Pulsating писал(а):Только как из этого свойства следует повторение напряжения, я не понимаю. ... здесь есть стопроцентная отрицательная обратная связь, но я её не вижу
Открытый переход база-эмиттер - диод, ток через который экспоненциально зависит от приложенного напряжения, поэтому небольшое изменение этого напряжения вызывает сильное изменение тока базы, которое приводит к еще более сильному изменению тока эмиттера (в h21э+1 раз), что вызывает увеличение падения напряжения на эмиттерном резисторе, что приводит к уменьшению напряжения на переходе база-эмиттер, что приводит к уменьшению тока через него и т.д.: действует отрицательная обратная связь. Равновесие наступает тогда, когда выходное напряжение становится почти равным входному минус падение на переходе база-эмиттер (разница определяется величиной h21э и обычно пренебрежимо мала). Так как в этом процессе участвует все выходное напряжение, такая отрицательная обратная связь является стопроцентной.
Pulsating писал(а):Как схема позволяет добиться высокого входного сопротивления?
Попробую объяснить "на пальцах". Сначала - исходные данные:
1. Будем рассматривать идеальный случай, т.е. без учета внутренних сопротивлений транзистора.
2. Будем считать, что напряжение открытого перехода база-эмиттер не зависит от тока эмиттера и равно 0.7В.
3. Будем считать, что транзистор находится в активном режиме, т.е. эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Для вашей схемы это означает, что напряжение на входе больше 0.7В и меньше 6В.
4. Будем считать входным напряжением сигнала Uвх напряжение, равное напряжению на входе минус 0.7В (в реальных схемах обеспечивают выполнение этого условия созданием соответствующего смещения на базе или подачей отрицательного напряжения, большего 0.7В, на нижний по схеме вывод эмиттерного резистора Rэ).
Итак, что происходит. Из ранее сказанного понятно (надеюсь), что напряжение Uвх полностью оказывается на эмиттерном резисторе Rэ, т.е. Uвых=Uвх (у нас идеальный случай). Это напряжение и определяет ток через эмиттер Iэ=Uвых/Rэ. Подчеркну: ток эмиттера определяется только входным напряжением и сопротивлением в цепи эмиттера и не зависит от параметров транзистора (в идеале). Теперь ответим на вопрос: каким будет ток базы? Очевидно: Iб=Iэ/(h21э+1)=Uвых/(Rэ*(h21э+1))=Uвх/(Rэ*(h21э+1)).
Ответим еще на один вопрос: что такое входное сопротивление Rвх? Очевидно, что закону Ома Rвх=Uвх/Iвх. Для нашей схемы Iвх=Iб, и, подставив его значение в формулу, окончательно получим: Rвх=Rэ*(h21э+1). То есть источник входного напряжения "видит" эмиттерный резистор увеличенным в h21э+1 раз.
Like the eyes of a cat in the black and blue...
