Мелкие вопросы по теории

Сообщение **aen** » Пт июл 25, 2008 21:13:40

Если ты всё ещё пытаешься ШИМ демодулировать, то может тебе всего лишь это нужно.
http://rf.atnn.ru/s1/shim_d.htm

Steam

спасибо!

можете ещё кинуть ссылку или объяснить про зависимость сдвига фазы в последовательном LC контуре(формулы и т.д.)?

---------

Нашёл формулы сам. Тангенс угла сдвига фаз равен отношению реактивного сопротивления колебательного контура к активному сопротивлению контура. т.е. tgj = х/r.

Vertuoz

У меня такой вопрос возник: в обучении про транзисторы там есть задачка. Решение задачи такое, что сопротивление резистора равно 2700 Ом. Но почему 2700Ом=2,7кОм??? Ведь кило - это 1*10^3 Следовательно, если 2700*10^3, то получим 2700000Ом???

Паятель

Но почему

Ну вообще-то по правилу образования величин с помощью кратных приставок. 2700 надо делить на 10^3, а не умножать.

Vertuoz писал(а):...почему 2700Ом=2,7кОм??? Ведь кило - это 1*10^3

Все правильно. Если мы умножим 1 Ом на тысячу, то получим 1 килоом. То есть получается, что 1000 Ом = 1 кОм. А 2000 Ом = 2 кОм.
Поэтому 2700 Ом = 2,7 кОм
Вы же не станете 2700 грамм умножать на тысячу, чтобы получить 2,7 килограмм. А то по-вашему выходит, что 2700000 грамм это 2,7 кг. а не 2,7 тонн :))

Vertuoz

Ой, точно... :shock:

спасибо большое за ответ!!! :wink:

ArtemKuchin

Ну коли "мелкие" вопросы по теории тут пишем, то я сюда же и бросаю свою.

Два банальных вопроса:

1) Разница потенциалов с транзюке между базой и эмиттером маленькая, а между базой и коллектором большая. Вопрос: почему? Из-за чего так происходит? Каковая физика процесса?

2) Входное сопротивление у транзюка маленькое, выходное - большое. И везде пишут, что последний факт - это хорошо. А я не понимаю, чего хорошего то в этом большом выходном сопротивлении?

artemm писал(а): Разница потенциалов с транзюке между базой и эмиттером маленькая, а между базой и коллектором большая. Вопрос: почему? Из-за чего так происходит? Каковая физика процесса?

Ну почему же большая. Не всегда. В режиме насыщения очень даже маленькая.
Я, конечно, не буду оригинальна, отправляя читать литературу. Но, обычно, после прочтения начинают задавать более конкретные вопросы. Физику описывать долго и утомительно.
Я начинала изучать работу транзистора с книжки Айсберга "Транзистор - это очень просто" этак в классе девятом или десятом...Потом, что было непонятно, спрашивала у папы.

ArtemKuchin

Света писал(а):
artemm писал(а): Разница потенциалов с транзюке между базой и эмиттером маленькая, а между базой и коллектором большая. Вопрос: почему? Из-за чего так происходит? Каковая физика процесса?

Ну почему же большая. Не всегда. В режиме насыщения очень даже маленькая.
Я, конечно, не буду оригинальна, отправляя читать литературу. Но, обычно, после прочтения начинают задавать более конкретные вопросы. Физику описывать долго и утомительно.
Я начинала изучать работу транзистора с книжки Айсберга "Транзистор - это очень просто" этак в классе девятом или десятом...Потом, что было непонятно, спрашивала у папы.

Именно эту книжку я и читаю и именно по не и возникли эти вопросы. Там это просто сказано как факт, тема не раскрыта.

Mr.Twister

Kodi

Вот вот будем читать такие книжки на таком уровне и останимся. Советую почитать Степаненко основы транзисторов и транзисторных схем 1973 года издания. Или основы микроэлектроники. автор тот же.
Там всё расписывается и расказывается. А физика вкратце такая эмитерный переход включён в прямом направлении а коллекторный в обратном. Эметер инжектирует в базу электроны(если транзистор n-p-n) или дырки (если транзистор p-n-p). В базе часть носители зарада рекомбинируют но оснавная часть носителей заряда доходит до коллекторного перехода, поле которого является ускоряющим для неосновных носителей заряда базы. Есть ещё такое явление как модуляция толщины базы: толщина базы есть функция от напряжения на коллекторе. Т.к. когда п-н переход включен в прямом направление то он сужается а когда в обратном он расширяется. На счёт входного и выходного сопротивления. Это будет зависить от того по какой схеме включен транзистор. Если с ОЭ то входное сопротивление маленькое, но зато такой каскад даёт усиление по напряжению, если с ОК то входное сопротивление большое, но такой каскад не даёт усиление по напряжению, этот каскад называют эмитерным повторителем. Почитайте Степаненко очень полезная книга.

ArtemKuchin

Эх народ, народ. Спасибо, конечно, за желание помочь, но. пожалуйста. прочтите мой вопрос. Я не спрашивал КАК РАБОТАЕТ ТРАНЗИСТОР, у меня был конкретный вопрос по конкретному моменту в его работе, который в книгах в деталях не освещен. Это был вопрос номер один.
А номер два видать все игнор пустили.

artemm писал(а):...везде пишут...

Везде - это где?
Про схемы включения уже написали выше.
А плохо это или хорошо - для разных случаев по-разному. Обычно выходные и входные сопротивления разных каскадов стараются согласовать для передачи сигналов без потерь

ArtemKuchin

Света писал(а):
artemm писал(а):...везде пишут...

Везде - это где?
Про схемы включения уже написали выше.
А плохо это или хорошо - для разных случаев по-разному. Обычно выходные и входные сопротивления разных каскадов стараются согласовать для передачи сигналов без потерь

Везде - это в 3-х книжках, которые я прочел. Можен книги туфта или еще что не так. Я просто не могут понять что в этом именно хорошего?

И еще, если у меня источник напряжения в выходном каскаде у которого стоит транзюк, то получается что у источника будет высокое выходное сопротивление? Это же плохо! (в смысле, обычно неудобно).

И все-таки. почему в этого айсберга сказано, что между базой и коллектором намного бОльшая разность потенциалов, чем между базой и эмиттером?

Пухич

1) На КБ-переходе обратное напряжение (он закрыт) и оно обычно велико (если транз скорее закрыт, чем открыт). А на БЭ-переходе (который обычно всегда открыт) напряжение соответственно малое (0.6-0.7 вольта). Ибо это кремниевый переход. Мы с тобой уже вели спич на тему героических БЭ-переходов. Помнишь опыты?

Исключительной м.б. ситуация глубокого насыщения (в случае с ключом). Там КБ-переход может инвертироваться, т.е. открыться.

2) Ну ничего плохого я не вижу в большом или малом сопротивлении выхода транза. Тут по схеме надо смотреть.

artemm писал(а):И все-таки. почему в этого айсберга сказано, что между базой и коллектором намного бОльшая разность потенциалов, чем между базой и эмиттером?

Потому, что переход база-эмиттер находится в открытом состоянии, а база-коллектор - в полузакрытом

Kotische

artemm писал(а):И еще, если у меня источник напряжения в выходном каскаде у которого стоит транзюк, то получается что у источника будет высокое выходное сопротивление? Это же плохо! (в смысле, обычно неудобно).

А где ты Уважаемый нашел источник напряжения в транзисторном каскаде?! :evil:

Биполярный транзистор, вообщето, всю жизнь считался ТОКОВЫМ прибором! И в колекторе у него ИСТОЧНИК ТОКА величина которого равна входному току базы помноженному на h21.
Выходное напряжение появляется ТОЛЬКО когда этот ток протекает через сопротивление нагрузки.
И большое выходное сопротивление - это ХОРОШО потому что поставив в нагрузку высокоомный резистор, можно получить большое усиление по напряжению.
Но можно и не получить, если сделать через (_*_)

Пухич

А где ты Уважаемый нашел источник напряжения в транзисторном каскаде?!
Биполярный транзистор, вообщето, всю жизнь считался ТОКОВЫМ прибором! И в колекторе у него ИСТОЧНИК ТОКА величина которого равна входному току базы помноженному на h21.
Выходное напряжение появляется ТОЛЬКО когда этот ток протекает через сопротивление нагрузки.

Он говорил об источнике напряжения, на выходе которого транз. Видимо стабилизатор делает.

И большое выходное сопротивление - это ХОРОШО потому что поставив в нагрузку высокоомный резистор, можно получить большое усиление по напряжению.

Подкрепите свое утверждение схемой. Ибо можно ваши слова по-разному трактовать, если схемы нет.

ArtemKuchin

тол и я с простуда плохо свои мысли выражаю, то ли сегодня никто не понимает чего говорю.
Ну не важно. Пухич все понял

По поводу выходного сопротивления. Все таки я не понимаю, чего хорошего если выходнео сопротивление источника велико. Ведь чем оно выше, тем выше в общем то общее эквивалентное внутреннее сопротивление такого источника, и на фиг нам такой источник в высоким R?

Пухичу: я пока стабилизатор не делаю, это все теория.

Дело в том, что внутреннее сопротивление этого источника меняется. То есть оно зависит от тока в цепи базы. Чем больше базовый ток, тем сильнее открывается переход база-коллектор , значит, меньше сопротивление. Это сопротивление может быть очень большим - базового тока нет, транзистор закрыт, ток коллектора нулевой. Или маленьким - базовый ток большой, транзистор полностью открыт, ток коллектора максимальный.

Форум РадиоКот