Биполярные и полевые транзисторы

[El-Eng]

Все таки это НЕ ДВА ДИОДА...

Нет, именно два, просто разной площади и с разными токами.

Как, потечет с базы в коллектор?

Коротко: на базе 0.7В, на коллекторе 0.2В, значит между базой и коллектором 0.5В прямого смещения. Это уже почти открытый диод. При увеличении тока базы, напряжение на ней будет увеличиваться, а на коллекторе - уменьшаться, диод Б-К откроется еще больше, ну и ... надеюсь, понятно.
В подтверждение, приведу выдержку из Хоровица-Хилла, вижу, что народ не очень-то любит читать классиков.

Спойлер

HH.png

(37.81 КБ) 1289 скачиваний

[КРАМ]

Все таки это НЕ ДВА ДИОДА...

Нет, именно два, просто разной площади и с разными токами.

А причем тут площадь? Для управления током коллекторного перехода используется эмиттерный переход. Для этого необходимо и достаточно, чтобы эти переходы ПЕРЕСЕКЛИСЬ. Т.е., чтобы база была ТОНКАЯ.
Остальное - это чисто технологические изыски для получения конкретных параметров транзистора.
Сделать из двух диодов транзистор невозможно принципиально, даже если эти диоды находятся вплотную на одном кристалле....

[El-Eng]

Нет-нет, КРАМ, вы не поняли. То, что вы говорите - очевидно. Здесь речь о другом: когда транзистор находится в насыщении, часть базового тока течет через открытый эмиттерный переход (диод), а часть - через открытый коллекторный переход (диод). Эти токи разные, ток через эмиттерный переход больше. У эпитаксиально-планарного транзистора площадь коллекторного перехода больше площади эмиттерного. Оба этих фактора (меньший ток и бОльшая площадь перехода Б-К) приводят к тому, что при насыщении транзистора, падение напряжения на открытом коллекторном диоде меньше, чем на открытом эмиттерном. Разница этих напряжений и есть напряжение насыщения Uкэ_нас. Напомню еще, что существует такой прием уменьшения этого напряжения - включение транзисторного ключа в инверсном режиме.

Сделать из двух диодов транзистор невозможно принципиально, даже если эти диоды находятся вплотную на одном кристалле...

При определенной близости транзистор, таки, получится, см., например, "паразитный транзистор".

[Microwatt]

Напомню еще, что существует такой прием уменьшения этого напряжения - включение транзисторного ключа в инверсном режиме.

Да, такой прием существует, но для большинства реальных транзисторов не оговорен, т.е. в какой-то мере "нелегальный".
И еще, при этом ток базы должен быть больше коллекторного. Речь о КПД тут не идет, тут любой ценой уменьшить бы падение на ключе. Поэтому. инверсный режим изредка использовался для аналоговых ключей до появления полевых транзисторов.
Кто его сейчас продолжает использовать - трудно сказать. Смысла не видно.

[El-Eng]

Кто его сейчас продолжает использовать - трудно сказать. Смысла не видно.

Да я и не предлагаю. Просто факт уменьшения Uкэ_нас при инверсном включении - подтверждение сказанного мной.

[dvp]

Нет-нет, КРАМ, вы не поняли. То, что вы говорите - очевидно. Здесь речь о другом: когда транзистор находится в насыщении, часть базового тока течет через открытый эмиттерный переход (диод), а часть - через открытый коллекторный переход (диод). .

Но попав ток в коллектор, куда он девается? Возвращается назад в базу (если, конечно у нас не инверсное включение), т.е. с коллектора далее он не течет. Итого, в сумме тока БК нет.

[El-Eng]

Но попав ток в коллектор, куда он девается?

В землю. Естественно, в сторону коллекторного вывода ток базы не течет.
Приведу еще одну цитату (И.П.Степаненко, "Основы микроэлектроники"), объясняющую работу транзисторного ключа с диодом Шоттки. Надеюсь, она будет полезной для понимания того, что происходит.

Спойлер

IPS.png

(68.55 КБ) 631 скачивание

[raganius]

Товарищи может не в тему, но может кто сможет подсказать какой правильный оптрон пойдет для опторазвязки на транзюк IRFP460 (очень не хочется китаезный генератор ненароком попалить) ?

Так что, одни теоретики собрались???

[El-Eng]

Товарищи может не в тему, но может кто сможет подсказать какой правильный оптрон пойдет для опторазвязки на транзюк IRFP460...

Вопрос действительно не в тему. Раздел "Практика" больше подходит для подобных вопросов. Но главная проблема даже не в этом. Ваш вопрос сформулирован так, что на него может ответить только тот, кто имеет реальный опыт решения такой задачи. Значительно быстрее получить ответ на вопрос можно тогда, когда вы приведете схему и свой взгляд на возможные варианты решения, указав при этом доступные вам компоненты. Поверьте, найдется немного людей, готовых тратить свое время, чтобы решить вашу задачу вместо вас.

[dvp]

Но попав ток в коллектор, куда он девается?

В землю. Естественно, в сторону коллекторного вывода ток базы не течет.
Приведу еще одну цитату (И.П.Степаненко, "Основы микроэлектроники"), объясняющую работу транзисторного ключа с диодом Шоттки. Надеюсь, она будет полезной для понимания того, что происходит.

Спойлер

IPS.png

Ну, непосредственно в землю ток не пойдет, а вернется в базу.
С диодом Шоттки, тут ясно, ток то не заходит в область базы. Нарисуйте, для наглядности, как будет идти , и куда потом пойдет ток без диода.

То raganius ставьте HCPL3120, HCPL3180, или их аналоги FOD3120, FOD3180 (FOD лучше по параметрам, но дороже)

[dvp]

Тут еще вопрос возникает. Потенциал в области базы отличается от такового на контактном выводе. Вот каков он? Если больше, чем на коллекторе, и ток идет с базы идет в коллектор, то каким образом общий ток с питания проходит в область базы? Т.е. возникает противоречие, то потенциал в обл коллектора больше, чем базовый потенциал (общий ток идет с коллектора в обл базы), то он меньше (ток идет с обл базы в коллектор).

[El-Eng]

Нарисуйте, для наглядности, как будет идти , и куда потом пойдет ток без диода.

Точно так же и точно туда же куда и в случае с диодом Шоттки. Просто роль этого диода играет прямосмещенный коллекторный переход транзистора. Заметьте, что в приведенной мной цитате, И.П.Степаненко называет режим насыщения транзистора режимом двойной инжекции, подчеркивая, что в этом случае коллектор и эмиттер ведут себя схожим образом.

Потенциал в области базы отличается от такового на контактном выводе.

Потенциал в области базы не отличается от потенциала на контактном выводе, иначе между ними возникнет ток. Естественно, мы берем идеальный случай, пренебрегая сопротивлением области базы.

Попробую пояснить еще так: в активном режиме носители заряда (ток) коллектора "проскакивают" сквозь тонкую базу. К этому току добавляется собственно ток базы. Так формируется ток эмиттера. В режиме насыщения к этому току добавляется часть тока базы, текущая через открытый коллекторный переход. В этом режиме ток через коллекторный вывод не зависит от тока базы и равен Iкн. Механизм возникновения этого тока остается таким же как в активном режиме, но только на него теперь тратится часть тока базы. Оставшаяся же часть просто стекает в эмиттер через открытый диод БК.

[dvp]

Возможно, при малых токах в область коллектора и проникают часть носителей, далее они рекомбинируются. Хотя это я не считаю это ток аналогичен току диода Шоттки. Обратно возвращается в базу, и по теми же путями, это больше можно назвать расширением области базы. Вот, при большом токе, тут явно ток в базу не идет. Пример: напряжение насыщения – ок. 2 в.

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 5 А, IБ = 0,5 А не более:
КТ805АМ . . . . . . . . . . . 2,5 В
КТ805БМ . . . . . . . . . . . . 5 В

http://www.ec-centre.com.ua/kremnij/kt805am.php

[El-Eng]

dvp, ваша же ссылка, буквально следующие строчки: напряжение насыщения база-эмиттер. Оно совсем не 0.7В а равно напряжению насыщения к-э. А фраза "не более" говорит, о приблизительности значений. Так что, механизм сохраняется.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 5 А, IБ = 0,5 А не более:
КТ805АМ . . . . . . . . . . . 2,5 В
КТ805БМ . . . . . . . . . . . . 5 В
при IК = 2 А, IБ = 0,2 А КТ805ВМ . . . . . . . . . . . 2,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 5 А, IБ = 0,5 А не более:
КТ805АМ . . . . . . . . . . . 2,5 В
КТ805БМ, КТ805ВМ . . . . . . . . 5 В

[RadioNoob]

Здравствуйте
Подскажите чем отличаются 2Т903Б и КТ903Б, разве это не одно и то же?
Те что с цифрой вместо буквы (2-К, 1-Г) они разве чем то отличаются ?

[alkarn]

Первая цифра 1 вместо Г и 2 вместо К обозначают прибор с военной приемкой (100-% проверка по всем параметрам).

[dvp]

Здравствуйте
Подскажите чем отличаются 2Т903Б и КТ903Б, разве это не одно и то же?

Отличаются тем, что К, это для бытовых целей, 2 - для промышленных и военных целей.
Также микросхемы., есть к примеру: К561ЛА7, есть 561ЛА7. ( зарубежные варианты обозначения: UC3842, UC2842 и UC1842 3 в начале - для бытовых целей, 2 - пром. вариант, 1 - для вонных целей.).
И соотв стоимость разная, к примеру: UC1842 стоит ок 25$, 2842 уже порядка 1$ 50 центов, а 3842 - те порядка 35-50 центов.
Отличается в технологии проверки. Например: микросхемы в Советское время для военных целей дня три гоняли при мах допустимых параметрах, для выбраковки ненадежных ( на заводах был термин "детская смертность микросхем"), что резко повышала их стоимость.

[RadioNoob]

Oк понятно Спасибо!

[raganius]

То raganius ставьте HCPL3120, HCPL3180, или их аналоги FOD3120, FOD3180 (FOD лучше по параметрам, но дороже)



Уважаемый dvp" при много благодарен за ответ. К сожалению сам не спец в электронике вот и докучаю. Наверное действительно мной был не правильно составлен вопрос, исправляюсь!: 1. Требуется работа IRFP460 на вольтаже исток-сток до 250В. 2. Задача простая - сохранить живым от обратки вот такой (на картинке) генер. 3. Да на счет "опто" я кажется передумал!, т. к. IRFP четкий меандр (или пилу допустим) на выходе мне скорее всего не даст. 4. Если есть простенькая схемка защиты гены и четкой его работы, вообще супер! Буду прееемного благодарен!!!

[Vendein_RaZoR]

Опять вопрос по коэффициенту передачи по току . Почему в некоторых задачах он определяется как B = SQRT(Bmin*Bmax) ?? Откуда такая формула ? (Bmin и Bmax разбросы параметров)