Dim130 писал(а):Дырка диффундирует в n-область, где рекомбинирует с электроном при этом становясь нейтральным атомом, в результате чего на границе перехода в n-области возникает положительный заряд из-за избытка положительных ионов примеси. Вопрос в следующем: каким образом дырка может попасть в n- область, ведь для этого понадобится что бы электрон ушел с орбиты атома германия (кремния) или атома примеси (но тогда атом примеси станет нейтральным) и улетел в p-область, с чего бы ему вдруг покидать насиженное место ?
Движение дырок - модельная абстракция, на самом деле движутся только электроны.
Если электрон не перейдет от атома к атому, то и дырка никуда не двинется.
Фишка в том что электрон квантовый объект обладающий волновыми свойствами и если у электрона есть отличная от нуля возможность/вероятность кудато перейти то он обязательно туда перейдет, вопрос лишь во времени который займет этот переход.
Dim130 писал(а): и если такое и происходит в результате теплового движения, то таких перемещений будет крайне мало ( по сути это неосновной носитель заряда получается), не понятно мне это.
Зато концентрация атомов в кристалле О-ГО-ГОО!!!
Dim130 писал(а): Еще вопрос такой: в перемещении дырок учавствуют ли атомы примеси ? или став однажды ионами они больше не отдают электроны и все перемещение дырок идет через атомы того же германия, соответственно в p-области существуют отрицательные ионы, нейтральные атомы кристалла, дырки и электроны ? а в n-области ионы донора, нейтральные атомы кристалла и электроны ? Если же предположить, что в p-области все атомы кристалла отдали свои электроны атомам примеси, став при этом дырками, то возникает вопрос: а как же дырки перемещаются ? значит ионы акцептора должны снова отдавать электроны атомам кристалла, становясь при этом нейтральными вакантными местами ? в общем белиберда какая-то, не понимаю ! Поясните пожалуйста, кто разбирается.
Электрон и дырка теоретически может перемещаться и по атомам основного полупроводника и по атомам примеси, НО!...
надо понимать, что "свободный" электрон в кристалле на самом деле не является "свободным", он находится на каком то энергитическом уровне атома и перемещается от одного атома к другому посредством тунеллирования.
Эффективно тунелирование происходит только в том случае когда точка отправления и точка прибытия имеют одинаковый уровень энергии.
Примесный атом имеет несколько другие уровни энергий поэтому вероятность тунелирования атом полупроводника - атом примеси очень сильно меньше чем вероятность тунелирования атом полупроводника - атом полупроводника.
Что бы произошло такое тунелирование именно в этой точке должен находиться фонон (квант колебательной энергии) именно такой величины как разница энергитический уровней примесь-полупроводник, вероятность такого события крайне мала, поэтому можно считать что атомы примеси в процессе движения электронов/дырок практически не участвуют.
там ответ есть 