(exp(Ube/Ut)-1), где Is - обратный ток, а Ut - температурный потенциал, равный 26 милливольт

dIe=Is*exp(Ube/Ut)*(1/Ut)*dUbe
dUbe/dIe=Ut/(Is*exp(Ube/Ut))
Считая Is*exp(Ube/Ut) приближенно равным Is*(exp(Ube/Ut)-1)=Ie, запишем:

dUbe/dIe=Ut/Ie или Re=Ut/Ie

Но усиление транзисторного каскада ограничивается не только сопротивлением тела эмиттера, но и внутренним сопротивлением коллектора, равным Uy/Ic, где Uy - напряжение Эрли, порядка 100В для n-p-n транзистора.
Интересно, что теоретически предельное усиление транзисторного каскада не зависит от тока коллектора и равно Uy/Ut, примерно 4000.

С практической точки зрения важна даже не абсолютная величина усиления каскада (обычно, число усилительных каскадов не трудно увеличить...), а достижимый уровень нелинейности... Меня удивляет то, что производство транзисторов улучшенной линейности не так уж распространено, информации о таких приборах мало...

Скорее линейности