Фишка в том, что сам стабилитрон под затвором сформирован не в мощностном объеме кристалла.Это значит, что при превышении
Uз-и свыше значения Uст стабилитрона, последний перейдет в проводящее состояние, ограничив значением Uст напряжение Uз-и.Но это также и означет, что на кристалле собственно стабилитрона будет рассеиваться некоторая мощность, пропорционально прямому падению напряжения на открытом стабилитроне.Uпад.пр. имеет зависимость от температуры.Все это приведет к тому, что при приложении между З-И потенциала, значительно превышающего Uст. стабилитрона, произойдет вначале его тепловой пробой, затем он разрушится. Причем тут возможны варианты - либо разрушившийся стабилитрон замкнет накоротко цепь З-И т-ра, либо уйдет в обрыв.Практика показывает, что как правило, происходит замыкание, т.е Rз-и = 0.Поэтому установка дискретного внешнего стабилитрона достаточной мощности лишней не будет.
Uз-и свыше значения Uст стабилитрона, последний перейдет в проводящее состояние, ограничив значением Uст напряжение Uз-и.Но это также и означет, что на кристалле собственно стабилитрона будет рассеиваться некоторая мощность, пропорционально прямому падению напряжения на открытом стабилитроне.Uпад.пр. имеет зависимость от температуры.Все это приведет к тому, что при приложении между З-И потенциала, значительно превышающего Uст. стабилитрона, произойдет вначале его тепловой пробой, затем он разрушится. Причем тут возможны варианты - либо разрушившийся стабилитрон замкнет накоротко цепь З-И т-ра, либо уйдет в обрыв.Практика показывает, что как правило, происходит замыкание, т.е Rз-и = 0.Поэтому установка дискретного внешнего стабилитрона достаточной мощности лишней не будет.
