товарищи коты, подскажите:
всем известно что у биполярного транзистора падение напряжения между базой и эмиттером составляет приблизительно 0.7-0.6 вольта.
и таким образом в схеме эмиттерного повторителя, уровень усиленного напряжения на выходе всегда ниже примерно на эту величину, об этом довольно часто встречаются упоминания в литературе.
однако вопрос такой: как дела обстоят в схеме истокового повторителя (полевой транзистор) как, в ней отличается уровень усиленного напряжения на выходе от входного.
о разнице в напряжених между биполярн. и полевыми транз.
о разнице в напряжених между биполярн. и полевыми транз.
Последний раз редактировалось Litho Вт апр 14, 2009 20:41:49, всего редактировалось 1 раз.
- Реклама
- Max
- Админ
- Сообщения: 10815
- Зарегистрирован: Вт авг 23, 2005 15:23:25
- Откуда: Москва
- Контактная информация:
Тему назовите нормально. Что это за огрызок такой?
А вот футболки кому? Кружки, значки!
Мысли Пачкают Мозги
Мысли Пачкают Мозги
Ну уж...DGray писал(а):..Полевой транзистор работает абсолютно также как и биполярный...
Если бы Вы сказали, что он работает как и лампа, то еще как-то можно было это принять...
Полевой транзистор, в отличии от биполярного, управляется напряжением на затворе. Естественно, у него нет падения 0,6 В между затвором и истоком. Однако он обладает сопротивлением истока и при подключении нагрузки образуется делитель. При большой величине сопротивления нагрузки и большой крутизне, выходное напряжение практически повторяет входное. При уменьшении сопротивления нагрузки, оно становится меньше входного.
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение
- Реклама
- falkonist
- Друг Кота
- Сообщения: 4471
- Зарегистрирован: Вс мар 04, 2007 11:39:00
- Откуда: Ukraine, Kyiv
- Контактная информация:
Ой, далеко не всё так просто (в королевстве Датском)!...
Полевые транзисторы (ПТ) бывают шести типов. И в зависимости от этого будут значительные различия в работе повторителей на их основе.
Во-первых, они делятся на 2 больших класса:
а) ПТ с p-n переходом (junction FETs);
б) ПТ с изолированным затвором (МОП или MOS FETs).
Последний класс подразделяется на 2 подкласса:
а) ПТ обогащенного типа (enhansed mode);
б) ПТ обедненного типа (depletion mode).
И, наконец, каждый из указанных классов/подклассов бывает с n- и p-проводимостью. Итого 6 типов. Ну, тип проводимости особого значения для рассматриваемого применения не имеет, поэтому его опустим.
Если коротко, то ПТ с p-n переходом и ПТ с изолированным затвором обедненного типа по характеристикам сходны, и подобны электронным лампам а именно, при нулевом напряжении на затворе через них протекает "начальный ток канала". При прикладывании к затвору напряжения противоположной полярности по отношению к стоку, ток через канал снижается. Для ПТ с p-n переходом подача на затвор напряжения той же полярности, что и на стоке, более 0,6...0,7 В не допускается, а для ПТ с изолированным затвором обедненного типа возможна, при чем проводимость канала возрастает.
Вот эти-то типы ПТ и можно применять в схеме истоковых повторителей, для них падения напряжения затвор-исток не будет, НО! Нужно очень четко выдерживать сопротивление нагрузки (истокового резистора параллельно входному сопротивлению нагрузки), чтобы согласовать с начальным током канала.
А вот ПТ с изолированным затвором обогащенного типа, к которым относятся большинство современных "ключевых" полевиков - это особая статья. При нулевом напряжении на затворе у них канал тока не проводит. Его протекание начинается с некоторого значения напряжения на затворе (для большинства транзисторов старой разработки, и высоковольтных - где-то начиная с 5...7 В, а для современных, т.н. "логического уровня" - с 2...3 В). Если эти транзисторы поставить в схему истокового повторителя, то на истоке напряжение будет ниже, чем на затворе на эту самую величину!
Если чего недопонято - спрашивайте.
Успехов!
Полевые транзисторы (ПТ) бывают шести типов. И в зависимости от этого будут значительные различия в работе повторителей на их основе.
Во-первых, они делятся на 2 больших класса:
а) ПТ с p-n переходом (junction FETs);
б) ПТ с изолированным затвором (МОП или MOS FETs).
Последний класс подразделяется на 2 подкласса:
а) ПТ обогащенного типа (enhansed mode);
б) ПТ обедненного типа (depletion mode).
И, наконец, каждый из указанных классов/подклассов бывает с n- и p-проводимостью. Итого 6 типов. Ну, тип проводимости особого значения для рассматриваемого применения не имеет, поэтому его опустим.
Если коротко, то ПТ с p-n переходом и ПТ с изолированным затвором обедненного типа по характеристикам сходны, и подобны электронным лампам а именно, при нулевом напряжении на затворе через них протекает "начальный ток канала". При прикладывании к затвору напряжения противоположной полярности по отношению к стоку, ток через канал снижается. Для ПТ с p-n переходом подача на затвор напряжения той же полярности, что и на стоке, более 0,6...0,7 В не допускается, а для ПТ с изолированным затвором обедненного типа возможна, при чем проводимость канала возрастает.
Вот эти-то типы ПТ и можно применять в схеме истоковых повторителей, для них падения напряжения затвор-исток не будет, НО! Нужно очень четко выдерживать сопротивление нагрузки (истокового резистора параллельно входному сопротивлению нагрузки), чтобы согласовать с начальным током канала.
А вот ПТ с изолированным затвором обогащенного типа, к которым относятся большинство современных "ключевых" полевиков - это особая статья. При нулевом напряжении на затворе у них канал тока не проводит. Его протекание начинается с некоторого значения напряжения на затворе (для большинства транзисторов старой разработки, и высоковольтных - где-то начиная с 5...7 В, а для современных, т.н. "логического уровня" - с 2...3 В). Если эти транзисторы поставить в схему истокового повторителя, то на истоке напряжение будет ниже, чем на затворе на эту самую величину!
Если чего недопонято - спрашивайте.
Успехов!
Выслушай и противную сторону, даже если она и противна


