Объясните, пожалуйста. В an-1160 сказано, что минимальная частота переключения получается при максимальной нагрузке и минимальном входном напряжении. Там на рисунке 9 приведена эквивалентная схема замещения, где вторичная сторона приведена к первичной. Если нагрузка максимальная, индуктивность Lm уменьшается, разве при этом резонансная частота контура не повышается? Не понимаю про связь резонансной частоты и частоты переключения. А они должны быть связаны. То есть микросхема должна толкать ключи в моменты резонанса, так?
Есть три участка. В третий мы не лезем, там переключение при нуле тока (хотя в ПДФ-ке 2004 года "Выбор силовых транзисторов" рассматривается режим ZCS и работа в нем), работать нужно во втором, а в первом - всегда резонанс (и что с того?). Мы работаем во втором диапазоне, частота переключения меняется от нижней резонансной до Fr1 (зависит только от резонансных индуктивности и конденсатора). Объясните дураку на пальцах, а то защита в понедельник уже, почему минимальная резонансная частота будет при максимальной нагрузке. Приложил документацию.
И еще, если не сложно, прямо по всем этим рисункам, что по осям находится?
Микросхема ничего не понимает, она просто изменяет частоту в зависимости от сигнала ОС. Работаем на правом спаде резонансной кривой, т.е. на индуктивной составляющей. Как бы это печально не звучало - резонансный преобразователь никогда не работает в резонансе
Прибор, защищённый предохранителем, сгорает первым, защитив предохранитель. Закон Мерфи.
Резонансный преобразователь работает на резонансе паразитной индуктивности и емкости , причем в номинальном режиме (Uвх , Pвых) частота переключения равна резонансной.Транс считается на минимальную частоту (для Uвх мин), чтобы был запас регулирования.Еще важный момент - ток намагничивания используется для перезаряда общей точки полевиков Vs node ,выбирается минимально возможный ДТ.
zato4nik, ты не прав.
он никогда не работает на резонансной частоте, даже в номинальном режиме.
почитай, что такое последовательный резонанс, и чему равно сопротивление контура при резонансе.
Мудрость приходит вместе с импотенцией...
Когда на русском форуме переходят на Вы, в реальной жизни начинают бить морду.
а теперь прочитай на приведенной тобой картинке самое последнее предложение, над формулой.
на всякий случай дам перевод: регион частоты переключения выше резонансной частоты.
Мудрость приходит вместе с импотенцией...
Когда на русском форуме переходят на Вы, в реальной жизни начинают бить морду.
В первом и втором. Вот текст пояснительный , более полно можно прочитать в статье "Разработка полумостового резонансного преобразователя на основе IRS2795" в журнвле "Электронные компоненты" №3 2011г , или скачать статью http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php? ... 2&start=60
а ты так и не вспомнил, чему равно сопротивление контура (идеального) на резонансной частоте?
нулю оно равно. то есть, полное КЗ.
да, теоретически можно работать как на правом склоне резонансной кривой, так и на левом.
но проще обратной связью повышать частоту, чем понижать. именно поэтому обычно частота переключения выше резонансной.
Мудрость приходит вместе с импотенцией...
Когда на русском форуме переходят на Вы, в реальной жизни начинают бить морду.
если сопротивление последовательного контура равно нулю на частоте резонанса и это плохо то на кой там стоит силовой транс для преобразования энергии ради которого все это и задумывалось. (тем более что данное сопротивление имеет переменный вид из-за реактивных составляющих Lx-Cx контура). резонансники и задумывались чтобы переключение силовых транзюков происходило при нулевом токе или напряжении для снижения потерь на них. В an-1160 четко нарисовано в графиках форма тока и напряжения в силовом контуре не совпадают.
если я некорректен поправьте.
тушенку производят для того чтобы продавать , а не есть.
zato4nik писал(а):
В статье написано индуктивность первички- Lp , она складывается из Lm - ндуктивности намагничивания ,и Lr - индуктивности утечки (рассеивания).Lr измеряется с закороченной вторичкой , Lp- c незамкнутой вторичкой.
Например по расчетам у меня получилось что Lm=200мкГн, Lr=40 мкГн, Lp= 240 мкГн. Я намотал транс, получил индуктивность первичной обмотки 200 мкГн, индуктивность рассеяния 10 мкГн. То есть мне надо уменьшит зазор, чтоб получит индуктивность первички 210, тогда Lm будет равна 210-10=200 мкГн. Индуктивность дроселя должна быть 40-10=30 мкГн. Я правильно понимаю? Подскажите пожалуйста...
Starichok51, ок, спасибо. Еще вопрос есть... в ходе моих экспериментов, сгорела микросхема 27951...транзисторы irfp460 остались целыми... сгорела при включении от сети. когда включал через лампу накаливания 100Вт, все вродибы работало. трансформатор нагружен на автомобильные (5А) лампочки, соединенные последовательно, м/с питается от отдельного источника, обратная связь отключена. Последовательность моих действий такая: включил через лампочку, оптопара закорочена, частота около 150 кГц, блок питания завелся... На затворах красота... включил напрямую, без лампочки, бп вошел в защиту... включил через лампочку, без перемычки на оптопаре, частота около 60 кГц - бп завелся, включил напрямую - сгорела мс(((
я так понимаю проблема в "мертвом времени"?
