Все о биполярном транзисторе.

dimitriy91

Ico - обратный ток коллекторного перехода. Насколько я понял эта формула показывает , насколько сильно уменьшается коэффициент передачи эмиттерного тока вследствие встречного движения обратного (теплового) тока коллектора.Т.е. при движении двух потоков навстречу друг другу, тока Iк и Iко , рекомбинируют друг с другом и этим уменьшают Ik и следовательно к. передачи.

Реклама

Vendein_RaZoR

Всё таки так и не совсем понял работу схем включения транзистора . К примеру возьмем схему с общей базой p-n-p транзистора :
Входное сопротивление намного меньше выходного , следовательно усиление идет только по напряжению то есть электрону требуется намного большая энергия для преодоления потенциального барьера созданного источником в цепи коллектора (ток в цепи коллектора равносилен току при обратном включении диода ) Всё так объснил ?
Ну не совсем конечно равносилен , электрическое поле разгоняет дырки из области эммитера и перебрасывает их в область коллектора через потенциальный барьер
Ну в смысле переход к-б ведет себя практически также как и обратно включенный диод ?

Реклама

dimitriy91

Vendein_RaZoR

Чего опять не так ???
ЗЫ Гусева не предлагать !

Пока читать с компа нет возможности

Реклама

peg · Сообщение **peg** » Ср июл 11, 2012 20:32:19

Vendein_RaZoR писал(а):Всё таки так и не совсем понял работу схем включения транзистора . К примеру возьмем схему с общей базой p-n-p транзистора :
Входное сопротивление намного меньше выходного , следовательно усиление идет только по напряжению то есть электрону требуется намного большая энергия для преодоления потенциального барьера созданного источником в цепи коллектора (ток в цепи коллектора равносилен току при обратном включении диода ) Всё так объснил ?
Ну не совсем конечно равносилен , электрическое поле разгоняет дырки из области эммитера и перебрасывает их в область коллектора через потенциальный барьер

Валяюсьпадсталом! ;D
Слушай, конечно, прикольно тебя читать, но лучше ты почитай, Хоровица и Хилла к примеру. Там так все наглядно объясняют. А если что, тут уже конкретно спросишь.

Реклама

mickbell

Да хоть и вот тут: http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=21&t=74682 Есть уже один школ... в смысле, интересующийся, тоже вопросы задаёт...

Реклама

Stalkerk750

dimitriy91 писал(а):Ico - обратный ток коллекторного перехода. Насколько я понял эта формула показывает , насколько сильно уменьшается коэффициент передачи эмиттерного тока вследствие встречного движения обратного (теплового) тока коллектора.Т.е. при движении двух потоков навстречу друг другу, тока Iк и Iко , рекомбинируют друг с другом и этим уменьшают Ik и следовательно к. передачи.

Спасибо вам огромное за объяснение!)

Грендайзер

Всем доброго времени суток. Хочу задать вопрос про составные транзисторы используемые в бестрансформаторных транзисторных УЗЧ. А конкретнее, зачем нужен резистор R1(рисунок б), что мешает включить транзисторы как на рис. а

dimitriy91

Для повышения быстродействия.Ничего не мешает.

Грендайзер

dimitriy91 писал(а):Для повышения быстродействия.Ничего не мешает.

да, это я впринципе то же осознал... но за счёт чего оно (быстродействие) повышается? В книгах по этому вопросу очень скупо написано. Мол протекают по этим резисторам обратные токи а как да чего не описано.

hybroid

Рассасывать заряд надо чем-то. Вот этот резистор и служит для этих целей. Без него, при закрытом первом транзисторе, случится нехорошая вещь - база второго будет висеть "в воздухе".

Грендайзер

hybroid писал(а):Рассасывать заряд надо чем-то. Вот этот резистор и служит для этих целей. Без него, при закрытом первом транзисторе, случится нехорошая вещь - база второго будет висеть "в воздухе".

Т.е. первый транзистор уже закрылся благополучно, а второй ещё открыт... правильно я понимаю? И, следовательно, с этой точки зрения этот резистор должен бы быть поменьше номиналом?(в идеале)

hybroid

Да, для быстрого закрытия, в разумных пределах. А идеалы.. В идеале надо брать готовый транзистор дарлингтона, ИМХО. TIP142/TIP147, например.

Грендайзер

Всё ясно, спасибо))

hybroid писал(а):В идеале надо брать готовый транзистор дарлингтона, ИМХО. TIP142/TIP147, например.

Завалялось несколько дискретных транзисторов на приличную мощу... вот и решил им применение найти, не выбрасывать же))

dimitriy91

Всё же вернусь к прошлому вопросу ( рисовал долго =)))) ) .

http://radiokot.ru/forum/download/file. ... &id=115109

При отключение нагрузки VT1 запирается относительно быстро, тогда как база VT2 остаётся "оборванной" (место разрыва указано стрелкой ) и единственный элемент разрядки для Cдиф остаётся rэ = 0.025/Iэ , если же есть резистор R , то тогда заряд накопленный в области базы будет разряжаться с постоянной времени t = ( R||rб||rэ ) * Сдиф . Понятно , что rэ и так имеет маленькое сопротивление , тогда для уменьшения пост. времени , R должно быть достаточно малым , в идеале равно 0 , тогда и t = 0, но если выбрать R достаточно малым , то упадёт усиление по току . Так что необходимо прийти к компромиссу. Удачи.

dimitriy91

Завалялось несколько дискретных транзисторов на приличную мощу... вот и решил им применение найти, не выбрасывать же))

Я прошу прощения , но как понять выражение - "завалялось несколько дискретных транзисторов" ??? Могут интегральные заваляться ????

Грендайзер

dimitriy91 писал(а):Всё же вернусь к прошлому вопросу ( рисовал долго =)))) ) .

http://radiokot.ru/forum/download/file. ... &id=115109

При отключение нагрузки VT1 запирается относительно быстро, тогда как база VT2 остаётся "оборванной" (место разрыва указано стрелкой ) и единственный элемент разрядки для Cдиф остаётся rэ = 0.025/Iэ , если же есть резистор R , то тогда заряд накопленный в области базы будет разряжаться с постоянной времени t = ( R||rб||rэ ) * Сдиф . Понятно , что rэ и так имеет маленькое сопротивление , тогда для уменьшения пост. времени , R должно быть достаточно малым , в идеале равно 0 , тогда и t = 0, но если выбрать R достаточно малым , то упадёт усиление по току . Так что необходимо прийти к компромиссу. Удачи.

Огромное спасибо за то, что не поленились объяснить и нарисовать. Теперь действительно многое прояснилось, и стало понятно, а то в книжках почему то ничего подобного найти не мог

.

dimitriy91 писал(а):
Завалялось несколько дискретных транзисторов на приличную мощу... вот и решил им применение найти, не выбрасывать же))
Я прошу прощения , но как понять выражение - "завалялось несколько дискретных транзисторов" ??? Могут интегральные заваляться ????

Ну если взять топор и микросхемку.... то почему нет

Транзисторы Дарлингтона, это ведь. насколько мне известно, не просто схема включения отдельных транзисторов, но и сами "транзисторы" в интегральном исполнении и общем корпусе... у меня они кстати то же есть (несколько штук) но я решил их в ход не пущать пока

AdAn

При таком включении полевика, полевик может сгореть? Полевик рассчитан на 200 вольт (предположим), питание 100 вольт. Нагрузка лампа, на сколь-нибудь ватт. А то чет туплю, а проверить такое включение в данный момент немогу:)

dimitriy91

зависит от нагрузки, а именно от протекающего через канал тока, он не должен превышать максимальное паспортное значение. А в чём прикол схемы??? вам нужен ключ на полевом транзисторе ???? Данная схема это проводник резистор и батарейка . В чём прикол???

AdAn

Прикола никакого нет. Да, нужно от части ключ. Т.е. если подам на затвор 100 вольт относительно истока, то транзистор не сгорит? Ограничение тока на затворе - это само собой