Т.е. чем больше обратная связь, тем ближе функция y=kx к y=f(x-y/k)?ну просто тогда примите без доказательств, что если есть некая хитроизогнутая y=f(x), какая угодно, но монотонно растущая, то введя в нее обратную связь y=f(x-y/k) мы превращаем ее в функцию очень сильно похожую на y=k*x.
Все о биполярном транзисторе.
- Реклама
чем меньше наклон (коэффициент усиления) k*x которую мы хотим получить и чем больше при этом наклон f(x) из которой мы хотим ввести обратную связь - тем ближе результат будет к искомому k*x. когда вы прижимаете рабочую точку к нулю, то есть увеличиваете Uбэ в область более наклонной характеристики - вы как раз получаете вокруг этой рабочей точки более точную k*x. в операционных усилителях делают огроменный собственный коэффициент усиления (ничуть при этом не заботясь о его линейности, как раз для того чтобы с помощью обратной связи вы могли превратить его во что хотите, не заботясь на сколько характеристика уплывет от задуманной, за счет огромной разницы она не уплыветАндрейАвербах писал(а):Т.е. чем больше обратная связь, тем ближе функция y=kx к y=f(x-y/k)?
- Сообщения: 20
- Зарегистрирован: Сб апр 27, 2013 16:36:56
Всем привет. Скажите, а "h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером" это и есть КУС транзистора? если да, то почему он равен 30-120? разве число не должно быть положительным? и почему именно 30-120 а не -90? почему бы и сразу не написать сколько получиться? или это какае та "шифровка"?
Тема дубль.
Сюда перенес.
Учитесь пользоваться поиском по форуму.
aen
Тема дубль.
Сюда перенес.
Учитесь пользоваться поиском по форуму.
aen
- Сообщения: 6900
- Зарегистрирован: Ср май 05, 2010 13:31:29
- Реклама
Трансофрматор555 писал(а):Всем привет. Скажите, а "h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером" это и есть КУС транзистора? если да, то почему он равен 30-120? разве число не должно быть положительным? и почему именно 30-120 а не -90? почему бы и сразу не написать сколько получиться? или это какае та "шифровка"?
от 30 до 120
«Бремя доказательства лежит на том, кто утверждает, а не на том, кто отрицает.»
И Вас тоже вылечат!
И Вас тоже вылечат!
- Сообщения: 20
- Зарегистрирован: Сб апр 27, 2013 16:36:56
Блин,форумчане каюсь - ступил(((( Я подумал что вычитание а не знак тире. Так с этого созревает еще один вопрос почему от 30 до 120? ведь должна быть только 1 цифра? ил это его минимальные и максимальные нагрузки? а ток по формуле нужно расчитывать?
Это границы диапазона для конкретного транзистора. Нижняя обуславливает "пригодностьТрансофрматор555 писал(а): почему он равен 30-120?
Не мешайте мешать!
С." Ну почему Господь так долго не протянет нам руку помощи? И самое страшное: может быть он протягивает, но мы всё дольше и дольше этого не замечаем?"
С." Ну почему Господь так долго не протянет нам руку помощи? И самое страшное: может быть он протягивает, но мы всё дольше и дольше этого не замечаем?"
Трансофрматор555, это..
Создай своё высокоточное производство транзисторов и может цифра будет одна! без допусков и "ворот"
Создай своё высокоточное производство транзисторов и может цифра будет одна! без допусков и "ворот"
«Бремя доказательства лежит на том, кто утверждает, а не на том, кто отрицает.»
И Вас тоже вылечат!
И Вас тоже вылечат!
- Сообщения: 52
- Зарегистрирован: Пн май 27, 2013 17:02:32
Вопрос про транзистор:
Его основная суть в том, что напряжение и ток Эмиттер-Коллектор зависит от напряжения Эмиттер-База?
Небольшое напряжение Эмиттер-База создаёт гораздо бОльшее напряжение и ток Эмиттер-Коллектор?
Но фактически напряжение и ток Эмиттер-Коллектор создаёт источник питания Ек-э, а роль напряжения Эмиттер-База заключается в том, что оно путём уменьшения своей интенсивности увеличивает сопротивление участка Эмиттер-Коллектор, что вызовет падение напряжения и тока, создаваемого источником питания Ек-э?
Это позволяет малым переменным напряжением Эмиттер-База управлять (пропорционально изменять значение) более значительным напряжением Эмиттер-коллектор?
То есть сигнал, поданный на Базу, усиливается по напряжению и току на Коллекторе?
И это явление возникает в результате увеличения сопротивления напряжению Ек-э?
Это получается что-то типа продвинутого реле, позволяющего не быть простым вкл/выкл в цепи большого напряжения, а изменять это бОльшее напряжение на Э-К плавно, прямо пропорционально переменному напряжению на Э-Б?
Сюда перенес.
aen

Его основная суть в том, что напряжение и ток Эмиттер-Коллектор зависит от напряжения Эмиттер-База?
Небольшое напряжение Эмиттер-База создаёт гораздо бОльшее напряжение и ток Эмиттер-Коллектор?
Но фактически напряжение и ток Эмиттер-Коллектор создаёт источник питания Ек-э, а роль напряжения Эмиттер-База заключается в том, что оно путём уменьшения своей интенсивности увеличивает сопротивление участка Эмиттер-Коллектор, что вызовет падение напряжения и тока, создаваемого источником питания Ек-э?
Это позволяет малым переменным напряжением Эмиттер-База управлять (пропорционально изменять значение) более значительным напряжением Эмиттер-коллектор?
То есть сигнал, поданный на Базу, усиливается по напряжению и току на Коллекторе?
И это явление возникает в результате увеличения сопротивления напряжению Ек-э?
Это получается что-то типа продвинутого реле, позволяющего не быть простым вкл/выкл в цепи большого напряжения, а изменять это бОльшее напряжение на Э-К плавно, прямо пропорционально переменному напряжению на Э-Б?
Сюда перенес.
aen
Ну да, примерно так. Иногда (для малых сигналов, т.е. слабого переменного напряжения) считают, что на базу транзистора (вернее, переход Б-Э) приходит напряжение. Но вообще-то ток коллектора управляется током базы, в соответствии с коффициентом усиления h21э.
- Сообщения: 52
- Зарегистрирован: Пн май 27, 2013 17:02:32
А каково будет соотношение токов и напряжений в цепях Э-Б и Э-К, если обе цепи будут питаться от одного источника питания?
Очень часто есть именно один источник питания, но, обычно, имеется резистор нагрузки в цепи коллектора, делитель напряжения, подающий смещение на базу, токостабилизирующий резистор в цепи эмиттера...
Народ, а как определить сколько нужно тока в базу транзу BU508A чтобы он полностью открылся. Не могу найти, что это за параметр.

Зависит от тока коллектора. Ток базы в активном режиме однозначно определяет ток коллектора выражением iк = h21*iб . Для того , чтобы транзистор перешёл в насыщение необходимо , чтобы выполнялось неравенство iк < h21*iб.Biggy писал(а):Народ, а как определить сколько нужно тока в базу транзу BU508A чтобы он полностью открылся. Не могу найти, что это за параметр.
"Ленивый человек в бесчестном покое сходен с неподвижною болотною водою, которая, кроме смраду и презренных гадин, ничего не производит". М.В. Ломоносов
А если транз будет работать в ключевом режиме? Коммутировать будет катушку зажигания (бабину 12В). И что такое h21

Вообще для низкоомных потребителей, предпочтительней использовать МОП транзисторы. Они очень часто используются на индуктивную нагрузку, по этой причине внутри интегрирован защитный диод от ЭДС самоиндукции.Biggy писал(а):А если транз будет работать в ключевом режиме? Коммутировать будет катушку зажигания (бабину 12В).
"Ленивый человек в бесчестном покое сходен с неподвижною болотною водою, которая, кроме смраду и презренных гадин, ничего не производит". М.В. Ломоносов
МОП это IGB?



