p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

Если гепотетически предположить, что кол-во подвижных электронов в P-области увеличилось до числа как в проводнике, при этом не трогая параметры самого PN-перехода, в этом случае - обратный ток остался бы таким же небольшим ?
Аватара пользователя
Kotische
Опытный кот
Сообщения: 885
Зарегистрирован: Сб июл 19, 2008 02:16:33
Откуда: Саратов

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Kotische »

"Это фантастика" (С) :)))

Количество свободных электронов определяется количеством примесей-доноров и температурой.
Электроны несут заряд, котороый создает поле, больше чем может вместить кристалл (нейтрализовать заряд полем ионов) ты туда запихать не сможешь, т.к. электроны создадут объемный заряд поле которого будет сдерживать поступление в кристалл новых электронов.
Аватара пользователя
peg
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 165
Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
Откуда: г. Армавир Краснодарского края
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение peg »

Lander писал(а): значит электроны из минуса источника двигаются и "заходят" в P-область, "толкая" уже сущесвующие подвижные электроены в P-области, которые проходят черех PN-переход и далее на плюс источника питания, но что мешает большому кол-ву электронов войти в P-область, а не только кол-ву пропорциональному кол-ву сущесвующих неосновных подвижных электронов P-области ?

Ужас какой!
Ваша ошибка в том, что на самом деле в p-области нет электронов, только дырки.
Аналогично, в n-области носители заряда только электроны, дырок нет. А вы все в кучу мешаете.

Собственная проводимость полупроводника в диодах и транзисторах вредна, ее уменьшают (а вернее увеличивают примесную проводимость) насколько возможно. Поэтому на начальном этапе ее вообще надо игнорировать, и только когда придет понимание механизма проводимости, работы запирающего слоя, инжекции неосновных носителей и т.д., можно будет рассматривать вредную собственную проводимость в виде обратных токов и токов утечки.
Vendein_RaZoR
Сверлит текстолит когтями
Сообщения: 1158
Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Vendein_RaZoR »

Вопрос теперь у меня по контакту металл-полупроводник :
Для начала хотелось бы уточнить по работе выхода электрона с уровня Ферми при контакте металл - полупроводник n типа :
Какие силы совершают работу по выходу электрона с уровня Ферми в n ? Некоторые электроны в металле свободно смогут перейти в зону проводимости конечно при комнатной , но если даже они там будут , то они разве не будут оказывать влияния на выход электронов в n материале ? Металл это же не материал p типа . Получается положительный ион металла при работе выхода металла большей работе выхода электрона притянет электрон сильнее чем образовавшийся положительный ион в ПП n типа ? :dont_know:

В итоге получается так что ли ? : Работа выхода по-другому характеризуется силой притяжения положительного иона материала (силой электрического поля) , если поле притягивает электрон больше - работа меньше и наоборот . То есть тот кто притягивает сильнее сумеет совершить меньшую работу по выходу электрона с уровня Ферми , который на запрещенной зоне ,на границу перехода и следовательно образовать потенциальный барьер ? Так что ли ? :dont_know:
Тогда получается работа выхода также определяется порядковым номером таблицы Менделеева того вещества которое создает поле которое сильнее поля того вещества у которого работа выхода больше ?
Аватара пользователя
peg
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 165
Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
Откуда: г. Армавир Краснодарского края
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение peg »

Vendein_RaZoR писал(а):Вопрос теперь у меня по контакту металл-полупроводник :
Для начала хотелось бы уточнить по работе выхода электрона с уровня Ферми при контакте металл - полупроводник n типа :
Какие силы совершают работу по выходу электрона с уровня Ферми в n ? Некоторые электроны в металле свободно смогут перейти в зону проводимости...

Вы прикалываетесь?
Зачем все это?
Там просто омический контакт. Просто маленькое сопротивление, никаких переходов.
Или вы диод Шоттки имеете в виду?
Так может, вначале с обычным разобраться?
Vendein_RaZoR
Сверлит текстолит когтями
Сообщения: 1158
Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Vendein_RaZoR »

Или вы диод Шоттки имеете в виду?

Ну допустим даже так
Аватара пользователя
Kotische
Опытный кот
Сообщения: 885
Зарегистрирован: Сб июл 19, 2008 02:16:33
Откуда: Саратов

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Kotische »

peg писал(а):Вы прикалываетесь?

Блин, знакомый рассказывал историю.
Если кто помнит, в Советское время с хорошими книгами тогда была ситуация сложная,
фиг чё купишь, только на мукулатуру или по блату...
Поехал он как то в то время в среднюю азию, и зашел в книжный магазин, а там чего только нет,
хочешь Дюма, хочешь Жульверн... типа программа насаждения культуры у узбеков...
Он на радостях набрал целую телегу книг а кассирша интересуется "вы по узбекски хорошо читаете?".
У чела непонятки - на всех книжка всё по русски написано, автор, название...
Открывает, а внутри всё русскими буквами, но слова все не русские. :shock:
Расстроился он и вернул все книги назад, только "Три мушкетёра" одну книгу оставил, в качестве сувенира.
Вобщем вернулся домой в Россию и подарил приятелю на день рождения.
Тот на следующий день звонит с матюками.
Говрит "встаю с утра с легкого похмела, думаю надо подарочек почитать, открываю, и впадаю в ступор, все буквы русские, а прочитать ни слова не могу, всё думаю - белочка пришла" :shock:


Вот и у меня от некоторых сообщений в этой теме такое же ощущение как у того приятеля,
вроде слова все русские, и даже в предложения складываются иногда,
а чего спросить то хотят ну убей не понимаю! Пичалька однако! :cry:
Vendein_RaZoR
Сверлит текстолит когтями
Сообщения: 1158
Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Vendein_RaZoR »

Ну это хотя бы понятно ?
Работа выхода по-другому характеризуется силой притяжения положительного иона материала (силой электрического поля между ионом и электроном) , если поле притягивает электрон больше - работа меньше и наоборот . То есть тот кто притягивает сильнее сумеет совершить меньшую работу по выходу электрона с уровня Ферми (который на запрещенной зоне) на границу перехода и следовательно образовать потенциальный барьер ?


Просто в данном случае речь идет не про омический переход , а как раз таки про выпрямляющий :wink:
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

peg писал(а):
Lander писал(а): Ваша ошибка в том, что на самом деле в p-области нет электронов, только дырки.


И за счет чего тогда обратный ток получаеться ??
Vendein_RaZoR
Сверлит текстолит когтями
Сообщения: 1158
Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Vendein_RaZoR »

Обратный ток - это прежде всего ток дрейфа . Он получается из за того что из p области выгоняются основные носители n области тобишь электроны (ну и наоборот) . Если допустим повышается температура или попадает свет , то обратный ток увеличивается - это следствие перехода электронов из p области в n . А происходит это за счет того что под действием температуры и света электрон срывается с уровня Ферми в зону проводимости (энергии тепла и света ему достаточно для этого) и возвращается обратно в n под воздействием электрического поля :wink:
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

Vendein_RaZoR ты прикалываешся ?

peg писал(а): Ваша ошибка в том, что на самом деле в p-области нет электронов, только дырки.


то обратный ток увеличивается - это следствие перехода электронов из p области в n



Этот вопрос я задал Peg`у.
Vendein_RaZoR
Сверлит текстолит когтями
Сообщения: 1158
Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Vendein_RaZoR »

Ох блин :) , он имел ввиду изначально при температуре 0 К :) А так электроны из n переходят в p и там уже ионизируют атомы которым не хватает электрона для связи , всё это происходит пока не установится так называемое равновесие
Вы хотя бы понимаете что такое собственная и примесная проводимость ? Это вы походу путаете тоже :wink:
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

Конечно понимаю.

Видимо он подумал, что я имею ввиду под электронами P-области - основные заряды, хотя конечно же имел ввиду неосновные, те, что формируют обратный ток.
Аватара пользователя
peg
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 165
Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
Откуда: г. Армавир Краснодарского края
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение peg »

Lander писал(а):Видимо он подумал, что я имею ввиду под электронами P-области - основные заряды, хотя конечно же имел ввиду неосновные, те, что формируют обратный ток.

Чет я уже потерялся, что мы тут обсуждаем?
Уровень Ферми, кто-то там что-то ионизирует или иронизирует, нулевая температура, зоны - ничего не понимаю.
Вроде речь шла об обычном p-n переходе?
Vendein_RaZoR писал(а):А так электроны из n переходят в p и там уже ионизируют атомы которым не хватает электрона для связи , всё это происходит пока не установится так называемое равновесие

Ничего они там не ионизируют, а просто рекомбинируют с дырками.

Vendein_RaZoR'у: а Вы в одном вопросе столько всего намешать умудряетесь, что непонятно, как это вообще разгребать. Проще надо быть.
Я вот вижу, не надо вам пока во все эти зоны, ферми и прочее... лезть.
Разберитесь пока с дырками и электронами. Примесной проводимости. Не трогайте основную, пусть пока она вас не касается.
А уже когда прояснится, тогда можно и тонкостями заняться.
Vendein_RaZoR
Сверлит текстолит когтями
Сообщения: 1158
Зарегистрирован: Ср июн 22, 2011 21:14:17
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Vendein_RaZoR »

Разберитесь пока с дырками и электронами. Примесной проводимости. Не трогайте основную, пусть пока она вас не касается.
А уже когда прояснится, тогда можно и тонкостями заняться.

Да вроде и так разобрался с основами ...
Ничего они там не ионизируют, а просто рекомбинируют с дырками.

Ну да .... Сперва то до рекомбинации в ковалентной связи же атом нейтрален , а потом прилетает электрон на вакантное место и атом уже имеет отрицательный заряд , я что то путаю ??? :shock:
Аватара пользователя
Kotische
Опытный кот
Сообщения: 885
Зарегистрирован: Сб июл 19, 2008 02:16:33
Откуда: Саратов

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Kotische »

Это типа такой сарказм?!

Вообщето, дырка - она как бы несет положительный заряд, т.е. является в некотором смысле ионом.
А прилетевший электрон, компенсирует положительный заряд отрицательным,
и в результате рекомбинации получается нейтральный атом.
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

peg писал(а):Чет я уже потерялся, что мы тут обсуждаем?
Уровень Ферми, кто-то там что-то ионизирует или иронизирует, нулевая температура, зоны - ничего не понимаю.
Вроде речь шла об обычном p-n переходе?



Уважаемый Peg, привидите пожалуйста мое сообщение где я пишу про уровень ферми :) Это Вейдан_разор про это пишет.

Я же обсуждаю обычный PN-переход. :)

Продублирую мое сообещение с дополнениемм в скобках, на которое Вы написали ужас какой :)

Значит электроны из минуса источника двигаются и "заходят" в P-область, "толкая" уже сущесвующие подвижные (неосновные) электроены в P-области, которые проходят черех PN-переход и далее на плюс источника питания, но что мешает большому кол-ву электронов войти в P-область, а не только кол-ву пропорциональному кол-ву сущесвующих неосновных подвижных электронов P-области ?
Аватара пользователя
peg
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 165
Зарегистрирован: Чт дек 09, 2010 19:47:18
Откуда: г. Армавир Краснодарского края
Контактная информация:

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение peg »

Lander писал(а):Значит электроны из минуса источника двигаются и "заходят" в P-область, "толкая" уже сущесвующие подвижные (неосновные) электроены в P-области, которые проходят черех PN-переход и далее на плюс источника питания, но что мешает большому кол-ву электронов войти в P-область, а не только кол-ву пропорциональному кол-ву сущесвующих неосновных подвижных электронов P-области ?

Ничего не мешает. Так и бывает. Это называется инжекция неосновных носителей и инверсия проводимости.
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

Для меня, например, никогда не была
наглядной зонная теория проводимости. Она оперирует состояниями в пространстве энергетических уровней, что весьма абстрактно. А образование/движение электронов-дырок в электрическом поле представить очень легко.



Это называется инжекция неосновных носителей и инверсия проводимости.


Спасибо :) :)
Lander
Держит паяльник хвостом
Сообщения: 953
Зарегистрирован: Вт июн 22, 2010 08:11:42

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)

Сообщение Lander »

А как учавствует паразитная емкость PN-перехода ? Я как понял, емкость PN-перехода влияет только при обратном подключении ?
Ответить

Вернуться в «Теория»