Хоровиц Хилл Искусство схемотехники.

[rustot]

имеется в виду не Uкб, а Uкэ., что напряжение на коллекторе становится ниже напряжения на базе, оба относительно эмиттера. что "диод" база-коллектор становится смещен в прямом направлении, а не обратном

если в усилительном режиме ток ограничен количеством носителей, которые могут пересечь эмиттерный переход за секунду (а это количество регулируется как раз напряжением на базе_, то при насыщении ток ограничен извне, количеством зарядов поступающих на коллектор извне, через транзистор течет ток меньший чем сам транзистор мог бы пропустить и изменение напряжения базы практически не меняет этот ток, пока не уменьшится на столько, что выведет транзистор из насыщения, ограничив ток сильнее чем он ограничен извне

[den4ikks]

http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58kl9k.JPG
http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58h1ht.JPG
http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r589j2c.JPG
вот тут http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58h1ht.JPG сказано что для схемы 1 (из http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r589j2c.JPG ) насыщение будет достигнуто при Uк=1.2 В(отн.земли) , тогда как напряжение на базе Uб=1.6В(отн.з.) , а на эмитере 1В, т.е на эмитерном переходе упадет 0.6 В а на коллекторном 0.4В . В http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58kl9k.JPG пишут что переход коллектор-база большой диод с большим током Io(ур.Э-М) поэтому на переходе КБ будет падать напряжение меньшее чем на переходе ЭБ , но почему мне не ясно , при чем тут большой ток Io.

P.S. Извне это имеется введу нагрузка чтоли, и каким образом заряды поступают на коллектор извне, это извне звучит как будто они прилетают из космоса и садятся на коллектор)))).

[rustot]

в режиме насыщения не слишком большой ток коллектора, а слишком маленький. несмотря на то что режим используют для больших токов обычно, суть самого режима что ток коллектора слишком мал чтобы вывести транзистор из насыщения, как ни парадоксально звучит

при текущем напряжении Uбэ транзистор может пропустить допустим 100ма при минимальном падении напряжения на нем, и только при повышении тока сверх этой величины падение напряжения начнет экспоненциально расти. а запитан от от питания 5в через сопротивление 500 ом и значит ток больше 10ма просто не может течь - это и есть ограничение извне

[den4ikks]

а как насчет падения напряжения на переходах.
См.вопрос выше

Я был бы очень благодарен если бы вы мне книжечку или ссылочку какую-нибудь дали хорошую, где популярно написано про режим насыщения транзистора и все детали этого режима, а то так на пальцах без схем и пояснений плохо все проясняется

[rustot]

если Uбэ > Uбк это означало бы что Uк<Uэ и току с коллектора на эмиттер вообще нет никакого резона течь

режим насыщения все таки характеризуется моментом Uкэ<Uбэ (или просто Uк<Uб), а называть Uкэ падением на переходе как то не совсем корректно

[den4ikks]

как раз Uкэ падением на переходе никто не называл , а изначально я хотел узнать вот что:
http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37ttefn7y.JPG

почему напряжения Uбк=0.4В , а Uбэ=0.6В , при том что это как бы два одинаховых диода и для отпирания требуется по 0.6В

[rustot]

а коллекторный и не отперт. в усилительном режиме он заперт обратным напряжением, в режиме насыщение напряжение прямое, но недостаточное для отпирания

это же все таки не просто два диода. ток коллекторный течет не за счет отпирания перехода база-коллектор. отпирается переход база-эмиттер, но протекающие при открытии носители не достаются (почти) инициатору открытия - базе, а достаются нахаляву коллектору.

[den4ikks]

но я вообщем то про режим насыщения
блин это все мы знаем , вопрос состоял в другом
и почему в режиме насыщения напряжения не достаточно для отпирания , ведь два переходы смещены все таки в прямом направлении??

[rustot]

ну так какая характеристика у диода - экспоненциальная. если правильно помню увеличение напряжение на 60мв увеличивает ток перехода в 10 раз. то есть напряжения 0.4 и 0.6 отличаются в несколько тысяч раз по току. то есть по сравнению с 0.6 можно считать 0.4 запертым

диод отперт при любом прямом напряжении, теоретически. практически, если пикоамперы не считать током, он до какого то порогового напряжения считается запертым

[den4ikks]

тогда почему для этой схемы Х-Х пишут что при 1.2В на коллекторе наступит режим насыщения??
ну вот как раз здесь считается что для отпирания перехода нужно 0.6В(как для кремниевого диода) но для коллекторного перехода почему то 0.4В????

[rustot]

да не заключается режим насыщения в открытии перехода база-коллкетор. напряжение на коллекторе ниже чем на базе - это просто признак режима насыщения а не его причина. транзистор слишком сильно открылся, так сильно уменьшил "сопротивление" перехода коллектор-эмиттер что падение на нем стало ниже чем база-эмиттер. до нулевого падения он окрываться не умеет, а то до которого умеет - меньше диодного падения

[den4ikks]

спасибо, это вообщем я понял ,для данной схемы Uкэ=0.2В, так как Uбк=0.4В, а Uбэ=0.6В ,интересно еще каким боком ток Io влияет на то что Uбк<Uбэ ???

[rustot]

ну вот задали какой то Uбэ и зафиксировали. ему соответствует какой-то фиксированный Ik транзистора. если запитать коллектор через резистор и плавно сопротивление резистора уменьшать, то ток будет плавно расти, а напряжение Uкэ так и оставаться неизменным 0.2, транзистор является как бы ограничителем напряжения независимо от тока. но как только ток достигнет критической отметки Ik транзистор перестанет быть ограничителем напряжения и превратится в ограничитель тока, будет увеличивать свое сопротивление ровно настолько чтобы ограничить ток. ну характеристика у него такая Uk(Ik) с резким перегибом около граничного тока для заданного Uбэ. вот когда резистором задан ток меньше граничного - транзистор в режиме насыщения а этот режим характерен низким падением напряжения коллектор-эмиттер, ниже даже чем база-эмиттер. транзистор пыжится пропустить ток именно Ik и для этого уменьшает свое сопротивление насколько только может, но тока ему все-равно недодают

[PbI)I(uK]

1.26.png

(4.7 КБ) 326 скачиваний

1.26 Выведите выражение для характеристики(определяющей зависимость Uвых/Uвх от частоты) схемы с последовательным LC конткром показанным на рис.
Получилось очень большшое выражение...думаю неверно сделал. При параллельных LC фигурировал делитель напряжения..но его же нет в даннос случае? Считал так:
Zlc=Zc+ZL=j(wL-1/wC)
I=Uвх/Zполн=Uвх/(R+j(wL-1/wC))
Uвых=I*Zlc
далее нашел амлитуду в итоге:
Uвых=Uвх(wL-1/wC)sqrt(R^2+(wL)^2-2L/C+(1/wC)^2)/(R^2+wL-1/wC)
многовато..обычно все выглядит просто

[den4ikks]

Zlc=wL-1/wC;
I=Uвх/(sqrt(R^2+(wL-1/wC)^2));
Uвых=I*Zlc=Uвх*(wL-1/wC)/(sqrt(R^2+(wL-1/wC)^2));

или так: Uвых=Uвх*(w^2*LC-1)/(sqrt((wRC)^2+(w^2*LC-1)^2));

Uвых/Uвх=(2*pi*f*L-1/2*pi*f*C)/(sqrt(R^2+(2*pi*f*L-1/2*pi*f*C)^2));

при f=1/2*pi*sqrt(LC) Uвых=0;

[СергейС]

Всем привет! Спасибо за объяснение предыдущего вопроса, но тут назрел новый)
Глава "Транзисторы". Пункт 2.14 "Двухтактные выходные каскады".
Там, где написано про переходные искажения в двухтактных каскадах, дана схема, с помощью которой можно бороться с данными искажениями (Схема 1 во вложениях).
В этой схеме все понятно. Симметрично поставленные диоды обеспечивают одинаковое по модулю смещение (0.6 В) для каждой полуволны входного сигнала. В итоге имеем чистый выходной сигнал.
Переворачиваем страницу и видим следующую схему (Схема 2 во вложениях). Вот тут у меня и начались проблемы:) Как я понимаю, потенциалы баз транзисторов смещены по разному (потенциал базы верхнего смещен больше). Получается, что положительная полуволна вх. сигнала будет иметь большую амплитуду на выходе чем отрицательная? Как такое возможно?

Заранее спасибо за объяснения

[Gudd-Head]

Как я понимаю, потенциалы баз транзисторов смещены по-разному

Нет. Как раз для подстройки одинаковости и стоит R2.

[СергейС]

Чего-то мне не очевидно. Тогда такой вопрос: чему равны потенциалы базы транзисторов T2 и T3 относительно земли, если резистор R2 подкручен так, что на нем падает столько же, сколько и на диоде? При отсутствии входного сигнала, естественно.

[rustot]

R2 подкручивается не чтоб как на диоде падало, а чтоб как на эмиттерных сопротивлениях

для обеспечения одновременного переключения транзисторов нужно добиться Uб2 = Uвых+Ik*R3+Uбэ, а Uб1=Uвых-Ik*R4-Uбэ, откуда Uб2-Uб1 = 2Uбэ + 2Ik*R3. 2Uбэ как и в первой схеме получается с 2 диодов, а 2Ik*R3 подбирается резистором, поскольку Ik примерно пропорционален току через этот резистор

[СергейС]

Спасибо большое! Я почти разобрался.
Получается, что в Схеме №1 без разницы куда подавать входное напряжение? Между диодами или над/под ними.