Итак, продолжаем. Теперь транзисторы.
1) Zвх=(h+1)*Zнагрузки
Т.е. если на выходе (в качестве нагрузки) стоит другой транзистор, то
входной импеданс будет вообще нереально большим?
2) Zвых=Zист/(h+1)
Какое Zист имеется ввиду? Я так понял речь про источник для сигнала на базе. А источник для коллектора как же?
Или предполагается, что источник всегда один с одним и тем же импедансом?
3) не понял что с втеканием и вытеканием
Не понял, что значит "втекать же может ограниченное количество тока"? Как он вообще может втекать в эмиттер? Куда он дальше потечет? Там же диод! В базу он не может, а на коллекторе более положительное напряжение. Брр.
И уточню: при входе на базу менее -4.4В диод БЭ просто закроется и транзистор выключится. И все, на выходе зафиксируется на -5В.
Только вот я чего то не уверен в причине закрытия транзистора.
Каково условие открытости транзистора? Ну т.е. перехода его в закрутого состояния в активный режим? Если просто наличие тока на базе?
4) Сказано, что h21э (далее h для краткости) падает, если напряжение БК недостаточно высокое. Эта зависимости приводится в даташитах к транзисторам? Я просмотрел даташиты - не нашел там такого. Где брать?
5) Сказано, что h падает при малом напряжении БЭ. Тоже графиков зависимости не нашел. Где это брать?
6)
http://www.chipdip.ru/product0/10953.aspx
что за странный h = 0.5 ?
он что, не усилитель, а ослабитель? Зачем такое?
7) В разделе про эмиттерные повторители сказано, что если хочется обойти ограничение по отрицательном входу, то как вариант, можно использовать двухтактную схему. Именно ее мне рекомендовали использовать, когда я хотел динамик посадить на ногу atmega8. А я вот теперь думаю, а зачем? Ведь нога у меня была или 0 или +5. Что мне двухтактная схема там дала бы?
Вопрос на параллельную тему.
Для защиты транзисторов от индуктивностей
говорят ставить диоды в обратку в параллель с индуктивностью. А есть какое то быстрое практическое правило, позволяющее оценить возникающее напряжение и выбрать нужный диод для этого?
