Каскад с общим эмиттером.

Transformer-V

[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=3999349#p3999349"]Полагаю, что автор книги имел в виду следующее. Сопротивление R1 || R2 в основном определяется сопротивлением нижнего резистора делителя. Если оно примерно равно Rэ, то токи делителя и эмиттера примерно (в пределах нескольких раз) равны. И только 1/β часть этого тока отбирается в базу из делителя. Расточительно, но зато стабильно. Книга 60-х годов, транзисторы были паршивыми. Величина β в несколько десятков - уже была очень хорошей.[/uquote]

Делитель R1 и R2 рассчитывается на основании падения напряжения на базе, а падения напряжения на базе это сумма Uэ + (0,7...0,6 падение перехода), без Uэ делитель не рассчитать. Какой величины должна быть Uэ, все пишут разное.

[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=3999349#p3999349"]На 97 странице в книге описаны токовые зеркала.Перепроверил. Зеркал не вижу. Раздел называется "Biasing the common-emitter amplifier", подраздел "Bypassed emitter resistor". Там нет совета, каким именно должно быть падение напряжения на Rэ, но есть совет, каким его уж точно делать не следует.[/uquote]
На стр. 97 в книге токовые зеркала

[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=3999497#p3999497"]Чо, с делением проблемы?
Я даже не спрашиваю, где ты откопал эту"формулу"?[/uquote]
А что не так в этой формуле? Ты мне ранее написал, что Rэ должно равно быть 0 Ом? По закону Ома, при Rэ=0 Ом, ток I=U/R = I=U/0 = ток будет равен 0.

[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=3999497#p3999497"]Пушта чем меньше Rэ, тем больше коэффициент усиления каскада.[/uquote]

Насколько "пушта" она должна быть меньше, формулы и расчеты подкрепи.

Добавлено after 3 minutes 22 seconds:
[uquote="DJ_club",url="/forum/viewtopic.php?p=3999501#p3999501"]Пару страниц назад я задавал вопрос по такой же схеме (картинка не сохранилась).

коэффициент усиления в самом первом приближении равен Rк/Rэ.

https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 5#p3789005[/uquote]

Почитал...
Насколько верна вами выведенная формула Rэ = (Uб-0,7 В)/Iк ?

Реклама

DJ_club

[uquote="Transformer-V",url="/forum/viewtopic.php?p=3999584#p3999584"]Насколько верна вами выведенная формула Rэ = (Uб-0,7 В)/Iк ?[/uquote]

Формула верная, выведена давно в вумных книгах)) Ведь именно ЭМИТТЕРНЫЙ резистор определяет ток КОЛЛЕКТОРА в этой схеме. Ток коллектора равен току эмиттера минус ток базы, можно считать что коллекторный и эмиттерный равны. Погрешность небольшая.

То есть, задаются напряжением на базе.
Соответственно на эмиттере на 0,6 вольта меньше.
Исходя из этого считают эмиттерный резистор по закону Ома.

Добавлено after 5 minutes 44 seconds:
А вобще бросай Хоровицхилла, эти ребята ничему хорошему не научат)) Зайдите на сайт club155.ru там в разделе теории ОЧЕНЬ просто и понятно расписана работа биполярных, полевых, всевозможных МОП транзисторов и нетолько. (не реклама)

Добавлено after 2 minutes 22 seconds:

без Uэ делитель не рассчитать. Какой величины должна быть Uэ, все пишут разное.

при расчёте каскада отталкиваемся от значения Uб. Через него находим Uэ, как описал раньше.

Реклама

HochReiter

1)Что касается конкретного значения сопротивления RЭ, то в усилителях с ОЭ обычно выбирают RЭ≈0,1⋅RК
2)Дополнительное сопротивление в цепи эмиттера должно быть таким, чтобы смещение было стабильным (хороший результат дает сопротивление, в 10 раз меньшее коллекторного).

Одна из цитат - из club155, вторая - ХиХ. Эти ребята ничему хорошему не научат (не реклама)

12943 писал(а):Вот именно это - возня с одним единственным каскадом и есть признак ламповой схемотехники

А как иначе? Начинать объяснения с нескольких каскадов и только потом переходить к одному-единственному?

lumped.net

HochReiter писал(а):Дополнительное сопротивление в цепи эмиттера должно быть таким, чтобы смещение было стабильным (хороший результат дает сопротивление, в 10 раз меньшее коллекторного).

В защиту ХиХ: в последней, третьей редакции на стр. 96 написано следующее:

In this case RE has been chosen about 0.1RC, for ease of biasing: if RE is too small, the emitter voltage will be much smaller than the base-emitter drop, leading to temperature instability of the quiescent point as VBE varies with temperature.

Вполне корректно, кмк, и относится к одной конкретной схеме, которую они приводят на рисунке.

Реклама

El-Eng

Вот ведь. И лампы припомнили, и на ХХ наехали. А почитать и посчитать? Читаем ХХ. "Дело в том, что падение напряжения на переходе база-эмиттер равное ~0.6В зависит от температуры (относительное изменение составляет примерно -2.1 мВ/С)". Теперь считаем. В температурном диапазоне 50 градусов (например, -10...+40) изменение напряжения база-эмиттер dUэ будет чуть больше 100 мВ. На сколько изменится напряжение на коллекторе? Очевидно, на dUэ*Rк/Rэ. Сколько это в цифрах? При Rк/Rэ=10 это будет порядка 1В. Вполне приемлемо при 10-20В питания и, следовательно, на эту величину можно ориентироваться, чтобы не углубляться в детальный расчет.

Реклама

HochReiter

ХиХ в защите не нуждаются. Это учебник, расчитаный на односеместровый курс, а я помню, как в 80-е, когда книга появилась в СССР, её читали студенты-старшекурсники и инженеры, узнавая из неё для себя много нового. В институтах многое давалось настолько заумно, что применить знания к практике было затруднительно.

Реклама

12943

[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=3999618#p3999618"]

12943 писал(а):Вот именно это - возня с одним единственным каскадом и есть признак ламповой схемотехники

А как иначе? Начинать объяснения с нескольких каскадов и только потом переходить к одному-единственному?[/uquote]
Нет, не то.
У каскада с ОЭ два применения: ключ и усилитель напряжения в составе ОУ.
В обоих случаях отсутствует Rэ и не применяется термостабилизация ни в каком виде.
Если ОЭ - усилитель напряжения, резисторные цепи задания рабочей точки отсутствуют, как класс.
Вот это и надо рассказывать, а не тот бред, что в учебниках.

Добавлено after 14 minutes 59 seconds:
[uquote="Transformer-V",url="/forum/viewtopic.php?p=3999584#p3999584"]По закону Ома, при Rэ=0 Ом, ток I=U/R = I=U/0 = ток будет равен 0.[/uquote]
По закону вопросов нет. С арифметикой у тебя беда.

lumped.net

[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=4000225#p4000225"]Если ОЭ - усилитель напряжения, резисторные цепи задания рабочей точки отсутствуют, как класс.[/uquote]
А как же токозадающий резистор в эмиттере динамической нагрузки этого самого усилителя напряжения?

12943

Динамическая нагрузка - это не усилитель с ОЭ, а нагрузка. Функция этого резистора, мягко говоря, другая. Потому и последствия его применения абсолютно противоположные.

HochReiter

12943 писал(а):У каскада с ОЭ два применения: ключ и усилитель напряжения в составе ОУ.

Книга написана в 1980г, в схеме любого радиоприёмника, телевизора или магнитофона половина транзисторов в схеме с общим эмиттером. А то, что сейчас она неактуальна (ключи всё чаще на полевых транзисторах, а до того, что внутре у микросхемы, дело, как правило, есть только разработчикам этой микросхемы), это значения не имеет. Зная общие принципы, читатель до остального додумается сам. Об общей базе, насколько я помню, в ХиХ вообще ничего не сказано.

lumped.net

Да и просто иногда бывает в хозяйстве нужен отдельный усилительный каскад. Что-нибудь в тракте ПЧ с пьезокерамическим фильтром согласовать, например.
В третьем издании ХиХ есть немного про общую базу, но в основном в составе каскода. Про каскод там много всякого.

12943

[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=4000577#p4000577"], а до того, что внутре у микросхемы, дело, как правило, есть только разработчикам этой микросхемы),[/uquote]
Все дискретные УНЧ построены по принципу интегральных ОУ, есть и дискретные ОУ.

Добавлено after 2 minutes 34 seconds:
[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=4000577#p4000577"]Зная общие принципы, читатель до остального додумается сам.[/uquote]
Всеми руками - за. Общие принципы не должны быть отягощены всякой экзотической мурой типа термостабилизации ОЭ эмиттерным резистором.

Transformer-V

[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=3999618#p3999618"]1)Что касается конкретного значения сопротивления RЭ, то в усилителях с ОЭ обычно выбирают RЭ≈0,1⋅RК[/uquote]

Почему константа равна (0,1) - 10% от сопротивления резистора коллектора, почему не (0,05) 5% или (0,2) 20%. У некоторых она вообще 0,2 - 0,5 ...

Добавлено after 6 minutes 48 seconds:
[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=4000225#p4000225"]По закону вопросов нет. С арифметикой у тебя беда.[/uquote]

Конкретно по резистору в эмиттерной цепи есть что сказать? Пока вижу глупости и советы избавится от этого резистора установив по твоему совету "резистор" - перемычку с сопротивлением ноль Ом.

С арифметикой беда у тебя, так как на ноль без плавающей запятой нельзя делить.

12943

Не важно, плавает запятая или уже утонула, при делении на ноль получается не ноль, а бесконечность.
Глупости ты видишь потому, что сам глуп до крайности.

Сообщение As » Сб мар 20, 2021 07:53:28

Что-то я не понял, по какому поводу спор? Чувствую, что оба не правы...

(То, что усилители собираются далеко не всегда по схеме ОУ - видимо, кое для кого будет новостью...)
Эмиттерный резистор в каскаде ОЭ имеет единственное назначение: местная ООС, всё остальное - следствия, не нужна местная ООС - не нужен и резистор, усиление в бесконечность не уйдет, так как структура транзистора имеет некий эквивалент этого резистора в своём составе...

HochReiter

Делить на ноль можно, но только ноль. R=U/I, но резистор остаётся резистором и когда лежит на столе, никуда не подключенный.

mickbell

При этом, как и должно быть, получается неопределённость: сопротивление этого резистора неизвестно. Читать то, что на нём написано, бесполезно: у меня ещё в СССР была куча бракованных резисторов МЛТ, маркировка у которых была совершенно от балды: реальное сопротивление абсолютно не соответствовало написанному.

El-Eng

As писал(а):... структура транзистора имеет некий эквивалент этого резистора в своём составе...

Хм, этот "эквивалент", называемый сопротивлением тела эмиттера, - прямое следствие уравнения Эберса-Молла:

Ie=Is*(exp(Ube/Ut)-1), где Is - обратный ток, а Ut - температурный потенциал, равный 26 милливольт

dIe=Is*exp(Ube/Ut)*(1/Ut)*dUbe
dUbe/dIe=Ut/(Is*exp(Ube/Ut))
Считая Is*exp(Ube/Ut) приближенно равным Is*(exp(Ube/Ut)-1)=Ie, запишем:

dUbe/dIe=Ut/Ie или Re=Ut/Ie

Но усиление транзисторного каскада ограничивается не только сопротивлением тела эмиттера, но и внутренним сопротивлением коллектора, равным Uy/Ic, где Uy - напряжение Эрли, порядка 100В для n-p-n транзистора.
Интересно, что теоретически предельное усиление транзисторного каскада не зависит от тока коллектора и равно Uy/Ut, примерно 4000.

Сообщение As » Сб мар 20, 2021 11:11:34

С практической точки зрения важна даже не абсолютная величина усиления каскада (обычно, число усилительных каскадов не трудно увеличить...), а достижимый уровень нелинейности... Меня удивляет то, что производство транзисторов улучшенной линейности не так уж распространено, информации о таких приборах мало...

Gudd-Head

[uquote="As",url="/forum/viewtopic.php?p=4000720#p4000720"]достижимый уровень нелинейности[/uquote]
Скорее линейности