А не существует "напряжения полного открытия". Есть только сопротивление открытого канала при ОПРЕДЕЛЕННОМ напряжении затвор-исток.
Иногда приводят ГРАФИК зависимости сопротивления канала от оного напряжения.
noise1 писал(а):Напряжение на базе, при котором режим насыщения
Режим насыщения можно достичь и при напряжении равным пороговому и ВООБЩЕ не достичь ни при каком отпирающем напряжении. Потому как насыщение зависит от НАГРУЗКИ каскада.
Сопротивление канала зависит только (с определенным допущением, конечно) от напряжения затвор-сток и потому регламентируется даташитом.
Добрый день, уважаемые!
Может ли кто пояснить как рассчитать каскад с общим истоком на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом в режиме А? Графический расчет мне понятен, но хотелось бы расчитать схему по численным характеристикам. Вот схема:
Спойлер
Исходные данные: Епит=18В. Ток покоя 1ма. Транзистор,например,BF245B: UОтс=-0,25...8В Начальный ток стока 6..15ма
Надо понимать что нормальное открытие мосфета считается при достижении на затворе напряжения определённого уровня. Оно - аналог насыщения у биполярного транзистора. А до этого мосфет работает как линейный прибор. Существует ли у мосфета зона, аналогичная закрытию/открытию биполярного транзистора? Другими словами, на участке на затворе от нуля до U1 мосфет всегда закрыт, при достижении напряжения открытия он открывается и дальнейшее его открытие зависит от какого-то коэффициента, аналогичному коэффициенту усиления h21э. Или, так-как это импульсный транзистор, он открывается сразу, ступенчато? Что за переходный процесс от начала открытия до полного открытия? Я предполагаю, что у него происходит полное открытие по напряжению, а если нагрузка потребляет большой ток, то он "задавливает" и полное открытие превращается в неполное. То есть для импульсного регулятора тока, аналогично тиристорному, этот вариант не годиться, не так ли?
Доброго времени суток.
С мосфетами еще ни разу не работал, и мои знания, в большинстве своем, ограничиваются прочитанным в этой теме. Прошу не пинать очень больно, а всего лишь носом тыкнуть
В общем есть задача управлять группами автомобильных (12V) ламп, максимально 4х55W в группе. Хочу реализовать коммутацию на длительное время и регулировку яркости через программный ШИМ на МК.
я так понял под мои задачи подойдут IRL транзисторы максимальным напряжением немногим выше 12Вольт и током сток-исток не меньше, а лучше больше 20А.
нашел под свои нужды транзистор IRL3803. но есть сомнения 1 в разных источниках рознится информация по Rds(on) где-то 0.006Ом а гдето 6мОм
Так же не понятно, максимальное напряжение З-С 16v хотя он вроде как Logic-Level Gate Drive как понять смогут ли 5 вольт открыть транзистор полностью?
чтобы подитожить:
подойдет ли указанный транзистор под мои цели, или есть более подходящие варианты?
ну и вообще правильное ли у меня понимание о mosfet транзисторах? ))))