aen писал(а):Lavr писал(а):Так что крутизну тут ввести вольно
Ну почему же?
Все зависит какие параметры транзистора как четырехполюсника мы возьмем для анализа.
...
Совершенно с вами согласен, потому и заметил, что и "
крутизну тут ввести вольно"...
Но с учетом того, что вы здесь расматривали каскад ОЭ, а не занимались абстрактным пересказом учебника для высшей школы, для начинающего коллеги, то я и предложил,
что для простоты понимания здесь правильнее говорить о параметре h21, как "
коэффициенте усиления тока базы в схеме с ОЭ - h21=dIк/dIб (dIк - приращение тока коллектора, вызванное приращением тока базы dIб)".
Можем вспомнить, что параметры четырехполюсника имеют физический смысл и связаны
между собой определёнными формулами...
Я ж не призывал всех к проявлению своей эрудиции и цитатам из учебников и иных источников?
Ни в чьей компетенции я не собираюсь сомневаться, но в
популярном расчёте для анализа схемы ОЭ
параметр
h21 и расчёт каскада на его основе мне представляется как достаточно
простым, так и физичным, а значит - понятным.
Как написано в многих источниках у транзистора (как впрочем и у другого активного элемента) можно найти очень много коэффициентов усиления (если захотеть), от которых в любительских расчетах (да и не только в любительских) толку мало.