Мелкие вопросы по теории

alkarn

"между верхним концом анода и нижним" - это чтото совсем непонятное.
Анод - трубочка в вакуумном баллоне дампы, и ни до верхнего, ни до нижнего конца ее не добраться.
За исключением редких случаев, которые оговариваются, все напряжения измеряются относительно общего провода, корпуса.
Если надо узнать напряжение на сетке относительно катода, так и пишут: напряжение сетка-катод.
Падение на резисторе Ur=Ea-Ua. Графики правильнее было бы изобразить так:

u_g.JPG: (16.88 КБ) 308 скачиваний

Реклама

Penter

alkarn писал(а): Падение на резисторе Ur=Ea-Ua.
u_g.JPG

Ua - это напряжение на аноде? А Ea - ЭДС?
Нас же интересует падение на резисторе, ведь его мы передаем в следующий каскад?

Реклама

alkarn

Еа - напряжение источника анодного питания.
Если это не УПТ (Усилитель Постоянного Тока), то на сетку следующего каскада передаётся через конденсатор изменение напряжения на аноде, переменная составляющая. Например, на аноде +200 вольт постоянного, на которое наложена синусоида амплитудой 5 вольт, на сетку следующего каскада подаётся эта синусоида 5 вольт.
А она одна и та же, что на аноде, что падение на резисторе.

Да, правильно Просто Кот поправил - все верно для схемы с общим катодом, но она в 99% случаев применяется, поэтому для начинающих на другие можно не отвлекаться.

просто КОТ

Напряжение на резисторе и равно как раз разнице между напиряением питания и напряжением на аноде.

НО! Это верно только для каскада с общим катодом!

Реклама

ДАНДАН

можно ли сделать термопару из нихромовой и манганиновой проволоки?
как узнать каким проводом намотана нагревательная спираль (не знаю от чего) нихромовым или манганиновым?
Где взять нихромовую проволоку диаметром от 0.1 до 0.8мм???
Где взять манганиновую проволоку диаметром от 0.1 до 0.8мм???

Реклама

Zinovaleks95

В строительно-технических магазинах спроси нагревательные спирали

Реклама

hybroid

Посмею поправить Свету. Напряжение на аноде - это напряжение анод-катод лампы. В основном на лампе все напряжения меряют относительно катода, будь то анод, другие сетки многосеточных ламп.. Если в схемах с автосмещением (а это 99% схем, ибо 99% людям лень городить источник питания для фиксированного смещения

) если вы измерите напряжение на аноде относительно земли, то получится не то - будет напряжение на аноде + смещение управляющей сетки.
В схемах с фиксированным смещением - там да, можно относительно земли, т.к. катод обычно на земле сидит.

просто КОТ писал(а):Напряжение на резисторе и равно как раз разнице между напиряением питания и напряжением на аноде.

Тоже самое.. Смотри выше, будет ещё плюс автосмещение сетки. В маломощных лампах с лютым и бешеным Ку, в малосигнальном режиме, это может быть не так актуально, ибо смещение обычно маленькое. А вот в мощных выходных каскадах, где смещение может быть 20, 30, а то и 40 вольт - это уже даёт нормальную погрешность

Даже взять малютку 6Н23П и посчитать на ней пуш-пул в классе AB - смещение надо задавать где-то 10-12 вольт, насколько я помню. Если вместо 6Н23П взять пентоды 6П14П - то будет ещё больше.

ДАНДАН писал(а):можно ли сделать термопару

Термопары можно сделать почти из чего угодно. Какой будет "выхлоп" у вашей термопары.... тут надо поискать данные из курса физики, с универа помню какую-то интересную табличку с разными металлами, напрягайте гугл. Но моё ИМХО вам советует прост окупить термопару от китайского мультиметра. Так же в схемотехнике не забывайте корректировать температуру холодного спая, т.к. термопара "показывает" разницу температур.

hybroid писал(а):Посмею поправить Свету. Напряжение на аноде - это напряжение анод-катод лампы...

Если рассматривается конкретная схема, то в схеме все измерения делаются относительно корпуса. Поэтому, если на схеме возле анода стоит значение, например, 200 В, то это напряжение измерено относительно корпуса и применительно к схеме говорят о напряжении на аноде, которое равно напряжению корпус - анод. Если говорится о параметрах лампы, то, конечно, это напряжение катод-анод.

Vendein_RaZoR

Один вопрос по p-n переходу есть :
Почему при инжектировании неосновных носителей заряда из сильно легированной области (эммитера) в слабо легированную (базу) заряд накапливается на границе запирающего слоя ? Разве электрическое поле созданное внешним источником не разгоняет частицы (прямое смещение перехода) с границы перехода ?
Или всё таки небольшой запирающий слой через которые туннелируют основные и неосновные носители удерживает частицы ?

alkarn

И иллюстрация к сказанному.

Ламп_ус.JPG: (85.03 КБ) 343 скачивания

Относительно корпуса удобнее мерять - "крокодилом" за шасси зацепил, и тыкайся одним концом куда надо, и ничего писать не надо, относительно чего намеряно.

Penter

Скажите пожалуйста, не ли тут опечатки? По-моему катод первой лампы должнен быть присоединен к "-"?

hybroid

По идее должен. Так работать не должно

Только не катод, а катодный резистор.

Vendein_RaZoR

Мой вопрос никто не видел ?

hybroid

Хрень какая-то, а не вопрос. Смею предположить, что многих уже просто достали эти дебри в каждом вашем вопросе. Советую взять в руки любой учебник по физике полупроводников для ВУЗов и сушить себе мозги с ним наедине.

просто КОТ

Во-во! Смысл работы транзистора я представляю, а физику полупроводника -- не особо!

FreshMan

Vendein_RaZoR писал(а):Почему при инжектировании неосновных носителей заряда из сильно легированной области (эммитера) в слабо легированную (базу) заряд накапливается на границе запирающего слоя ?

если по деревенски то так: представте себе два войска, например козаки и ляхи, которые мчатся по полю навстречу друг другу в сражении......., во время ихнего столкновения больше всего затор будет около граници......., в вашем случае аналогичная ситуация.....

Жожик

Уважаемые Коты.

Помогите разобраться в понятии " Частота единичного усиления". Либо ткните носом, где этому уделено подробное внимание. Поиск по сайту результатов не дал, а то что пишут, мне очень затруднительно понять.

С уважением.

Если просто, то в транзисторе имеются реактивные элементы, паразитные ёмкости, паразитные индуктивности и всё это влияет на усиление транзистора на высоких частотах. Чем больше частота, тем усиление транзистора меньше. Вот частота, на которой коэффициент усиления транзистора становится равным единице, то есть, транзистор на этой частоте уже не усиливает сигнал, и называется "частотой единичного усиления".
А "подробное внимание" уделяется в учебниках, например книге Степаненко, и это будет "очень затруднительно понять"...

Vendein_RaZoR

если по деревенски то так

Не , по-деревенски не пойдет

Именно нужно объяснить на уровне квантовой механики . Например какими силами вызвано это скопление на границе ? Ведь при прямом смещении перехода движение электронов и дырок противоположно , то есть рекомбинация или генерация может же произойти в любом месте полупроводника ? Тогда почему именно на границе идет скопление ? Всё таки же существует потенциальный барьер на границе сквозь который туннелируют носители ? Не из за него идет скопление частиц ?

FreshMan

Vendein_RaZoR, тогда вдумчиво читайте ликбез по этому делу....., просто так тут ничего не вырвешь......., нужно пересказывать целые страници