Для управления светодиодной лентой (данный эксперимент проводился с бобиной длиной 5м, одноцветной) был собран ШИМ регулятор на основе таймера КР1006ВИ1 (NE555) и полевого транзистора IRF640. Когда схема была собрана, она была испытана на нагрузочном резисторе Rнагр, через который протекал ток порядка 2 А (максимум) - см. рис.1.
Результирующие осциллограммы показали ожидаемые результаты. Но при подключении светодиодной ленты выяснилось, что мой ШИМ регулятор (а именно выходной транзистор) ведет себя уже по другому, а именно - не полностью закрывается, греется. В результате уровень минимальной яркости ленты слишком высок, напряжение на стоке в таком состоянии составило порядка 6.5В (см. рис.2).
Меня это совершенно не устроило и я продолжил эксперименты. Для начала я просмотрел множество форумов, технической документации по управлению светодиодами на предмет обнаруженной мной проблемы, но не нашел ничего. Все дороги вели к классической схеме ключа. Пробовал менять частоту ШИМ от 1кГц до 35 кГц, менял полевой транзистор на биполярный - лучше не становилось. Немного подумав, я решил собрать нечто среднее между схемой на рис.1 и схемой на рис.2 (см. рис.3).
И оказался на верном пути. Вначале в качестве Rнагр я выбрал 1 кОм, затем 100 Ом и практически вышел на нужные осциллограммы. Транзистор перестал греться и минимальный уровень свечения светодиодной ленты заметно понизился (до нужной мне яркости).
Теперь вопрос к знатокам: в чем причина данного явления, почему транзистор при подключении светодиодной ленты ведет себя иначе? Почему в литературе, посвященной управлению светодиодами об этом не говорится ни слова?
Результирующие осциллограммы показали ожидаемые результаты. Но при подключении светодиодной ленты выяснилось, что мой ШИМ регулятор (а именно выходной транзистор) ведет себя уже по другому, а именно - не полностью закрывается, греется. В результате уровень минимальной яркости ленты слишком высок, напряжение на стоке в таком состоянии составило порядка 6.5В (см. рис.2).
Меня это совершенно не устроило и я продолжил эксперименты. Для начала я просмотрел множество форумов, технической документации по управлению светодиодами на предмет обнаруженной мной проблемы, но не нашел ничего. Все дороги вели к классической схеме ключа. Пробовал менять частоту ШИМ от 1кГц до 35 кГц, менял полевой транзистор на биполярный - лучше не становилось. Немного подумав, я решил собрать нечто среднее между схемой на рис.1 и схемой на рис.2 (см. рис.3).
И оказался на верном пути. Вначале в качестве Rнагр я выбрал 1 кОм, затем 100 Ом и практически вышел на нужные осциллограммы. Транзистор перестал греться и минимальный уровень свечения светодиодной ленты заметно понизился (до нужной мне яркости).
Теперь вопрос к знатокам: в чем причина данного явления, почему транзистор при подключении светодиодной ленты ведет себя иначе? Почему в литературе, посвященной управлению светодиодами об этом не говорится ни слова?
- Вложения
-
- Феномен светодиодного ключа.jpg
- (155.81 КБ) 1080 скачиваний
