Несколько позже сделаю.
Какие mosfet, IGBT со временем вкл/выкл порядка 1нс ?
У меня есть импульсы с драйвера на затвор с частотой 7... 9 МГц. Но сейчас нет времени включать и фотографировать...
Несколько позже сделаю.
Несколько позже сделаю.
- Реклама
- Сообщения: 113
- Зарегистрирован: Вт июн 04, 2013 18:43:54
ого, крута! то, что надо! буду ждать. тогда и схему с такой обвязкой, если можно,...
- Сообщения: 113
- Зарегистрирован: Вт июн 04, 2013 18:43:54
по драйверу UCC27325 (UCC37325) вопрос появился.
Правильно ли я понимаю, что это драйвер не верхнего и нижнего ключей, а именно два отдельных канала? и я могу получить тогда подключив к ним два ключа, сигнал как на приложенной картинке? т.е. второй ключ будет работать строго в промежутках работы первого, и это будет сохранятся даже при изменении скважности входного сигнала (управляем от генератора). верно?
также приложил даташит на драйвер.

Правильно ли я понимаю, что это драйвер не верхнего и нижнего ключей, а именно два отдельных канала? и я могу получить тогда подключив к ним два ключа, сигнал как на приложенной картинке? т.е. второй ключ будет работать строго в промежутках работы первого, и это будет сохранятся даже при изменении скважности входного сигнала (управляем от генератора). верно?
также приложил даташит на драйвер.
- Вложения
-
- UCC27323-25 UCC37323-25 drivers.pdf
- (214.64 КБ) 262 скачивания
-
- 2TR.gif
- (10.09 КБ) 965 скачиваний
- Сообщения: 113
- Зарегистрирован: Вт июн 04, 2013 18:43:54
спасибо за отличную картинку! что это за драйвер ? и именно вашу схему включения с обвязкой можно увидеть?
- Реклама
Тот самый,техасовский, 24-ый.
Обвязки там никакой особой нет. Резистор 5 ом в затвор и 10 ком с затвора на землю.
Форсирующий диод тут без нужды. Драйвер работает на пределе. Форсировать есть смысл ИГБТ. Там время рассасывания заряда больше, чем время заряда.
Обвязки там никакой особой нет. Резистор 5 ом в затвор и 10 ком с затвора на землю.
Форсирующий диод тут без нужды. Драйвер работает на пределе. Форсировать есть смысл ИГБТ. Там время рассасывания заряда больше, чем время заряда.



