а вам тут всё довольно просто и объясняют , пока вы не начинаете задавать вопросы - тогда из объяснения участников разговора я сам мало что понимаю
и поверьте - дебри ВЫ сами создаёте
лучше всего вам почитать основы схемотехники или электроники . про транзисторы , логику диоды и фото-диоды , -транзисторы , -резисторы . трёхступенчатая гауссовка с точки зрения электроники реализуется не очень сложно , но приходится вручную подбирать расположение датчиков дабы уловить самый подходящий момент включения и компенсировать различные задержки на ёмкостях .
по поводу тирристора - я диву дался когда его увидел

чесслово !

зачем вам такой ? я понимаю что надо коммутировать довольно приличные токи и большие напряжения , НО ! этот тирристор способен коммутировать токи до 200 Ампер в постоянном режиме ! вам это не нужно , т.к. токи такой величины у вас импульсные ( т.е. один не сильно длинный импульс , потом - закрытие и ожидание зарядки кондёров ) . посмотрите лучше в сторону полевых импортных транзисторов . вроде бы на форуме pro-radio.ru была тема про полевой транзистор рассчитанный на ток в 750А в импульсном режиме . не поленитесь скачать на него даташит - alldatasheets.com . потом уже по даташиту смотрите максимальное напряжение исток-сток (Drain-Source Voltage) , ток в импульсном режиме - Drain current (pulse peak value) ( а лучше посмотреть на сопротивление канала в открытом режиме - Drain-source on-state resistance оно должно быть как можно меньше и от него собственно зависит максимальный ток в бОльшей мере ) , затем смотрим на напряжение на затворе относительно не помню стока или истока , при котором переход откроется на 100% - Gate threshold voltage , после этого смотрим на ёмкость затвора - Input capacitance ( в пикофарадах . чем меньше - тем быстрее будет происходить зарядка завтора и открытие транзистора ( и разрядка тоже ) и влияет на силу тока при зарядке полностью разряженного затвора ) , но этот параметр нужен лишь для оценки необходимости драйвера управления транзистором и его мощности , и в конце концов смотрим на время выхода транзистора в рабочий режим ( т.е. полного открывания ) - Turn-on rise time . этот параметр в оптических системах особой роли не сыграет , но лучше чтобы время было меньше и зависит оно напрямую от ёмкости затвора .
приведу пример по IRFZ44N -
Drain-source voltage - 55V --- для низковольтных цепей
Drain current (pulse peak value) - 160А --- можно использовать для низковольтных гауссов
Gate threshold voltage - max-4V --- для полного открытия нужно подать 4 вольта на затвор не помню относительно чего
Drain-source on-state resistance - 22мОм --- 22 миллиома - сопротивление в полностью открытом режиме ( довольно хорошее сопротивление ! )
Input capacitance - 1800пФ --- довольно много и лучше использовать драйвер
Turn-on rise time - 75ns --- 75 наносекунд . в схеме с микроконтроллером необходимо будет делать поправку исходя из этой величины .
при выборе полевика смотрите на первые две величины , ну а затем смотрите две следующие , если первые вам подходят . остальные в вашем случае можно пропустить .
прикреплю картинку с переводом обозначений ног . ( картинку делал для себя , так что ногами не пинать

из расширения убрать .txt ).
если всё это поймёте - могу продолжить погружать вас в электронику
